Pembawa wafer MOCVD grafit pelapis SiC, Susceptor Grafit untuk Epitaxy SiC

Deskripsi Singkat:

 


  • Tempat asal:Zhejiang, Tiongkok (Daratan)
  • Nomor model:Perahu3004
  • Komposisi kimia:Grafit berlapis SiC
  • Kekuatan lentur:470Mpa
  • Konduktivitas termal:300 W/mK
  • Kualitas:Sempurna
  • Fungsi:CVD-SiC
  • Aplikasi:Semikonduktor / Fotovoltaik
  • Kepadatan:3,21 gram/cc
  • Ekspansi termal:4 10-6/K
  • Abu: <5ppm
  • Sampel:Tersedia
  • Kode HS:6903100000
  • Rincian produk

    Label Produk

    Lapisan SiC grafit MOCVD Pembawa wafer,Penerima Grafituntuk Epitaksi SiC,
    Penerus pasokan karbon, reseptor epitaksi, Penerima Grafit,

    Deskripsi Produk

    Lapisan CVD-SiC memiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.

    Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.

    Namun pelapisan SiC dapat menjaga kestabilan fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Hal ini banyak digunakan dalam industri modern, khususnya industri semikonduktor.

    Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC.SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi kompak, bebas Porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi dan tahan oksidasi.

    Aplikasi:

    2

    Fitur utama:

    1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:

    ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1700 C.

    2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.

    3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.

    4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

    Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Kepadatan

    (g/cc)

    3.21

    Kekuatan lentur

    (Mpa)

    470

    Ekspansi termal

    (10-6/K)

    4

    Konduktivitas termal

    (W/mK)

    300

    Kemampuan Pasokan:

    10000 Potongan/potongan per Bulan
    Pengemasan & Pengiriman:
    Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
    Polybag + Kotak + Karton + Pallet
    Pelabuhan:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Waktu Pimpin:

    Jumlah (Potongan) 1 – 1000 >1000
    Est.Waktu (hari) 15 Untuk dinegosiasikan


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!