vet-china nûjeniya Stûna Vertical Wafer Boat & Pedestal pêşkêşî dike, çareseriyek berfereh ji bo pêvajoyek pêşkeftî ya nîvconductor. Bi rastbûnek hûrbîn hatî sêwirandin, ev pergala hilgirtina waferê aramî û lihevhatina bêhempa peyda dike, ku ji bo hawîrdorên hilberîna bikêrhatî pir girîng e.
Stûna Vertical Column Wafer Boat & Pedestal bi materyalên premium ve hatî çêkirin ku aramiya germî û berxwedana li hember korozyona kîmyewî garantî dike, ku ew ji bo pêvajoyên çêkirina nîvconductor yên herî daxwazî guncan dike. Sêwirana stûna wê ya yekta ya vertîkal piştgirî dide waferan bi ewlehî, xetera nelihevkirin û zirara potansiyel di dema veguhastin û pêvajoyê de kêm dike.
Bi entegrasyona Vet-China Column Vertical Wafer Boat & Pedestal, çêkerên nîvconductor dikarin li bendê be ku berbi çêtirbûnê, dema domandinê kêm bikin, û hilberîna hilberê zêde bikin. Ev pergal bi cûrbecûr mezinahî û mîhengên waferê re hevaheng e, ji bo hewcedariyên cûda yên hilberînê nermbûn û pîvandinê peyda dike.
Pabendbûna vet-china ya ji hêjabûnê re piştrast dike ku her Stûna Vertical Wafer Boat & Pedestal standardên herî bilind ên kalîte û performansê pêk tîne. Bi hilbijartina vê çareseriya pêşkeftî re, hûn di rêgezek paşerojê de ji bo birêvebirina waferê veberhênan dikin ku di hilberîna nîvconductor de karîgerî û pêbaweriyê zêde dike.
Taybetmendiyên karbîdê siliconê ji nû ve krîstalîzekirî
Karbîda siliconê ya ji nû ve krîstalîzekirî (R-SiC) materyalek bi performansa bilind e ku bi serhişkiya duyemîn tenê ji almasê re ye, ku di germahiyek bilind de li jor 2000℃ pêk tê. Ew gelek taybetmendiyên hêja yên SiC digire, wekî hêza germahiya bilind, berxwedana korozyonê ya bihêz, berxwedana oksîdasyonê ya hêja, berxwedana şoka termal a baş û hwd.
● Taybetmendiyên mekanîkî yên hêja. Karbîdê siliconê ji nû ve kristalkirî ji fîbera karbonê xwedî hêz û serhişkiya bilindtir e, berxwedana bandorê ya bilind, dikare di hawîrdorên germahiya giran de performansek baş bilîze, dikare di cûrbecûr rewşan de performansek berevajî çêtir bilîze. Digel vê yekê, ew di heman demê de xwedan nermbûnek baş e û ji hêla dirêjkirin û çikandinê ve bi hêsanî zirarê nade, ku performansa wê pir çêtir dike.
● Berxwedana korozyonê ya bilind. Karbîda siliconê ya ji nû ve kristalkirî li hember cûrbecûr medyayê xwedan berxwedana korozyonê ya bilind e, dikare pêşî li erozyona cûrbecûr medyaya korozîf bigire, dikare taybetmendiyên xwe yên mekanîkî ji bo demek dirêj biparêze, xwedan adhesionek xurt e, da ku ew xwedan jiyanek karûbarê dirêjtir be. Digel vê yekê, ew di heman demê de xwedan aramiya germî ya baş e, dikare bi rêzek guherînên germahiyê re adapte bibe, bandora serîlêdana wê baştir bike.
● Sintering nade. Ji ber ku pêvajoya sinterkirinê qut nabe, ti stresa mayî dê bibe sedema deformasyon an şikestina hilberê, û beşên bi şeklên tevlihev û rastbûna bilind dikarin werin amadekirin.
| 重结晶碳化硅物理特性 Taybetmendiyên fizîkî yên Silicon Carbide Recrystallized | |
| 性质 / Taybetmendî | 典型数值 / Nirxa Tîpîkî |
| 使用温度/ Germahiya xebatê (°C) | 1600°C (bi oksîjenê), 1700°C (kêmkirina jîngehê) |
| SiC含量/ naveroka SiC | > 99,96% |
| 自由Si含量/ naveroka Si belaş | < 0.1% |
| 体积密度/Density Bulk | 2,60-2,70 g/cm3 |
| 气孔率/ Poroziya xuya | < 16% |
| 抗压强度/ Hêza zextê | > 600MPa |
| 常温抗弯强度/Hêza ziravkirina sar | 80-90 MPa (20°C) |
| 高温抗弯强度Hêza germbûna germ | 90-100 MPa (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Berfirehbûna germî @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Germahîbûna germê @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Modula elastîk | 240 GPa |
| 抗热震性/ Berxwedana şoka termal | Extremely baş |
Enerjiya VET e ewhilberînerê rastîn ên hilberên grafît û silicon carbide yên xwerû yên bi pêlava CVD,dikarin peyda bikinnewekhevparçeyên xwerû yên ji bo pîşesaziya nîvconductor û fotovoltaîk. OTîma teknîkî ya ur ji saziyên lêkolînê yên navxweyî yên top tê, dikare çareseriyên madî yên profesyoneltir peyda bikeji were.
Em bi domdarî pêvajoyên pêşkeftî pêşve diçin da ku materyalên pêşkeftî peyda bikin,ûteknolojiyek patentkirî ya bêkêmasî xebitîne, ku dikare girêdana di navbera xêz û substratê de hişktir bike û ji veqetandinê kêmtir bike.
| CVD SiC薄膜基本物理性能 Taybetmendiyên fizîkî yên bingehîn ên CVD SiCrû | |
| 性质 / Taybetmendî | 典型数值 / Nirxa Tîpîkî |
| 晶体结构 / Structure Crystal | Qonaxa β FCC多晶，主要为（111). |
| 密度 / Density | 3,21 g/cm³ |
| 硬度 / Serhişkî | 2500 维氏硬度 (500g bar) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2 ~ 10 μm |
| 纯度 / Paqijiya Kîmyewî | 99.99995% |
| 热容 / Kapasîteya germê | 640 J·kg-1·K-1 |
| 升华温度 / Germahiya Sublimation | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Hêza Flexural | 415 MPa RT 4-xala |
| 杨氏模量 / Modula Ciwan | 430 Gpa 4pt bend, 1300℃ |
| 导热系数 / ThermalConductivity | 300W·m-1·K-1 |
| 热膨胀系数 / Berfirehkirina Termal (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Bi germî xêrhatina we dikin ku hûn biçin kargeha me, werin em bêtir nîqaş bikin!
