SiC დაფარული გრაფიტის გადაცემათა რგოლი

მოკლე აღწერა:

VET Energy SiC დაფარული გრაფიტის გადაცემათა რგოლი არის მაღალი ხარისხის პროდუქტი, რომელიც შექმნილია თანმიმდევრული და საიმედო მუშაობის უზრუნველსაყოფად დიდი ხნის განმავლობაში. მას აქვს სუპერ კარგი სითბოს წინააღმდეგობა და თერმული ერთგვაროვნება, მაღალი სისუფთავე, ეროზიის წინააღმდეგობა, რაც მას სრულყოფილ გადაწყვეტად აქცევს ვაფლის დამუშავების აპლიკაციებისთვის.


  • წარმოშობის ადგილი:ჩინეთი
  • კრისტალური სტრუქტურა:FCCβ ფაზა
  • სიმკვრივე:3,21 გ/სმ;
  • სიმტკიცე:2500 ვიკერსი;
  • ქიმიური სისუფთავე:99,99995%;
  • სითბოს სიმძლავრე:640J·კგ-1·K-1;
  • სუბლიმაციის ტემპერატურა:2700℃;
  • მარცვლეულის ზომა:2~10μm;
  • ფელექსორული სიძლიერე:415 Mpa (RT 4-Point);
  • იანგის მოდული:430 Gpa (4pt მოსახვევი, 1300℃);
  • თერმული გაფართოება (CTE):4.5 10-6K-1;
  • თბოგამტარობა:300 (W/MK);
  • პროდუქტის დეტალი

    პროდუქტის ტეგები

    SiC დაფარული გრაფიტის გადაცემათა რგოლი არის ძირითადი კომპონენტი, რომელიც გამოიყენება სხვადასხვა ნახევარგამტარების წარმოების პროცესში. ჩვენ ვიყენებთ ჩვენს დაპატენტებულ ტექნოლოგიას სილიციუმის კარბიდის მატარებლის დასამზადებლად უკიდურესად მაღალი სისუფთავით, კარგი საფარის ერთგვაროვნებით და შესანიშნავი მომსახურების ვადით, ასევე მაღალი ქიმიური წინააღმდეგობის და თერმული სტაბილურობის თვისებებით.

    VET Energy არის მორგებული გრაფიტისა და სილიციუმის კარბიდის პროდუქტების რეალური მწარმოებელი ზედაპირის დამუშავებით, როგორიცაა SiC საფარი, TaC საფარი, შუშის ნახშირბადის საფარი, პიროლიზური ნახშირბადის საფარი და ა.შ., შეუძლია მიაწოდოს სხვადასხვა მორგებული ნაწილები ნახევარგამტარული და ფოტოელექტრული ინდუსტრიისთვის.

    ჩვენი ტექნიკური გუნდი მოდის საუკეთესო შიდა კვლევითი ინსტიტუტებიდან, შეუძლია მოგაწოდოთ უფრო პროფესიონალური მატერიალური გადაწყვეტილებები თქვენთვის.

    ჩვენ განუწყვეტლივ ვავითარებთ მოწინავე პროცესებს უფრო მოწინავე მასალების უზრუნველსაყოფად და შევიმუშავეთ ექსკლუზიური დაპატენტებული ტექნოლოგია, რომელსაც შეუძლია საფარსა და სუბსტრატს შორის კავშირი უფრო მჭიდროდ და ნაკლებად მიდრეკილი გახადოს მოწყვეტისკენ.

    ჩვენი პროდუქციის მახასიათებლები:

    1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა 1700℃-მდე.
    2. მაღალი სისუფთავე და თერმული ერთგვაროვნება
    3. შესანიშნავი კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.

    4. მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
    5. ხანგრძლივი მომსახურების ვადა და უფრო გამძლე

    CVD SiC薄膜基本物理性能

    CVD SiC-ის ძირითადი ფიზიკური თვისებებისაფარი

    性质 / საკუთრება

    典型数值 / ტიპიური მნიშვნელობა

    晶体结构 / კრისტალური სტრუქტურა

    FCC β ფაზა多晶,主要为(111 წელი

    密度 / სიმჭიდროვე

    3.21 გ/სმ³

    硬度 / სიხისტე

    2500 × 500 გრ დატვირთვა)

    晶粒大小 / მარცვლეულის ზომა

    2 ~ 10 მკმ

    纯度 / ქიმიური სისუფთავე

    99.99995%

    热容 / სითბოს სიმძლავრე

    640 J· კგ-1· კ-1

    升华温度 / სუბლიმაციის ტემპერატურა

    2700℃

    抗弯强度 / Flexural Strength

    415 MPa RT 4-პუნქტიანი

    杨氏模量 / Young's Modulus

    430 Gpa 4pt მოსახვევი, 1300℃

    导热系数 / თერმაგამტარობა

    300 W · მ-1· კ-1

    热膨胀系数 / თერმული გაფართოება (CTE)

    4.5×10-6K-1

    1

    2

    კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს ქარხანაში, მოდით ვისაუბროთ შემდგომში!

    研发团队

     

    生产设备

     

    公司客户

     


  • წინა:
  • შემდეგი:

  • WhatsApp ონლაინ ჩატი!