ტანტალის კარბიდით დაფარული რგოლებიმზადდებატანტალის კარბიდიმასალა შესანიშნავი თვისებებით, როგორიცაა კოროზიის წინააღმდეგობა, მაღალი ტემპერატურის სტაბილურობა, მექანიკური სიმტკიცე და ზედაპირის სიბრტყე. ეს ხდის მათ ფართო გამოყენებას მრავალ სფეროში, როგორიცაა ქიმიური მრეწველობა, აერონავტიკა, ნახევარგამტარების წარმოება და ლაბორატორიული კვლევები.
TaC საფარი არის ტანტალის კარბიდის (TaC) სახის საფარი, რომელიც მომზადებულია ფიზიკური ორთქლის დეპონირების ტექნოლოგიით, მას აქვს შემდეგი მახასიათებლები:
1. მაღალი სიხისტე: TaC საფარის სიმტკიცე მაღალია, ჩვეულებრივ შეიძლება მიაღწიოს 2500-3000HV, არის შესანიშნავი მყარი საფარი.
2. აცვიათ წინააღმდეგობა: TaC საფარი ძალიან აცვიათ მდგრადია, რომელსაც შეუძლია ეფექტურად შეამციროს მექანიკური ნაწილების ცვეთა და დაზიანება გამოყენების დროს.
3. კარგი მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა: TaC საფარი ასევე შეუძლია შეინარჩუნოს თავისი შესანიშნავი შესრულება მაღალი ტემპერატურის გარემოში.
4. კარგი ქიმიური სტაბილურობა: TaC საფარს აქვს კარგი ქიმიური სტაბილურობა და შეუძლია წინააღმდეგობა გაუწიოს ბევრ ქიმიურ რეაქციას, როგორიცაა მჟავები და ფუძეები.
| 碳化钽涂层物理特性物理特性 -ის ფიზიკური თვისებები TaC საფარი | |
| 密度/ სიმჭიდროვე | 14.3 (გ/სმ³) |
| 比辐射率 / სპეციფიკური ემისიურობა | 0.3 |
| 热膨胀系数 / თერმული გაფართოების კოეფიციენტი | 6.3 10-6/K |
| 努氏硬度/ სიმტკიცე (HK) | 2000 HK |
| 电阻 / წინააღმდეგობა | 1×10-5 Ohm * სმ |
| 热稳定性 / თერმული სტაბილურობა | <2500℃ |
| 石墨尺寸变化 / გრაფიტის ზომა იცვლება | -10~-20მმ |
| 涂层厚度 / საფარის სისქე | ≥20მმ ტიპიური მნიშვნელობა (35მ±10მმ) |
Ningbo VET Energy Technology Co., Ltd არის მაღალტექნოლოგიური საწარმო, რომელიც ფოკუსირებულია მაღალი დონის მოწინავე მასალების წარმოებასა და გაყიდვაზე, მასალებსა და ტექნოლოგიაზე, რომელიც მოიცავს გრაფიტს, სილიციუმის კარბიდს, კერამიკას, ზედაპირულ დამუშავებას და ა.შ. პროდუქტები ფართოდ გამოიყენება ფოტოელექტრული, ნახევარგამტარული, ახალი ენერგეტიკის, მეტალურგიაში და ა.შ.
ჩვენი ტექნიკური გუნდი მოდის საუკეთესო შიდა კვლევითი ინსტიტუტებიდან, შეუძლია მოგაწოდოთ უფრო პროფესიონალური მატერიალური გადაწყვეტილებები თქვენთვის.
კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ქარხანაში, მოდით ვისაუბროთ შემდგომში!
