소식

탄화규소 흑연 금형의 특성
24-07-18에 관리자가 작성
실리콘 카바이드 흑연 금형 실리콘 카바이드 흑연 금형은 실리콘 카바이드(SiC)를 베이스로 하고 흑연을 보강재로 사용한 복합 금형입니다. 이 금형은 우수한 열 전도성, 고온 저항, 내식성 및 내마모성을 가지고 있습니다.
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반도체 공정 전체 공정인 포토리소그래피
24-07-16에 관리자가 작성
각 반도체 제품을 제조하려면 수백 개의 공정이 필요합니다. 전체 제조 공정을 웨이퍼 가공-산화-포토리소그래피-에칭-박막 증착-에피택셜 성장-확산-이온 주입의 8단계로 나눕니다. 당신을 돕기 위해 ...
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40억! SK하이닉스, 퍼듀연구소에 반도체 첨단 패키징 투자 발표
2009년 7월 24일 관리자가 작성
인디애나주 웨스트라피엣 – SK하이닉스는 퍼듀 연구단지에 인공지능 제품을 위한 첨단 패키징 제조 및 R&D 시설을 건설하기 위해 약 40억 달러를 투자할 계획이라고 발표했습니다. 웨스트 라파예트(West Lafayett)에 미국 반도체 공급망 핵심 링크 구축…
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레이저 기술은 탄화 규소 기판 처리 기술의 변화를 주도합니다
2008년 7월 24일 관리자가 작성
1. 탄화규소 기판 처리 기술 개요 현재 탄화규소 기판 처리 단계에는 외부 원 연삭, 슬라이싱, 모따기, 연삭, 연마, 세척 등이 포함됩니다. 슬라이싱은 반도체 기판 가공에서 중요한 단계입니다.
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주류 열전계 재료: C/C 복합재료
2001년 7월 24일 관리자에 의해
탄소-탄소 복합재는 탄소 섬유 복합재의 일종으로, 강화재로 탄소 섬유를 사용하고 매트릭스 재료로 증착된 탄소를 사용합니다. C/C 복합재의 매트릭스는 탄소입니다. 거의 전부가 탄소 원소로 구성되어 있어 고온 저항성이 우수합니다.
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SiC 결정 성장을 위한 세 가지 주요 기술
2001년 7월 24일 관리자에 의해
그림 3에서 볼 수 있듯이 SiC 단결정에 높은 품질과 효율성을 제공하는 것을 목표로 하는 세 가지 주요 기술은 LPE(액상 에피택시), PVT(물리적 기상 수송), HTCVD(고온 화학 기상 증착)입니다. PVT는 SiC 죄수 생산을 위한 잘 확립된 공정입니다...
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3세대 반도체 GaN 및 관련 에피택셜 기술 개요
24-06-28에 관리자가 작성
1. 3세대 반도체 1세대 반도체 기술은 Si, Ge 등의 반도체 소재를 기반으로 개발됐다. 이는 트랜지스터 및 집적 회로 기술 개발의 물질적 기반입니다. 1세대 반도체 소재가 초석을 다졌다.
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235억, 쑤저우 슈퍼유니콘 IPO 예정
24-06-28에 관리자가 작성
창업 9년 만에 이노사이언스(Innoscience)는 총 자금조달액이 60억 위안이 넘었고 기업가치는 무려 235억 위안에 이르렀습니다. 투자자 목록은 Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian 등 수십 개의 회사에 달합니다.
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탄탈륨 카바이드 코팅 제품은 어떻게 재료의 내식성을 향상합니까?
24-06-25에 관리자가 작성
탄탈륨 카바이드 코팅은 재료의 내식성을 크게 향상시킬 수 있는 일반적으로 사용되는 표면 처리 기술입니다. 탄탈륨 카바이드 코팅은 화학 기상 증착, 물리 증착 등 다양한 준비 방법을 통해 기판 표면에 부착할 수 있습니다.
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