Pembawa wafer MOCVD grafit pelapis SiC, Susceptor Grafit untuk Epitaxy SiC,
Penerus pasokan karbon, reseptor epitaksi, Penerima pasokan grafit, Penerima Wafer Grafit,

Lapisan CVD-SiC memiliki karakteristik struktur seragam, bahan kompak, tahan suhu tinggi, tahan oksidasi, kemurnian tinggi, tahan asam & alkali dan reagen organik, dengan sifat fisik dan kimia yang stabil.

Dibandingkan dengan bahan grafit dengan kemurnian tinggi, grafit mulai teroksidasi pada suhu 400C, yang akan menyebabkan hilangnya bubuk karena oksidasi, yang mengakibatkan pencemaran lingkungan pada perangkat periferal dan ruang vakum, serta meningkatkan pengotor pada lingkungan dengan kemurnian tinggi.

Namun pelapisan SiC dapat menjaga kestabilan fisik dan kimia pada suhu 1600 derajat, Hal ini banyak digunakan dalam industri modern, khususnya industri semikonduktor.

Perusahaan kami menyediakan layanan proses pelapisan SiC dengan metode CVD pada permukaan grafit, keramik dan material lainnya, sehingga gas khusus yang mengandung karbon dan silikon bereaksi pada suhu tinggi untuk memperoleh molekul SiC dengan kemurnian tinggi, molekul yang diendapkan pada permukaan bahan yang dilapisi, membentuk lapisan pelindung SIC. SIC yang terbentuk terikat kuat pada dasar grafit, memberikan sifat khusus pada dasar grafit, sehingga membuat permukaan grafit menjadi kompak, bebas Porositas, tahan suhu tinggi, tahan korosi dan tahan oksidasi.

Fitur utama:

1. Ketahanan oksidasi suhu tinggi:

ketahanan oksidasinya masih sangat baik pada suhu setinggi 1700 C.

2. Kemurnian tinggi: dibuat dengan pengendapan uap kimia dalam kondisi klorinasi suhu tinggi.

3. Ketahanan erosi: kekerasan tinggi, permukaan kompak, partikel halus.

4. Ketahanan korosi: asam, alkali, garam dan reagen organik.

Spesifikasi Utama Pelapis CVD-SIC:

Kemampuan Pasokan:

10000 Potongan/potongan per Bulan
Pengemasan & Pengiriman:
Pengepakan: Pengepakan Standar & Kuat
Polybag + Kotak + Karton + Pallet
Pelabuhan:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Waktu Pimpin: