SiC Coated

VET ENERGY, çêkerê sereke yê pêlava CVD SIC li Chinaînê

Materyalên Pêşerojê Biguherînin

Silicon carbide (SiC) materyalek nîvconductor ya nû ye. Karbîda silicon xwedan valahiya bandê ya mezin (nêzîkî 3 carî silicon), hêza qada krîtîk a bilind (nêzîkî 10 carî silicon), guheztina germî ya bilind (nêzîkî 3 carî silicon). Ew materyalek nîvconductor ya nifşa pêşeroj girîng e. Kincên SiC bi berfirehî di pîşesaziya nîvconductor û fotovoltaîkên rojê de têne bikar anîn. Bi taybetî, susceptorên ku di mezinbûna epîtaksial a LED-an û epîtaksiya Si-krîstalê de têne bikar anîn pêdivî bi karanîna pêlava SiC heye. Ji ber geşepêdana bihêz a LED-an di pîşesaziya ronîkirin û pêşandanê de, û pêşkeftina bihêz a pîşesaziya nîvconductor,Hilbera pêvekirina SiCperspektîvên pir baş in.

QADA SERLÊDANÊ

Serîlêdana hilberê û performansa Serîlêdanên hilberê û karanîna

Pîşesaziya yek krîstal, GaN, AlN, yaqût û pedestalên din ên MOCVD. -Rêvekirina bingehê grafît ji bo mezinbûna epîtaksial a siliconê yek krîstal

Performansa sereke: paqijiya bilind, berxwedana erozyonê, guheztina germî ya bilind, - Pêvajoya MOCVD, pêlava bingeha grafît ji bo mezinbûna epitaxial GaN

berxwedana germahiya bilind, rêjeya berfirehbûna termal kêm.

susceptors MOCVD

Susceptorên epîtaksial ên silicon monokrîstalîn

Dîska etching Plasma

Berhemên fotovoltaîk ên rojê

Semiconductor Industry

Solar photovoltaic

Têkiliya Termal	250 W/m °K	Rêbaza laser flash, RT
Berfirehkirina Termal (CTE)	4,5 x 10^-6°K	Germahiya odeyê heya 950 °C, silica dilatometer
Mal	Giranî	Awa
Density	3,21 g/cc	Sink-float û dimension
Germahiya taybetî	0,66 J/g °K	Fîşeka lazerê ya pêlkirî
Hêza Flexural	450 MPa560 MPa	4 xala bend, RT4 xala bend, 1300 °
Zehmetiya şikandinê	2,94 MPa m1/2	Microindentation
Hardness	2800	Vicker's, barkirina 500g
Modulusa Elastic Modula Ciwan	450 GPa430 GPa	4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Mezinahiya genim	2 - 10 μm	SEM

Paqijî, Struktura SEM, analîza qalindiyê yaÇêkirina SiC

Paqijiya pêlên SiC yên li ser grafît bi karanîna CVD bi qasî 99,9995%. Avahiya wê fcc e. Fîlimên SiC yên ku li ser grafît hatine nixumandin (111) wekî ku di daneya XRD-ê de tê xuyang kirin (Wêne.1) ne ku qalîteya wê ya krîstalî ya bilind destnîşan dike. Qalindahiya fîlima SiC wekî ku di jimar 2 de tê nîşandan pir yekreng e.

Daneyên SEM-ê ya fîlima nazik a CVD SiC, mezinahiya krîstal 2 ~ 1 Opm e

Xiflteya 2: qalindahiya fîlimên SiC

Struktura krîstal a fîlimê CVD SiC avahiyek kubîk a rû-navendî ye, û rêgeziya mezinbûna fîlimê nêzî% 100 e.

SEM û XRD fîlima beta-SiC li ser grafît

BINGEHÊ EPITAXIAL SILICON SINGLE CRYSTAL

Performansa hilber û perspektîfên serîlêdanê.

Silicon carbide (SiC) pêçandîbingeh ji bo siliconek krîstal û epitaxy GaN, ku pêkhateya bingehîn a firna epitaxy ye, bingeha çêtirîn e. Bingeh amûrek hilberîna sereke ye ji bo silicona monokrîstalîn ji bo çerxên yekbûyî yên mezin. Ew xwedan paqijiya bilind, berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê, hişkbûna hewayê ya baş û taybetmendiyên din ên materyalê yên hêja heye.

Serlêdan û karanîna hilberê

Kişandina bingehîn a grafît ji bo mezinbûna epîtaksial a silicon a krîstal Minasib ji bo makîneyên Aixtron, hwd Stûrahiya pêlavê: 90 ~ 150um Dirêjahiya kratera waferê 55 mm e.

SOLAR FOTOVOLTAIC

GAupidpelitcubaetiaonnd

xêzkirina xaça grafîtji bo silicon yek krîstal bi rêbaza rasterast-kêşanê

Hilberîna pîşesaziyê ya silicon a krîstal bi rêbaza rasterast-kêşanê,çerxa sê-petalwekî beşên hilgirtina germahiya bilind û beşên guheztina germê ya yekgirtî, lûleya herikînê wekî kanala gerîdeya gaza deravê beşên rêgirtina germê, lûleya herikînê wekî kanala gerîdeya gazê

GERMAKIR, PLATE GRAFÎT, SILÎNDERÊ GRAFÎT, PELÊ GRAFÎT ÛPARÇÊN DIN SHAPED

Taybetmendiyên hilberê

Berxwedana germahiya bilind, berxwedana korozyonê, jiyana karûbarê dirêj, dikare kalîte û hilberîna waferê baştir bike. Digel hevbera berfirehbûna germî ya pir kêm, berxwedana germahiya bilind, berxwedana lixwekirina bilind, îzolasyonek baş, aramiya kîmyewî ya baş, nêzîkê binefşî (sor) li derveyî ronahiya xuyayî.

Çima me hilbijêrin

Amûr û tîmek profesyonel

Class 1000 atolyeya bê toz

*zêdetir ji 3000 metre çargoşe atolyeya 1000 pola bê toz

*Tîma R & D ya Hevkariyê ya Akademiya Zanistî ya Chineseînî

*Amûrên hilberîna pispor û ceribandina rastîn

*Kapasîteya hilberîna têr û bi kalîte

Xizmeta Zû

Ji bo heyama berî fermanê, tîmê meya firotanê ya profesyonel dikare di nav 50-100 hûrdeman de di dema xebatê de û di nav 12 demjimêran de di dema nêzîk de bersiva we bide. Bersiva bilez û profesyonel dê ji we re bibe alîkar ku hûn muwekîlê xwe bi vebijarkek bêkêmasî bi karbidestiya bilind qezenc bikin.

Ji bo qonaxa fermanê, tîmê meya karûbarê profesyonel dê her 3-5 rojan carekê ji bo nûvekirina agahdariya destê weya yekem a hilberînê wêneyan bigire û di nav 36 demjimêran de belgeyan peyda bike da ku pêşveçûna barkirinê nûve bike. Em bala xwe didin karûbarê piştî firotanê.

Ji bo qonaxa piştî firotanê, tîmê karûbarê me her gav pêwendiya nêzîk bi we re digire û her gav di xizmeta we de ye. Karûbarê meya piştî firotanê ya profesyonel di heman demê de endazyarên me jî dihewîne da ku ji we re bibe alîkar ku hûn pirsgirêkên li ser malperê çareser bikin. Garantiya me piştî radestkirinê 12 meh e.

Detayên pakkirinê

Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd hilberînerek pispor e ji bo parçeyên grafît, nemaze di pêşkeftina materyalên nîvconductor yên nû de û balê dikişîne ser lêkolîn û pêşkeftina pêlava SiC. Berhemên sereke yên pargîdaniyê ji bo pîşesaziya LED û pîşesaziya silicon monocrystalline susceptorên pêçandî yên SiC ne. Fîlma SiC ya ku ji bo pîşesaziya LED-ê û pîşesaziya silicon monokrîstal tê bikar anîn qonaxek kubî ye, ku xwedan heman strukturê tîrêjê wekî almas e, û hişkiya wê tenê bi qasî elmasê baş e. Karbîd a silicon materyalê nîvconduktorê ya bendika fireh a herî gihîştî ye, û di pîşesaziya nîvconductor de xwedan perspektîfên serîlêdana berfireh e. Digel vê yekê, karbîd silicon xwedan guheztinek germî ya bilind, rêjeyek berfirehbûna germî ya piçûk, berxwedana germahiya bilind (nêzîkî 2700 pileya Celsius), û berxwedana korozyonê ya hêja heye. Berhemên pêvekirina silicon carbide ya pargîdaniyê di heman demê de bi berfirehî di pîşesaziyên hewa, pîşesaziya fotovoltaîk, enerjiya nukleerî, rêwîtiya bilez, otomobîl û pîşesaziyên din de têne bikar anîn.

FAQs

Rêjeya we ya hindiktirîn heye?

Erê, em ji hemî fermanên navneteweyî hewce dikin ku hêjmarek hindiktirîn fermana domdar hebe.

Hûn dikarin belgeyên têkildar peyda bikin?

Erê, em dikarin piraniya belgeyan, tevî Sertîfîkayên Analîzê / Hevgirtinê, peyda bikin; Sixorte; Origin, û belgeyên din ên hinardekirinê yên ku hewce ne.

Dema rêberiya navîn çi ye?

Ji bo nimûneyan, dema rêberiyê nêzîkî 7 rojan e. Ji bo hilberîna girseyî, dema rêberiyê 15-25 roj piştî wergirtina dravê depoyê ye. Demên rêberiyê dema ku me emaneta we werdigire bandor dibe, û ji bo hilberên we pejirandina weya paşîn heye. Di hemû rewşan de em ê hewl bidin ku hewcedariyên we bicîh bînin. Di pir rewşan de em dikarin wiya bikin.

Hûn çi celeb awayên dravdanê qebûl dikin?

Hûn dikarin drav bidin hesabê meya bankê, Western Union an PayPal:
30% spartinê pêşî, 70% balansa berî barkirinê an li dijî kopiya B/L.

Garantiya hilberê çi ye?

Em materyal û xebata xwe garantî dikin. Pabendbûna me ew e ku hûn bi hilberên me razî bibin. Di garantiyê de an na, çanda pargîdaniya me ye ku hemî pirsgirêkên xerîdar ji bo razîbûna her kesî çareser bike û çareser bike.

Ma hûn radestkirina hilberan bi ewle û ewledar garantî dikin?

Erê, em her gav pakkirina hinardekirina kalîteya bilind bikar tînin. Em di heman demê de ji bo tiştên xeternak pakêtên xeternak ên pispor û ji bo tiştên hesas ên germahiyê barkêşên hilanîna sar ên pejirandî bikar tînin. Pêdiviyên pakkirina pispor û ne-standard a pakkirinê dibe ku heqê zêde hebe.

Çawa heqê barkirinê?

Mesrefa barkirinê bi awayê ku hûn hildibijêrin ve girêdayî ye. Express bi gelemperî riya herî bilez lê di heman demê de herî biha ye. Bi barkêşiya deryayê ji bo mîqdarên mezin çareseriya çêtirîn e. Tam rêjeyên barkêşiyê em dikarin tenê bidin we heke em hûrguliyên mîqdar, giranî û rê zanibin. Ji kerema xwe ji bo bêtir agahdarî bi me re têkilî daynin.