ჩვენი საქონელი ფართოდ აღიარებული და საიმედოა მომხმარებლების მიერ და შეუძლია დააკმაყოფილოს ქარხნის ფინანსური და სოციალური მოთხოვნების მუდმივი ცვალებადობა პირდაპირ China Green-ში.სიკსილიციუმის კარბიდის ფხვნილი JIS სტანდარტია, ამიტომ, ჩვენ შეგვიძლია ვუპასუხოთ სხვადასხვა კლიენტის შეკითხვებს. არ დაგავიწყდეთ ჩვენი ვებგვერდის დათვალიერება, რათა გაეცნოთ ჩვენს პროდუქციასთან დაკავშირებულ დამატებით ინფორმაციას.
ჩვენი პროდუქცია ფართოდ არის აღიარებული და საიმედო მომხმარებლების მიერ და შეუძლია დააკმაყოფილოს მუდმივად ცვალებადი ფინანსური და სოციალური მოთხოვნები.ჩინეთის სილიკონის კარბიდი, სიკჩვენი კომპანია ყოველთვის ვალდებულია დააკმაყოფილოს თქვენი მოთხოვნები ხარისხზე, ფასებსა და გაყიდვების სამიზნე ნიშნულზე. გულითადად მოგესალმებით, თუ კომუნიკაციის საზღვრებს გახსნით. დიდი სიამოვნებით მოგემსახურებით, თუ დაგჭირდებათ სანდო მომწოდებელი და ღირებული ინფორმაცია.
ნახშირბადი / ნახშირბადის კომპოზიტები(შემდგომში მოხსენიებული, როგორც „C / C ან CFC) არის ნახშირბადზე დაფუძნებული და ნახშირბადის ბოჭკოთი და მისი პროდუქტებით (ნახშირბადის ბოჭკოს პრეფორმით) გამაგრებული კომპოზიტური მასალის სახეობა. მას აქვს როგორც ნახშირბადის ინერცია, ასევე ნახშირბადის ბოჭკოს მაღალი სიმტკიცე. მას აქვს კარგი მექანიკური თვისებები, თბოგამძლეობა, კოროზიისადმი მდგრადობა, ხახუნისადმი დემპფერაცია და თბო და ელექტროგამტარობის მახასიათებლები.
CVD-SiCსაფარს ახასიათებს ერთგვაროვანი სტრუქტურა, კომპაქტური მასალა, მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადობა, დაჟანგვისადმი მდგრადობა, მაღალი სისუფთავე, მჟავასა და ტუტეზე მდგრადობა და ორგანული რეაგენტი, სტაბილური ფიზიკური და ქიმიური თვისებებით.
მაღალი სისუფთავის გრაფიტის მასალებთან შედარებით, გრაფიტი იწყებს დაჟანგვას 400°C-ზე, რაც იწვევს ფხვნილის დაკარგვას დაჟანგვის გამო, რაც იწვევს პერიფერიული მოწყობილობებისა და ვაკუუმური კამერების გარემოს დაბინძურებას და მაღალი სისუფთავის გარემოში მინარევების ზრდას.
თუმცა, SiC საფარს შეუძლია შეინარჩუნოს ფიზიკური და ქიმიური სტაბილურობა 1600 გრადუსზე, ის ფართოდ გამოიყენება თანამედროვე ინდუსტრიაში, განსაკუთრებით ნახევარგამტარული ინდუსტრიაში.
ჩვენი კომპანია უზრუნველყოფს SiC საფარის დამუშავების პროცესს გრაფიტის, კერამიკის და სხვა მასალების ზედაპირზე CVD მეთოდით, ისე, რომ ნახშირბადის და სილიციუმის შემცველი სპეციალური აირები რეაგირებენ მაღალ ტემპერატურაზე მაღალი სისუფთავის SiC მოლეკულების მისაღებად, რომლებიც ილექება დაფარული მასალების ზედაპირზე და ქმნის SIC დამცავ ფენას. წარმოქმნილი SIC მყარად არის მიმაგრებული გრაფიტის ფუძეზე, რაც ანიჭებს გრაფიტის ფუძეს განსაკუთრებულ თვისებებს, რაც გრაფიტის ზედაპირს ხდის კომპაქტურს, ფორიანობისგან თავისუფალს, მაღალი ტემპერატურისადმი მდგრადს, კოროზიისადმი მდგრადს და დაჟანგვისადმი მდგრადს.
ძირითადი მახასიათებლები:
1. მაღალი ტემპერატურის დაჟანგვის წინააღმდეგობა:
დაჟანგვისადმი მდგრადობა კვლავ ძალიან კარგია 1600°C-მდე ტემპერატურის დროსაც.
2. მაღალი სისუფთავე: დამზადებულია ქიმიური ორთქლის დეპონირებით მაღალი ტემპერატურის ქლორირების პირობებში.
3. ეროზიისადმი მდგრადობა: მაღალი სიმტკიცე, კომპაქტური ზედაპირი, წვრილი ნაწილაკები.
4. კოროზიისადმი მდგრადობა: მჟავა, ტუტე, მარილი და ორგანული რეაგენტები.
CVD-SIC საფარის ძირითადი სპეციფიკაციები:
| SiC-CVD | ||
| სიმჭიდროვე | (გ/სმ3)
| 3.21 |
| მოხრის სიმტკიცე | (მპა)
| 470 |
| თერმული გაფართოება | (10-6/კგ) | 4
|
| თბოგამტარობა | (ვტ/მკ) | 300
|
