SiC grafît MOCVD hilgirên wafer,Graphite Susceptorsji bo SiC Epitaxy,
Karbon susceptors peyda dike, susceptors epitaxy, Graphite Susceptors,

Pîvana CVD-SiC xwedan taybetmendiyên avahiyek yekgirtî, materyalê tevlihev, berxwedana germahiya bilind, berxwedana oksîtasyonê, paqijiya bilind, berxwedana asîd û alkali û reagentek organîk e, bi taybetmendiyên fîzîkî û kîmyewî yên domdar.

Li gorî materyalên grafîtê yên paqij-paqij, grafît di 400C de dest bi oksîdekirinê dike, ku dê bibe sedema windabûna tozê ji ber oksîdasyonê, di encamê de qirêjiya hawîrdorê li cîhazên dorhêl û odeyên valahiya zêde dike, û nepakiyên jîngeha paqijiya bilind zêde dike.

Lêbelê, pêlava SiC dikare di 1600 derece de aramiya laşî û kîmyewî biparêze, Ew di pîşesaziya nûjen de, nemaze di pîşesaziya nîvconductor de, bi berfirehî tê bikar anîn.

Pargîdaniya me bi rêbaza CVD karûbarên pêvajoya girtina SiC li ser rûyê grafît, seramîk û materyalên din peyda dike, da ku gazên taybetî yên ku karbon û silicon hene di germahiya bilind de bertek nîşan bidin da ku molekulên SiC yên paqijiya bilind bistînin, molekulên ku li ser rûyê materyalên pêçandî têne razandin. avakirina qata parastinê ya SIC. SIC-a ku hatî çêkirin bi zexmî bi bingeha grafîtê ve girêdayî ye, taybetmendiyên taybetî dide bingeha grafîtê, bi vî rengî rûyê grafîtê tevlihev, bê porosity, berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê û berxwedana oksîdasyonê dike.

Bikaranînî:

Taybetmendiyên sereke:

1. Berxwedana oksîdasyona germahiya bilind:

dema ku germahî bi qasî 1700 C be, berxwedana oksîdasyonê hîn pir baş e.

2. Paqijiya bilind: ji hêla hilweşandina vaporê kîmyewî ve di bin şerta klorîna germahiya bilind de hatî çêkirin.

3. Berxwedana erozyonê: serhişkiya bilind, rûbera tevlihev, perçeyên hûr.

4. Berxwedana korozyonê: asîd, alkali, xwê û reagentên organîk.

Taybetmendiyên sereke yên CVD-SIC Coatings:

Kapasîteya dabînkirinê:

10000 Parçe / Parçe her meh
Pakkirin & Radestkirin:
Pakkirin: Pakêkirina Standard & Hêzdar
Poly bag + Box + Carton + Pallet
Bender:
Ningbo / Shenzhen / Shanghai
Dema pêkhatinê: