Notizia

Come viene prodotta la micropolvere SiC?
da admin il 24-05-13
Il cristallo singolo SiC è un materiale semiconduttore composto del Gruppo IV-IV composto da due elementi, Si e C, in un rapporto stechiometrico di 1:1. La sua durezza è seconda solo a quella del diamante. Il metodo di riduzione del carbonio dell'ossido di silicio per preparare il SiC si basa principalmente sulla seguente formula di reazione chimica...
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In che modo gli strati epitassiali aiutano i dispositivi a semiconduttore?
da admin il 24-05-13
L'origine del nome wafer epitassiale Innanzitutto, divulghiamo un piccolo concetto: la preparazione del wafer comprende due collegamenti principali: preparazione del substrato e processo epitassiale. Il substrato è un wafer realizzato in materiale semiconduttore monocristallino. Il substrato può entrare direttamente nel produttore di wafer...
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Introduzione alla tecnologia di deposizione di film sottili mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD).
da admin il 24-05-06
La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è un'importante tecnologia di deposizione di film sottili, spesso utilizzata per preparare vari film funzionali e materiali a strato sottile, ed è ampiamente utilizzata nella produzione di semiconduttori e in altri campi. 1. Principio di funzionamento della CVD Nel processo CVD, un precursore di gas (uno o...
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Il segreto dell’”oro nero” dietro l’industria dei semiconduttori fotovoltaici: il desiderio e la dipendenza dalla grafite isostatica
da admin il 24-05-06
La grafite isostatica è un materiale molto importante nel fotovoltaico e nei semiconduttori. Con la rapida ascesa delle aziende nazionali di grafite isostatica, il monopolio delle aziende straniere in Cina è stato rotto. Con la continua ricerca e sviluppo indipendenti e le scoperte tecnologiche, il ...
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Presentazione delle caratteristiche essenziali delle imbarcazioni in grafite nella produzione di ceramiche a semiconduttore
da admin il 24-04-22
Le barche in grafite, note anche come barche in grafite, svolgono un ruolo cruciale negli intricati processi di produzione della ceramica semiconduttrice. Queste navi specializzate fungono da trasportatori affidabili per i wafer semiconduttori durante i trattamenti ad alta temperatura, garantendo una lavorazione precisa e controllata. Con ...
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La struttura interna dell'attrezzatura del tubo del forno è spiegata in dettaglio
da admin il 24-04-22
Come mostrato sopra, è una tipica La prima metà: ▪ Elemento riscaldante (serpentina di riscaldamento): situato attorno al tubo del forno, solitamente costituito da fili di resistenza, utilizzato per riscaldare l'interno del tubo del forno. ▪ Tubo al quarzo: il nucleo di un forno di ossidazione a caldo, realizzato in quarzo di elevata purezza in grado di resistere...
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Effetti del substrato SiC e dei materiali epitassiali sulle caratteristiche del dispositivo MOSFET
da admin il 24-04-16
Difetto triangolare I difetti triangolari sono i difetti morfologici più fatali negli strati epitassiali di SiC. Un gran numero di rapporti in letteratura hanno dimostrato che la formazione di difetti triangolari è correlata alla forma cristallina 3C. Tuttavia, a causa dei diversi meccanismi di crescita, la morfologia di molti...
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Crescita del monocristallo di carburo di silicio SiC
da admin il 24-04-16
Sin dalla sua scoperta, il carburo di silicio ha attirato l'attenzione di molti. Il carburo di silicio è composto da metà atomi di Si e metà atomi di C, che sono collegati da legami covalenti tramite coppie di elettroni che condividono orbitali ibridi sp3. Nell'unità strutturale di base del suo singolo cristallo, quattro atomi di Si sono...
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Proprietà eccezionali VET delle barre di grafite
da admin il 24-04-08
La grafite, una forma di carbonio, è un materiale straordinario noto per le sue proprietà uniche e l'ampia gamma di applicazioni. Le canne in grafite, in particolare, hanno ottenuto importanti riconoscimenti per le loro eccezionali qualità e versatilità. Con la loro eccellente conduttività termica, conduttività elettrica...
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Come viene prodotta la micropolvere SiC?

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