소식

SiC 마이크로 파우더는 어떻게 만들어지나요?
24-05-13에 관리자가 작성
SiC 단결정은 Si와 C 두 원소가 화학양론비 1:1로 구성된 IV-IV족 화합물 반도체 소재입니다. 경도는 다이아몬드에 이어 두 번째입니다. SiC를 제조하기 위한 산화규소의 탄소 감소 방법은 주로 다음과 같은 화학 반응식을 기반으로 합니다.
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에피택셜 레이어는 반도체 장치에 어떻게 도움이 되나요?
24-05-13에 관리자가 작성
에피택셜 웨이퍼라는 이름의 유래 먼저 작은 개념을 대중화해 보겠습니다. 웨이퍼 준비에는 기판 준비와 에피택셜 프로세스라는 두 가지 주요 링크가 포함됩니다. 기판은 반도체 단결정 소재로 만들어진 웨이퍼이다. 기판은 웨이퍼 제조 공정에 직접 들어갈 수 있습니다.
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화학기상증착(CVD) 박막증착 기술 소개
2006년 5월 24일 관리자가 작성
화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)은 다양한 기능성 필름과 박층 재료를 제조하는 데 자주 사용되는 중요한 박막 증착 기술로, 반도체 제조 및 기타 분야에서 널리 사용됩니다. 1. CVD의 작동 원리 CVD 공정에서는 가스 전구체(하나 또는...
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광전지 반도체 산업 뒤에 숨은 '블랙 골드' 비밀: 등방성 흑연에 대한 열망과 의존
2006년 5월 24일 관리자가 작성
등방성 흑연은 광전지 및 반도체에서 매우 중요한 재료입니다. 국내 등방흑연 기업의 급속한 성장으로 중국 내 외국 기업의 독점이 무너졌습니다. 지속적인 독립적인 연구 개발과 기술 혁신을 통해 ...
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반도체 세라믹 제조에서 흑연 보트의 필수 특성 공개
24-04-22에 관리자가 작성
흑연 보트라고도 알려진 흑연 보트는 반도체 세라믹 제조의 복잡한 공정에서 중요한 역할을 합니다. 이러한 특수 용기는 고온 처리 중에 반도체 웨이퍼의 안정적인 캐리어 역할을 하여 정밀하고 제어된 처리를 보장합니다. 와 함께 ...
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퍼니스 튜브 장비의 내부 구조가 자세히 설명되어 있습니다.
24-04-22에 관리자가 작성
위에 표시된 대로 전형적인 전반부입니다. ▪ 가열 요소(가열 코일): 로 튜브 주위에 위치하며 일반적으로 저항선으로 만들어지며 로 튜브 내부를 가열하는 데 사용됩니다. ▪ 석영관(Quartz Tube): 고온산화로의 핵심으로 고온에 견딜 수 있는 고순도 석영으로 제작되었습니다.
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SiC 기판 및 에피택셜 재료가 MOSFET 장치 특성에 미치는 영향
24-04-16에 관리자가 작성
삼각형 결함 삼각형 결함은 SiC 에피택셜 층에서 가장 치명적인 형태학적 결함입니다. 다수의 문헌 보고에 따르면 삼각형 결함의 형성은 3C 결정 형태와 관련이 있는 것으로 나타났습니다. 그러나 다양한 성장 메커니즘으로 인해 많은 식물의 형태가...
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SiC 탄화규소 단결정 성장
24-04-16에 관리자가 작성
탄화규소는 발견된 이후 광범위한 관심을 끌었습니다. 탄화규소는 반 Si 원자와 반 C 원자로 구성되며, 이는 sp3 하이브리드 궤도를 공유하는 전자쌍을 통해 공유 결합으로 연결됩니다. 단결정의 기본 구조 단위에서 4개의 Si 원자는 ...
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흑연 막대의 VET 탁월한 특성
2008년 4월 24일 관리자가 작성
탄소의 한 형태인 흑연은 독특한 특성과 광범위한 응용 분야로 알려진 놀라운 소재입니다. 특히 흑연 막대는 탁월한 품질과 다용도로 상당한 인정을 받았습니다. 우수한 열 전도성, 전기 전도성으로...
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