Wafer epitaksi silikon karbida (SiC) VET Energy adalah bahan semikonduktor celah pita lebar berkinerja tinggi dengan ketahanan suhu tinggi yang sangat baik, frekuensi tinggi, dan karakteristik daya tinggi. Ini adalah substrat ideal untuk perangkat elektronik daya generasi baru. VET Energy menggunakan teknologi epitaksi MOCVD yang canggih untuk menumbuhkan lapisan epitaksi SiC berkualitas tinggi pada substrat SiC, memastikan kinerja luar biasa dan konsistensi wafer.
Wafer Epitaxial Silicon Carbide (SiC) kami menawarkan kompatibilitas yang sangat baik dengan berbagai bahan semikonduktor termasuk Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, dan Substrat SiN. Dengan lapisan epitaksi yang kuat, ia mendukung proses lanjutan seperti pertumbuhan Epi Wafer dan integrasi dengan material seperti Gallium Oxide Ga2O3 dan AlN Wafer, memastikan penggunaan serbaguna di berbagai teknologi. Dirancang agar kompatibel dengan sistem penanganan Kaset standar industri, sistem ini memastikan pengoperasian yang efisien dan efisien di lingkungan fabrikasi semikonduktor.
Lini produk VET Energy tidak terbatas pada wafer epitaksi SiC. Kami juga menyediakan berbagai macam bahan substrat semikonduktor, antara lain Si Wafer, Substrat SiC, Wafer SOI, Substrat SiN, Wafer Epi, dll. Selain itu, kami juga aktif mengembangkan bahan semikonduktor celah pita lebar baru, seperti Gallium Oksida Ga2O3 dan AlN Wafer, untuk memenuhi permintaan industri elektronika daya di masa depan akan perangkat berkinerja lebih tinggi.
SPESIFIKASI WAFERING
*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi
Barang | 8 inci | 6 inci | 4 inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
TV(GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
Busur (GF3YFCD) -Nilai Absolut | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2μm | ||||
Tepi Wafer | miring |
PERMUKAAN SELESAI
*n-Pm=Tipe-n Pm-Grade,n-Ps=n-tipe Ps-Grade,Sl=Semi-isolasi
Barang | 8 inci | 6 inci | 4 inci | ||
nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
Permukaan Selesai | Poles Optik sisi ganda, CMP Si-Wajah | ||||
Kekasaran Permukaan | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Wajah Ra≤0.2nm | |||
Keripik Tepi | Tidak Ada yang Diizinkan (panjang dan lebar≥0,5 mm) | ||||
Indentasi | Tidak Ada yang Diizinkan | ||||
Goresan (Si-Wajah) | Jumlah.≤5, Kumulatif | Jumlah.≤5, Kumulatif | Jumlah.≤5, Kumulatif | ||
Retak | Tidak Ada yang Diizinkan | ||||
Pengecualian Tepi | 3mm |