2022 წლის მაღალი ხარისხის MOCVD სუსცეპტორი იყიდეთ ონლაინ ჩინეთში, Sic Graphite ეპიტაქსიის მგრძნობელობა,
გრაფიტის დამხმარე სუბსტრატები, გრაფიტის მგრძნობელობა, გრაფიტის მგრძნობელობა SiC ეპიტაქსიისთვის, გრაფიტის მგრძნობელობა სილიკონისთვის, გრაფიტის მგრძნობელობა სილიციუმის კარბიდის საფარით, გრაფიტის ხელსაწყოები ნახევარგამტარში გრაფიტის უჯრებში გრაფიტის ვაფლის სუსცეპტორები მაღალი სისუფთავის გრაფიტის ხელსაწყოები ოპტოელექტრონიკა, სატელიტური პლატფორმები MOCVD-სთვის, SiC დაფარული გრაფიტის სატელიტური პლატფორმები MOCVD-სთვის,

ჩვენი SiC-დაფარული გრაფიტის მგრძნობელობის განსაკუთრებული უპირატესობები მოიცავს უაღრესად მაღალ სისუფთავეს, ერთგვაროვან დაფარვას და შესანიშნავი მომსახურების ვადას.მათ ასევე აქვთ მაღალი ქიმიური წინააღმდეგობა და თერმული სტაბილურობის თვისებები.

გრაფიტის სუბსტრატის SiC საფარი ნახევარგამტარული გამოყენებისთვის წარმოქმნის ნაწილს უმაღლესი სისუფთავით და გამძლეობით ჟანგვის ატმოსფეროს მიმართ.
CVD SiC ან CVI SiC გამოიყენება მარტივი ან რთული დიზაინის ნაწილების გრაფიტზე.საფარი შეიძლება გამოყენებულ იქნას სხვადასხვა სისქეში და ძალიან დიდ ნაწილებზე.

Მახასიათებლები:
· შესანიშნავი თერმული დარტყმის წინააღმდეგობა
· შესანიშნავი ფიზიკური შოკის წინააღმდეგობა
· შესანიშნავი ქიმიური წინააღმდეგობა
· სუპერ მაღალი სისუფთავე
· ხელმისაწვდომობა კომპლექსურ ფორმაში
· გამოყენებადი ჟანგვის ატმოსფეროში

ბაზის გრაფიტის მასალის ტიპიური თვისებები:

ნახშირბადი აწვდის მგრძნობელობას და გრაფიტის კომპონენტებს ყველა მიმდინარე ეპიტაქსიური რეაქტორისთვის.ჩვენი პორტფელი მოიცავს ლულის მგრძნობელობას დაყენებული და LPE ერთეულებისთვის, ბლინების დამჭერები LPE, CSD და Gemini ერთეულებისთვის, და ერთი ვაფლის დამჭერები გამოყენებული და ASM ერთეულებისთვის. ძლიერი პარტნიორობის შერწყმით წამყვან OEM-ებთან, მასალების ექსპერტიზასთან და წარმოების ნოუ-ჰაუსთან, SGL. გთავაზობთ ოპტიმალურ დიზაინს თქვენი განაცხადისთვის.