Nûçe

Astengên teknîkî yên ji bo karbîd silicon çi ne?Ⅱ
ji hêla admin 24-05-22
Zehmetiyên teknîkî yên di hilberandina girseyî ya bi îstîqrar de waferên karbîd ên sîlîkonê yên qalîteya bilind û bi performansa domdar ev in: 1) Ji ber ku krîstal hewce dike ku li hawîrdorek bi germahiya bilind a li jor 2000°C mezin bibin, hewcedariyên kontrolkirina germahiyê pir zêde ne; 2) Ji ber ku karbîdê silicon bêtir heye ...
Zêdetir bixwînin
Astengên teknîkî yên ji bo karbîdê silicon çi ne?
ji hêla admin 24-05-22
Nifşa yekem a materyalên nîvconductor ji hêla silicon kevneşopî (Si) û germanium (Ge) ve têne temsîl kirin, ku bingehek ji bo hilberîna çerxa yekbûyî ne. Ew bi berfirehî di transîstor û detektorên voltaja nizm, frekansa kêm, û kêm-hêza de têne bikar anîn. Zêdetirî 90% hilberîna nîvconductor ...
Zêdetir bixwînin
Toza mîkro ya SiC çawa tê çêkirin?
ji hêla admin 24-05-13
SiC yek krîstal materyalek koma IV-IV ya nîvconduktorê ye ku ji du hêmanan, Si û C, bi rêjeya stoichiometric 1:1 pêk tê. Zehmetiya wê piştî almasê duyemîn e. Kêmkirina karbonê ya rêbaza oxide silicon ji bo amadekirina SiC bi piranî li ser bingeha formula reaksiyona kîmyewî ya jêrîn e ...
Zêdetir bixwînin
Tebeqên epîtaksial çawa alîkariya amûrên nîvconductor dikin?
ji hêla admin 24-05-13
Destpêka navê wafera epitaksial Pêşîn, werin em têgehek piçûk populer bikin: amadekirina wafer du girêdanên sereke dihewîne: amadekirina substratê û pêvajoya epitaxial. Substrat waferek e ku ji materyalê yek krîstal nîvconductor hatî çêkirin. Substrat dikare rasterast têkeve hilberîna waferê ...
Zêdetir bixwînin
Danasîna teknolojiya depokirina fîlima zirav (CVD) ya hilanîna vapora kîmyewî
by admin on 24-05-06
Depokirina Vapora Kîmyewî (CVD) teknolojiyek depokirina fîlima zirav a girîng e, ku pir caran ji bo amadekirina fîlimên fonksiyonel ên cihêreng û materyalên tenik-tenik tê bikar anîn, û bi berfirehî di hilberîna nîvconductor û qadên din de tê bikar anîn. 1. Prensîba xebatê ya CVD Di pêvajoya CVD de, pêşekek gazê (yek an mo ...
Zêdetir bixwînin
Sira "zêrê reş" li pişt pîşesaziya nîvconduktorê fotovoltaîk: xwestek û girêdayîbûna bi grafît îsostatîkî
by admin on 24-05-06
Grafîta îsostatîk di fotovoltaîk û nîvconduktoran de materyalek pir girîng e. Bi zêdebûna bilez a pargîdaniyên grafîtê îsostatîkî yên navxweyî re, yekdestdariya pargîdaniyên biyanî li Chinaînê hate şikandin. Bi lêkolîn û pêşkeftina serbixwe ya domdar û pêşkeftinên teknolojîk, ...
Zêdetir bixwînin
Vekirina Taybetmendiyên Bingehîn ên Keştiyên Grafît Di Hilberîna Seramîkên Nîvconductor de
ji aliyê admin 24-04-22
Keştiyên grafît, ku wekî qeyikên grafît jî têne zanîn, di pêvajoyên tevlihev ên çêkirina seramîkên nîvconductor de rolek girîng dilîzin. Van keştiyên pispor di dema dermankirinên germahiya bilind de wekî hilgirên pêbawer ji bo waferên nîvconductor re xizmet dikin, ku pêvajoyek rast û kontrolkirî peyda dikin. Bi...
Zêdetir bixwînin
Struktura navxweyî ya alavên lûleya firnê bi hûrgulî tê rave kirin
ji aliyê admin 24-04-22
Wekî ku li jor hatî xuyang kirin, nîvê yekem tîpîk e: Elementa germkirinê (pêla germkirinê): li dora lûleya firnê ye, bi gelemperî ji têlên berxwedanê hatî çêkirin, ji bo germkirina hundurê lûleya firnê tê bikar anîn. Tubeya Quartz: Navê firna oksîdasyona germ, ji quartz-paqijiya bilind hatî çêkirin ku dikare li ber xwe bide ...
Zêdetir bixwînin
Bandorên substrate SiC û materyalên epitaxial li ser taybetmendiyên cîhaza MOSFET
by admin on 24-04-16
Kêmasiya sêgoşeyî Kêmasiyên sêgoşeyî kêmasiyên morfolojîk ên herî kujer ên tebeqeyên epîtaksial ên SiC ne. Hejmarek mezin ji raporên wêjeyê destnîşan kir ku çêbûna kêmasiyên sêgoşeyî bi forma krîstal 3C ve girêdayî ye. Lêbelê, ji ber mekanîzmayên cûda yên mezinbûnê, morfolojiya gelek tr ...
Zêdetir bixwînin