Pembawa wafer MOCVD grafit pelapis SiC, Susceptor Grafit untuk Epitaxy SiC

Deskripsi Singkat:

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi. CVD SiC atau CVI SiC diterapkan pada Grafit bagian desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diterapkan dalam berbagai ketebalan dan pada bagian yang sangat besar.


  • Tempat Asal:Zhejiang, Tiongkok (Daratan)
  • Nomor Model:Nomor Model:
  • Komposisi Kimia:Grafit berlapis SiC
  • Kekuatan lentur:470Mpa
  • Konduktivitas termal:300 W/mK
  • Kualitas:Sempurna
  • Fungsi:CVD-SiC
  • Aplikasi:Semikonduktor / Fotovoltaik
  • Kepadatan:3,21 gram/cc
  • Ekspansi termal:4 10-6/K
  • Abu: <5ppm
  • Mencicipi:Tersedia
  • Kode HS:6903100000
  • Detil Produk

    Label Produk

    Pembawa wafer MOCVD grafit pelapis SiC, Susceptor Grafit untukEpitaksi SiC,
    Penerus pasokan karbon, Suseptor epitaksi grafit, Substrat pendukung grafit, Penerima MOCVD, Epitaksi SiC, Penerima Wafer,

    Deskripsi Produk

    Keuntungan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami mencakup kemurnian yang sangat tinggi, lapisan homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Mereka juga memiliki ketahanan kimia yang tinggi dan sifat stabilitas termal.

    Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi.
    CVD SiC atau CVI SiC diterapkan pada Grafit bagian desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diterapkan dalam berbagai ketebalan dan pada bagian yang sangat besar.

    Lapisan SiC/Susceptor MOCVD dilapisi

    Fitur:
    · Ketahanan Guncangan Termal yang Sangat Baik
    · Ketahanan Guncangan Fisik Yang Sangat Baik
    · Ketahanan Kimia Yang Sangat Baik
    · Kemurnian Super Tinggi
    · Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
    · Dapat digunakan dalam Suasana Oksidasi

    Aplikasi:

    2

     

    Sifat Khas Bahan Grafit Dasar:

    Kepadatan Tampak: 1,85 gram/cm3
    Resistivitas Listrik: 11 μΩm
    Kekuatan Lentur: 49MPa (500kgf/cm2)
    Kekerasan Pantai: 58
    Abu: <5ppm
    Konduktivitas Termal: 116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

    Penerus pasokan karbondan komponen grafit untuk semua reaktor epitaksi saat ini. Portofolio kami mencakup susceptor barel untuk unit terapan dan LPE, susceptor pancake untuk unit LPE, CSD, dan Gemini, dan susceptor wafer tunggal untuk unit terapan dan ASM. Dengan menggabungkan kemitraan yang kuat dengan OEM terkemuka, keahlian material, dan pengetahuan manufaktur, SGL menawarkan desain optimal untuk aplikasi Anda.

     


  • Sebelumnya:
  • Berikutnya:

  • Obrolan Daring WhatsApp!