Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptoramûrek piştgirî û germkirinê ya bi taybetî hatî sêwirandin e ku di pêvajoyên çêkirinê de mîna pêvajoyên Deposition an Epitaxy ji bo hilgirtin û germkirina substratên nîvconductor tê bikar anîn.

Struktura wê bi gelemperî silindrîk an bi rengek bermîlî vedihewîne, rûerdê gelek berik an platformên ji bo danîna pêlavan vedihewîne, li gorî rêbaza germkirinê dikare sêwirana zexm an qulik be.

Fonksiyonên sereke yên susceptor bermîlê epitaxial:

-Piştgiriya substratê: bi ewlehî gelek waferên nîvconductor digire;
-Çavkaniya germê: bi germkirinê germahiyên bilind ên ku ji bo mezinbûnê hewce ne peyda dike;
-Yekheviya germahiyê: germkirina yekreng a substratan misoger dike;
-Zevirandin: bi gelemperî di dema mezinbûnê de dizivire da ku germahî û yekdestiya belavkirina gazê baştir bike.

Prensîba xebatê ya susceptor bermîla grafît Epi:
- Di reaktora epitaksial de, susceptora bermîlê heya germahiya hewce tê germ kirin (bi gelemperî 1000℃-1200℃ ji bo epîtaksiya silicon);
-Pêşkêşa bermîlê dizivire da ku dabeşkirina germahiya yekgirtî û herikîna gazê misoger bike;
-Gazên reaksiyonê di germahiyên bilind de perçe dibin, li ser rûyê substratê qatên epîtaksial çêdibin.

Serlêdan:
-Pêşî ji bo mezinbûna epitaxial silicon tê bikar anîn
-Di heman demê de ji bo epîtaksiya materyalên nîvconductor yên din ên wekî GaAs, InP, hwd jî derbasdar e.

Enerjiya VET grafîtek paqijiya bilind bi pêlava CVD-SiC bikar tîne da ku aramiya kîmyewî zêde bike:

Feydeyên VET Energy Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Stîqrara germahiya bilind;
-Yekheviya germî ya baş;
-Dikare gelek substratan bi hevdemî pêvajoyê bike, karbidestiya hilberînê baştir bike;
-Ji hêla kîmyewî ve bêhêz, parastina jîngehek mezinbûna paqijiya bilind.