ჩვენ ვაპირებთ ვალდებულებას მივაწოდოთ ჩვენს პატივცემულ მყიდველებს ყველაზე ენთუზიაზმით ყურადღებიანი გადაწყვეტილებები სწრაფი მიწოდებისთვის ჩინეთის ცხელი გაყიდვები მაღალი სისუფთავის გრაფიტის მასალა 30-99.9% ექსტრუდირებულიგრაფიტის როდიერთი სიტყვით, როცა გვირჩევ, დიდ ცხოვრებას ირჩევ. კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება ჩვენს საწარმოო ქარხანაში და მიესალმეთ თქვენს შეძენას! დამატებითი კითხვებისთვის, დარწმუნდით, რომ არ დაელოდოთ ჩვენთან დაკავშირებას.
ჩვენ ვაპირებთ ვალდებულებას მივცეთ ჩვენს პატივცემულ მყიდველებს ყველაზე ენთუზიაზმით ყურადღებიანი გადაწყვეტილებებიჩინეთის ექსტრუდირებული გრაფიტის ღერო, გრაფიტის როდი, ჩვენი ბიზნეს აქტივობები და პროცესები შემუშავებულია იმისთვის, რომ ჩვენს მომხმარებლებს ჰქონდეთ წვდომა პროდუქტებისა და გადაწყვეტილებების ფართო სპექტრზე უმოკლეს მიწოდების დროის ხაზებით. ეს მიღწევა შესაძლებელი გახდა ჩვენი მაღალკვალიფიციური და გამოცდილი გუნდის მიერ. ჩვენ ვეძებთ ადამიანებს, რომლებსაც სურთ ჩვენთან ერთად გაიზარდონ მთელს მსოფლიოში და გამოირჩეოდნენ ბრბოსგან. ახლა ჩვენ გვყავს ადამიანები, რომლებიც ითვისებენ ხვალინდელ დღეს, აქვთ ხედვა, უყვართ გონების გაშლა და სცილდებიან იმაზე შორს, რაც მათ მიღწევად მიაჩნდათ.
ნახშირბადის / ნახშირბადის კომპოზიტები(შემდგომში "C/C ან CFC”) არის ერთგვარი კომპოზიციური მასალა, რომელიც დაფუძნებულია ნახშირბადზე და გამაგრებულია ნახშირბადის ბოჭკოებით და მისი პროდუქტებით (ნახშირბადის ბოჭკოვანი პრეფორმა). მას აქვს როგორც ნახშირბადის ინერცია, ასევე ნახშირბადის ბოჭკოს მაღალი სიძლიერე. მას აქვს კარგი მექანიკური თვისებები, სითბოს წინააღმდეგობა, კოროზიის წინააღმდეგობა, ხახუნის დამთრგუნველი და თერმული და ელექტრული გამტარობის მახასიათებლები.
CVD-SiCსაფარი აქვს ერთიანი სტრუქტურის, კომპაქტური მასალის, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობის, ჟანგვის წინააღმდეგობის, მაღალი სისუფთავის, მჟავა და ტუტე წინააღმდეგობის და ორგანული რეაგენტის მახასიათებლები, სტაბილური ფიზიკური და ქიმიური თვისებებით.
მაღალი სისუფთავის გრაფიტის მასალებთან შედარებით, გრაფიტი იწყებს ჟანგვას 400C ტემპერატურაზე, რაც გამოიწვევს ფხვნილის დაკარგვას დაჟანგვის გამო, რაც გამოიწვევს გარემოს დაბინძურებას პერიფერიული მოწყობილობებისა და ვაკუუმ კამერებისთვის და გაზრდის მაღალი სისუფთავის გარემოს მინარევებს.
თუმცა, SiC საფარს შეუძლია შეინარჩუნოს ფიზიკური და ქიმიური სტაბილურობა 1600 გრადუსზე, იგი ფართოდ გამოიყენება თანამედროვე ინდუსტრიაში, განსაკუთრებით ნახევარგამტარულ ინდუსტრიაში.
ჩვენი კომპანია გთავაზობთ SiC საფარის პროცესის სერვისებს CVD მეთოდით გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების, დაფარული მასალების ზედაპირზე დეპონირებული მოლეკულების მისაღებად. SIC დამცავი ფენის ფორმირება. ჩამოყალიბებული SIC მყარად არის მიბმული გრაფიტის ფუძესთან, რაც აძლევს გრაფიტის ფუძეს განსაკუთრებულ თვისებებს, რითაც ხდება გრაფიტის ზედაპირი კომპაქტური, ფოროზული, მაღალი ტემპერატურის წინააღმდეგობა, კოროზიის წინააღმდეგობა და დაჟანგვის წინააღმდეგობა.
ძირითადი მახასიათებლები:
1. მაღალი ტემპერატურის ჟანგვის წინააღმდეგობა:
ჟანგვის წინააღმდეგობა ჯერ კიდევ ძალიან კარგია, როდესაც ტემპერატურა 1600 C-მდეა.
2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.
3. ეროზიის წინააღმდეგობა: მაღალი სიხისტე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
4. კოროზიის წინააღმდეგობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
CVD-SIC საფარების ძირითადი სპეციფიკაციები:
| SiC-CVD | ||
| სიმჭიდროვე | (გ/კმ)
| 3.21 |
| მოქნილობის სიმტკიცე | (მპა)
| 470 |
| თერმული გაფართოება | (10-6/K) | 4
|
| თბოგამტარობა | (W/mK) | 300
|
