SiC საფარი გრაფიტის MOCVD ვაფლის მატარებლები, გრაფიტის დამჭერებიSiC ეპიტაქსია,
ნახშირბადი ამარაგებს მგრძნობელობას, გრაფიტის ეპიტაქსიის მგრძნობელობა, გრაფიტის დამხმარე სუბსტრატები, MOCVD სუსცეპტორი, SiC ეპიტაქსია, ვაფლის სუსცეპტორები,

ჩვენი SiC-დაფარული გრაფიტის მგრძნობელობის განსაკუთრებული უპირატესობები მოიცავს უკიდურესად მაღალ სისუფთავეს, ერთგვაროვან დაფარვას და შესანიშნავი მომსახურების ვადას. მათ ასევე აქვთ მაღალი ქიმიური წინააღმდეგობა და თერმული სტაბილურობის თვისებები.

გრაფიტის სუბსტრატის SiC საფარი ნახევარგამტარული გამოყენებისთვის წარმოქმნის ნაწილს უმაღლესი სისუფთავით და გამძლეობით ჟანგვის ატმოსფეროს მიმართ.
CVD SiC ან CVI SiC გამოიყენება მარტივი ან რთული დიზაინის ნაწილების გრაფიტზე. საფარი შეიძლება გამოყენებულ იქნას სხვადასხვა სისქეში და ძალიან დიდ ნაწილებზე.

მახასიათებლები:
· შესანიშნავი თერმული შოკის წინააღმდეგობა
· შესანიშნავი ფიზიკური შოკის წინააღმდეგობა
· შესანიშნავი ქიმიური წინააღმდეგობა
· სუპერ მაღალი სისუფთავე
· ხელმისაწვდომობა კომპლექსურ ფორმაში
· გამოყენებადი ჟანგვის ატმოსფეროში

განაცხადი:

ბაზის გრაფიტის მასალის ტიპიური თვისებები:

ნახშირბადი ამარაგებს მგრძნობელობასდა გრაფიტის კომპონენტები ყველა მიმდინარე ეპიტაქსიური რეაქტორისთვის. ჩვენი პორტფელი მოიცავს ლულის მგრძნობელობას დაყენებული და LPE ერთეულებისთვის, ბლინების დამჭერები LPE, CSD და Gemini ერთეულებისთვის, და ერთი ვაფლის დამჭერები გამოყენებული და ASM ერთეულებისთვის. ძლიერი პარტნიორობის შერწყმით წამყვან OEM-ებთან, მასალების ექსპერტიზასთან და წარმოების ნოუ-ჰაუსთან, SGL. გთავაზობთ ოპტიმალურ დიზაინს თქვენი განაცხადისთვის.