Notizia

Piedistalli comunemente utilizzati per l'epitassia in fase vapore
da admin il 24-07-30
Durante il processo di epitassia in fase vapore (VPE), il ruolo del piedistallo è quello di supportare il substrato e garantire un riscaldamento uniforme durante il processo di crescita. Diversi tipi di piedistalli sono adatti a diverse condizioni di crescita e sistemi di materiali. Di seguito sono riportati alcuni...
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Come prolungare la durata dei prodotti rivestiti in carburo di tantalio?
da admin il 24-07-26
I prodotti rivestiti in carburo di tantalio sono un materiale ad alta temperatura comunemente usato, caratterizzato da resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione, resistenza all'usura, ecc. Pertanto, sono ampiamente utilizzati in settori come quello aerospaziale, chimico ed energetico. Per es...
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Qual è la differenza tra PECVD e LPCVD nelle apparecchiature CVD a semiconduttore?
da admin il 24-07-24
La deposizione chimica da fase vapore (CVD) si riferisce al processo di deposito di una pellicola solida sulla superficie di un wafer di silicio attraverso una reazione chimica di una miscela di gas. A seconda delle diverse condizioni di reazione (pressione, precursore), può essere suddiviso in varie apparecchiature...
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Caratteristiche dello stampo in grafite di carburo di silicio
da admin il 24-07-18
Stampo in grafite al carburo di silicio Lo stampo in grafite al carburo di silicio è uno stampo composito con carburo di silicio (SiC) come base e grafite come materiale di rinforzo. Questo stampo ha un'eccellente conduttività termica, resistenza alle alte temperature, resistenza alla corrosione e...
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Processo a semiconduttore processo completo di fotolitografia
da admin il 24-07-16
La produzione di ciascun prodotto a semiconduttore richiede centinaia di processi. Dividiamo l'intero processo di produzione in otto fasi: lavorazione del wafer-ossidazione-fotolitografia-incisione-deposizione di film sottile-crescita epitassiale-diffusione-impianto di ioni. Per aiutarti...
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4 miliardi! SK Hynix annuncia investimenti in imballaggi avanzati per semiconduttori presso il Purdue Research Park
da admin il 24-07-09
West Lafayette, Indiana – SK hynix Inc. ha annunciato l'intenzione di investire quasi 4 miliardi di dollari per costruire un impianto avanzato di produzione di imballaggi e di ricerca e sviluppo per prodotti di intelligenza artificiale presso il Purdue Research Park. Creazione di un anello chiave nella catena di fornitura dei semiconduttori statunitense a West Lafayett...
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La tecnologia laser guida la trasformazione della tecnologia di lavorazione dei substrati di carburo di silicio
da admin il 24-07-08
1. Panoramica della tecnologia di lavorazione del substrato di carburo di silicio Le attuali fasi di lavorazione del substrato di carburo di silicio includono: molatura del cerchio esterno, affettatura, smussatura, molatura, lucidatura, pulizia, ecc. L'affettatura è un passo importante nella preparazione del substrato semiconduttore...
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Materiali tradizionali per il campo termico: materiali compositi C/C
da admin il 24-07-01
I compositi carbonio-carbonio sono un tipo di compositi in fibra di carbonio, con la fibra di carbonio come materiale di rinforzo e il carbonio depositato come materiale di matrice. La matrice dei compositi C/C è il carbonio. Poiché è composto quasi interamente da carbonio elementare, ha un'eccellente resistenza alle alte temperature...
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Tre tecniche principali per la crescita dei cristalli SiC
da admin il 24-07-01
Come mostrato in Fig. 3, esistono tre tecniche dominanti che mirano a fornire un singolo cristallo SiC di alta qualità ed efficienza: epitassia in fase liquida (LPE), trasporto fisico di vapore (PVT) e deposizione di vapore chimico ad alta temperatura (HTCVD). PVT è un processo consolidato per la produzione di SiC sin...
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