MOCVD Substrate Heater, Hêmanên Germkirinê Ji bo MOCVD,
germê grafît, germakir, MOCVD Substrate Heater,

Ji bo MOCVD K465i Germkirina Grafîtê ya SIC-ya dirêj-jiyana

Ewgermê grafîthêmanên di firna germahiya bilind de bi germahiya ku gihîştiye 2200 pileyî li hawîrdora valahiya û 3000 pileyî di hawîrdora gazê deoksîdankirî û têxe de têne bikar anîn.
Taybetmendiyên sereke yên grafîtgermakir:
1. yekrengiya avahiya germkirinê.
2. veguhestina elektrîkê ya baş û barkirina elektrîkê ya bilind.
3. berxwedana korozyonê.
4. inoxidizability.
5. paqijiya kîmyewî ya bilind.
6. hêza mekanîk bilind.
Avantaja enerjiyê, nirxa bilind û xwedîkirina kêm e.
Em dikarin antî-oksîdasyon û kelûmelê grafît, qalibê grafît û hemî beşên germkerê grafît hilberînin.
Parametreyên sereke yên germkerê grafît:

Germê grafîtê ji bo sobeya elektrîkê xwedan taybetmendiyên berxwedana germê, berxwedana oksîdasyonê, guheztina elektrîkê ya baş û xurtbûna mekanîkî ya çêtir e. Em dikarin li gorî sêwiranên xerîdar cûrbecûr germkerên grafît çêkin.