Notizia

Quali sono i difetti dello strato epitassiale di carburo di silicio
da admin il 24-06-05
La tecnologia principale per la crescita dei materiali epitassiali SiC è in primo luogo la tecnologia di controllo dei difetti, in particolare per la tecnologia di controllo dei difetti che è soggetta a guasti del dispositivo o al degrado dell'affidabilità. Lo studio del meccanismo dei difetti del substrato che si estendono all'epi...
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Grano in piedi ossidato e tecnologia di crescita epitassiale-Ⅱ
da admin il 24-05-30
2. Crescita epitassiale del film sottile Il substrato fornisce uno strato di supporto fisico o uno strato conduttivo per i dispositivi di potenza Ga2O3. Il successivo strato importante è lo strato canale o strato epitassiale utilizzato per la resistenza alla tensione e il trasporto della portante. Al fine di aumentare la tensione di rottura e ridurre al minimo le con...
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Tecnologia di crescita epitassiale e cristallo singolo di ossido di gallio
da admin il 24-05-30
I semiconduttori a banda larga (WBG) rappresentati dal carburo di silicio (SiC) e dal nitruro di gallio (GaN) hanno ricevuto ampia attenzione. Le persone hanno grandi aspettative per le prospettive di applicazione del carburo di silicio nei veicoli elettrici e nelle reti elettriche, così come per le prospettive di applicazione del gallio...
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Quali sono gli ostacoli tecnici al carburo di silicio?Ⅱ
da admin il 24-05-22
Le difficoltà tecniche nella produzione stabile di massa di wafer di carburo di silicio di alta qualità con prestazioni stabili includono: 1) Poiché i cristalli devono crescere in un ambiente sigillato ad alta temperatura superiore a 2000°C, i requisiti di controllo della temperatura sono estremamente elevati; 2) Poiché il carburo di silicio ha...
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Quali sono gli ostacoli tecnici al carburo di silicio?
da admin il 24-05-22
La prima generazione di materiali semiconduttori è rappresentata dai tradizionali silicio (Si) e germanio (Ge), che costituiscono la base per la produzione di circuiti integrati. Sono ampiamente utilizzati nei transistor e nei rilevatori a bassa tensione, bassa frequenza e bassa potenza. Oltre il 90% dei prodotti a semiconduttori...
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Come viene prodotta la micropolvere SiC?
da admin il 24-05-13
Il cristallo singolo SiC è un materiale semiconduttore composto del Gruppo IV-IV composto da due elementi, Si e C, in un rapporto stechiometrico di 1:1. La sua durezza è seconda solo al diamante. Il metodo di riduzione del carbonio dell'ossido di silicio per preparare il SiC si basa principalmente sulla seguente formula di reazione chimica...
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In che modo gli strati epitassiali aiutano i dispositivi a semiconduttore?
da admin il 24-05-13
L'origine del nome wafer epitassiale Innanzitutto, divulghiamo un piccolo concetto: la preparazione del wafer comprende due collegamenti principali: preparazione del substrato e processo epitassiale. Il substrato è un wafer realizzato in materiale semiconduttore monocristallino. Il substrato può entrare direttamente nel produttore di wafer...
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Introduzione alla tecnologia di deposizione di film sottili mediante deposizione chimica da fase vapore (CVD).
da admin il 24-05-06
La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è un'importante tecnologia di deposizione di film sottili, spesso utilizzata per preparare vari film funzionali e materiali a strato sottile, ed è ampiamente utilizzata nella produzione di semiconduttori e in altri campi. 1. Principio di funzionamento della CVD Nel processo CVD, un precursore di gas (uno o...
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Il segreto dell’”oro nero” dietro l’industria dei semiconduttori fotovoltaici: il desiderio e la dipendenza dalla grafite isostatica
da admin il 24-05-06
La grafite isostatica è un materiale molto importante nel fotovoltaico e nei semiconduttori. Con la rapida ascesa delle aziende nazionali di grafite isostatica, il monopolio delle aziende straniere in Cina è stato rotto. Con la continua ricerca e sviluppo indipendenti e le scoperte tecnologiche, il ...
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