Ji bo Semiconductor Rakirina SiC / Substrate Graphite Coated / Tray

Kurte Danasîn:

VET Energy SiC Coated Graphite Susceptor for Epitaxial Growth hilberek bi performansa bilind e ku ji bo peydakirina performansa domdar û pêbawer di heyamek dirêj de hatî çêkirin. Ew xwedan berxwedana germê ya super baş û yekrengiya germî, paqijiya bilind, berxwedana erozyona ye, ku ew ji bo serîlêdanên hilberandina waferê çareseriyek bêkêmasî dike.


Detail Product

Tags Product

Ji bo Semiconductor xêzkirina SiC / xêzkirî ya susceptor Graphite
 
EwSiC Substrate Graphite Coatedçareseriyek pir domdar û bikêrhatî ye ku ji bo bicîhanîna daxwazên hişk ên pîşesaziya hilberîna nîvconductor hatî çêkirin. Bi qateyek ji paqijiya bilind vedihewînesilicon carbide (SiC) pêlavê, ev substrat îstîqrara germî ya awarte, berxwedana oksîdasyonê, û jiyana karûbarê dirêjkirî peyda dike, ku wê ji bo serîlêdanên di pêvajoyên MOCVD, hilgirên waferên grafît, û hawîrdorên din ên germahiya bilind de îdeal dike.

 Taybetmendî: 
· Berxwedana şokê ya germî ya hêja
· Berxwedana şokê ya laşî ya hêja
· Berxwedana Kîmyewî ya Berbiçav
· Paqijiya Super Bilind
· Hebûna li Teşeya Tevlihevî
· Di bin Atmosfera Oxidizing de tê bikar anîn

Bikaranînî:

3

Taybetmendî û Awantajên Hilberê:

1. Berxwedana Germiya Bilind:Bi paqijiya bilindÇêkirina SiC, substrat li ber germahiyên zehf radiweste, performansa domdar di hawîrdorên daxwazkirî yên wekî epitaxy û çêkirina nîvconductor de peyda dike.

2. Durability Enhanced:Parçeyên grafîtê yên pêçandî yên SiC têne sêwirandin ku li dijî korozyon û oksîdasyona kîmyewî li ber xwe bidin, li gorî jêrzemînên grafîtê standard domdariya substratê zêde dikin.

3. Grafîtê pêçandî ya vître:Struktura vître ya yekta yaÇêkirina SiCserhişkiya rûkalê ya hêja peyda dike, di dema pêvajoyek germahiya bilind de cil û berg kêm dike.

4. Paqijiya Bilind a SiC Coating:Substrata me di pêvajoyên nîvconduktorê hesas de qirêjiya hindiktirîn misoger dike, ji bo pîşesaziyên ku paqijiya materyalê ya hişk hewce dike pêbaweriyek peyda dike.

5. Serlêdana Bazara Berfireh:EwSiC susceptor grafît pêçandîbazar her ku diçe mezin dibe her ku daxwaziya ji bo hilberên pêşkeftî yên pêçandî yên SiC di hilberîna nîvconduktorê de zêde dibe, vê substratê hem di sûka hilgirê waferê grafît û hem jî di bazara tîrêjên grafîtê yên pêvekirî yên karbîdê silicon de wekî lîstikvanek sereke cih digire.

Taybetmendiyên Tîpîkî yên Madeya Grafîtê ya Bingeh:

Tûrbûna xuya: 1,85 g/cm3
Berxwedana Elektrîkê: 11 μΩm
Hêza Flexural: 49 MPa (500 kgf/cm2)
Zehmetiya Peravê: 58
Xwelî: <5ppm
Têkiliya germî: 116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

 

CVD SiC薄膜基本物理性能

Taybetmendiyên fizîkî yên bingehîn ên CVD SiC

性质 / Taybetmendî

典型数值 / Typical Value

晶体结构 / Structure Crystal

FCC β qonaxa 多晶,主要为(111)取向

密度 / Density

3,21 g/cm³

硬度 / Hardness

2500 维氏硬度 (500g bar)

晶粒大小 / Grain SiZe

2 ~ 10 μm

纯度 / Paqijiya Kîmyewî

99.99995%

热容 / Kapasîteya Germê

640 J·kg-1·K-1

升华温度 / Sublimation Temperature

2700℃

抗弯强度 / Hêza Flexural

415 MPa RT 4-xala

杨氏模量 / Modulusa Ciwan

430 Gpa 4pt bend, 1300℃

导热系数 / Thermal Conductivity

300W·m-1·K-1

热膨胀系数 / Thermal Expansion(CTE)

4,5×10-6K-1

1

2

 

 

VET Energy hilberînerê rastîn ê hilberên grafît û silicon carbide yên xwerû ye ku bi pêlên cihêreng ên mîna pêlava SiC, pêlava TaC, pêlava karbonê ya şûşî, pêlava karbonê ya pirolîtîk, hwd., dikare parçeyên cihêreng ên xwerû ji bo pîşesaziya nîvconductor û fotovoltaîk peyda bike.

Tîma meya teknîkî ji saziyên lêkolînê yên navxweyî yên top tê, dikare ji we re çareseriyên madî yên profesyoneltir peyda bike.

Em bi domdarî pêvajoyên pêşkeftî pêşdixînin da ku materyalên pêşkeftî peyda bikin, û teknolojiyek patentkirî ya bêkêmasî xebitandine, ku dikare girêdana di navbera xêz û substratê de hişktir bike û ji veqetandinê kêmtir bike.

Bi germî xêrhatina we dikin ku hûn biçin kargeha me, werin em bêtir nîqaş bikin!

研发团队

 

生产设备

 

公司客户

 


  • Pêşî:
  • Piştî:

  • WhatsApp Online Chat!