produkDkatrangan
Silicon carbide Wafer Boat akeh digunakake minangka wafer wafer ing proses difusi suhu dhuwur.
Kaluwihan:
Tahan suhu dhuwur:nggunakake normal ing 1800 ℃
Konduktivitas termal sing dhuwur:padha karo materi grafit
kekerasan dhuwur:kekerasan kapindho mung kanggo berlian, boron nitride
tahan korosi:asam kuwat lan alkali ora karat, resistance karat luwih apik tinimbang tungsten karbida lan alumina.
bobot entheng:Kapadhetan kurang, cedhak karo aluminium
Ora ana deformasi: koefisien ekspansi termal kurang
resistance kejut termal:bisa tahan owah-owahan suhu sing cetha, nolak kejut termal, lan nduweni kinerja sing stabil
Sifat Fisik SiC
Properti | Nilai | Metode |
Kapadhetan | 3,21 g/cc | Sink-float lan dimensi |
Panas spesifik | 0,66 J/g °K | Lampu kilat laser pulsa |
Kekuatan lentur | 450 MPa 560 MPa | 4 titik tikungan, RT4 titik tikungan, 1300° |
Ketangguhan fraktur | 2,94 MPa m1/2 | Microindentation |
Kekerasan | 2800 | Vicker's, 500g ngemot |
Modulus Elastis Modulus Muda | 450 GPa430 GPa | 4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C |
Ukuran gandum | 2 – 10 µm | SEM |
Sifat termal SiC
Konduktivitas termal | 250 W/m °K | Metode lampu kilat laser, RT |
Thermal Expansion (CTE) | 4,5 x 10-6 °K | Suhu kamar nganti 950 ° C, silika dilatometer |