სიახლეები

რა ტექნიკური ბარიერები აქვს სილიციუმის კარბიდს?Ⅱ
ადმინის მიერ 24-05-22
ტექნიკური სირთულეები სტაბილურად მასობრივი წარმოების მაღალი ხარისხის სილიციუმის კარბიდის ვაფლების სტაბილური ეფექტურობით მოიცავს: 1) ვინაიდან კრისტალები უნდა გაიზარდონ მაღალტემპერატურულ დახურულ გარემოში 2000°C-ზე ზემოთ, ტემპერატურის კონტროლის მოთხოვნები უკიდურესად მაღალია; 2) ვინაიდან სილიციუმის კარბიდს აქვს მეტი ...
დაწვრილებით
რა ტექნიკური ბარიერები აქვს სილიციუმის კარბიდს?
ადმინის მიერ 24-05-22
ნახევარგამტარული მასალების პირველი თაობა წარმოდგენილია ტრადიციული სილიციუმით (Si) და გერმანიუმით (Ge), რომლებიც წარმოადგენს ინტეგრირებული მიკროსქემის წარმოების საფუძველს. ისინი ფართოდ გამოიყენება დაბალი ძაბვის, დაბალი სიხშირის და დაბალი სიმძლავრის ტრანზისტორებსა და დეტექტორებში. ნახევარგამტარების 90%-ზე მეტი...
დაწვრილებით
როგორ მზადდება SiC მიკრო ფხვნილი?
ადმინის მიერ 24-05-13
SiC ერთკრისტალი არის IV-IV ჯგუფის ნაერთი ნახევარგამტარული მასალა, რომელიც შედგება ორი ელემენტისგან, Si და C, სტექიომეტრიული თანაფარდობით 1:1. მისი სიხისტე მხოლოდ ალმასის შემდეგაა. სილიციუმის ოქსიდის ნახშირბადის შემცირების მეთოდი SiC მოსამზადებლად ძირითადად ეფუძნება შემდეგი ქიმიური რეაქციის ფორმულას...
დაწვრილებით
როგორ ეხმარება ეპიტაქსიალური ფენები ნახევარგამტარულ მოწყობილობებს?
ადმინის მიერ 24-05-13
ეპიტაქსიალური ვაფლის სახელწოდების წარმოშობა პირველ რიგში, მოდით გავავრცელოთ მცირე კონცეფცია: ვაფლის მომზადება მოიცავს ორ ძირითად რგოლს: სუბსტრატის მომზადებას და ეპიტაქსიურ პროცესს. სუბსტრატი არის ვაფლი, რომელიც დამზადებულია ნახევარგამტარული ერთკრისტალური მასალისგან. სუბსტრატს შეუძლია პირდაპირ შევიდეს ვაფლის წარმოებაში...
დაწვრილებით
ქიმიური ორთქლის დეპონირების (CVD) თხელი ფირის დეპონირების ტექნოლოგიაში შესავალი
ადმინის მიერ 24-05-06
ქიმიური ორთქლის დეპონირება (CVD) არის თხელი ფირის დეპონირების მნიშვნელოვანი ტექნოლოგია, რომელიც ხშირად გამოიყენება სხვადასხვა ფუნქციური ფილმების და თხელი ფენის მასალების მოსამზადებლად და ფართოდ გამოიყენება ნახევარგამტარების წარმოებაში და სხვა სფეროებში. 1. CVD-ის მუშაობის პრინციპი CVD პროცესში, გაზის წინამორბედი (ერთი ან თ...
დაწვრილებით
"შავი ოქროს" საიდუმლო ფოტოელექტრული ნახევარგამტარული ინდუსტრიის უკან: სურვილი და დამოკიდებულება იზოსტატურ გრაფიტზე
ადმინის მიერ 24-05-06
იზოსტატიკური გრაფიტი არის ძალიან მნიშვნელოვანი მასალა ფოტოელექტროსადგურებში და ნახევარგამტარებში. შიდა იზოსტატიკური გრაფიტის კომპანიების სწრაფი ზრდის გამო, ჩინეთში უცხოური კომპანიების მონოპოლია დაირღვა. უწყვეტი დამოუკიდებელი კვლევისა და განვითარებისა და ტექნოლოგიური მიღწევებით,...
დაწვრილებით
გრაფიტის ნავების ძირითადი მახასიათებლების გამოვლენა ნახევარგამტარული კერამიკის წარმოებაში
ადმინის მიერ 24-04-22
გრაფიტის ნავები, ასევე ცნობილი როგორც გრაფიტის ნავები, გადამწყვეტ როლს თამაშობენ ნახევარგამტარული კერამიკის წარმოების რთულ პროცესებში. ეს სპეციალიზებული ჭურჭელი ემსახურება როგორც საიმედო მატარებლებს ნახევარგამტარული ვაფლისთვის მაღალი ტემპერატურის დამუშავების დროს, რაც უზრუნველყოფს ზუსტ და კონტროლირებად დამუშავებას. თან...
დაწვრილებით
დეტალურად არის ახსნილი ღუმელის მილის აღჭურვილობის შიდა სტრუქტურა
ადმინის მიერ 24-04-22
როგორც ზემოთ ნაჩვენებია, არის ტიპიური პირველი ნახევარი: გამაცხელებელი ელემენტი (გამათბობელი კოჭა): მდებარეობს ღუმელის მილის გარშემო, ჩვეულებრივ დამზადებულია წინააღმდეგობის მავთულისგან, რომელიც გამოიყენება ღუმელის მილის შიგნით გასათბობად. კვარცის მილი: ცხელი ჟანგვის ღუმელის ბირთვი, დამზადებულია მაღალი სისუფთავის კვარცისგან, რომელსაც შეუძლია გაუძლოს მაღალ...
დაწვრილებით
SiC სუბსტრატისა და ეპიტაქსიალური მასალების ზემოქმედება MOSFET მოწყობილობის მახასიათებლებზე
ადმინის მიერ 24-04-16
სამკუთხა დეფექტი სამკუთხა დეფექტები არის ყველაზე ფატალური მორფოლოგიური დეფექტები SiC ეპიტაქსიალურ შრეებში. ლიტერატურულმა მოხსენებებმა აჩვენა, რომ სამკუთხა დეფექტების წარმოქმნა დაკავშირებულია 3C კრისტალურ ფორმასთან. თუმცა, ზრდის სხვადასხვა მექანიზმის გამო, მრავალი ტრის მორფოლოგია...
დაწვრილებით