Lapisan SiC dilapisi substrat Grafit untuk Semikonduktor, Lapisan silikon karbida, Susceptor MOCVD

Deskripsi Singkat:

Pelapisan SiC pada substrat Grafit untuk aplikasi Semikonduktor menghasilkan komponen dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi. CVD SiC atau CVI SiC diterapkan pada Grafit bagian desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diterapkan dalam berbagai ketebalan dan pada bagian yang sangat besar.

Tempat Asal:Zhejiang, Tiongkok (Daratan)

Nomor Model:Nomor Model:

Komposisi Kimia:Grafit berlapis SiC

Kekuatan lentur:470Mpa

Konduktivitas termal:300 W/mK

Kualitas:Sempurna

Fungsi:CVD-SiC

Aplikasi:Semikonduktor / Fotovoltaik

Kepadatan:3,21 gram/cc

Ekspansi termal:4 10-6/K

Abu: <5ppm

Mencicipi:Tersedia

Kode HS:6903100000

Kirim email ke kami Unduh sebagai PDF

Detail Produk

Label Produk

Lapisan SiC dilapisiSubstrat grafit untuk Semikonduktor,Lapisan silikon karbida,Penerima MOCVD,
Substrat grafit, Substrat grafit untuk Semikonduktor, Penerima MOCVD, Lapisan Silikon Karbida,

Keuntungan khusus dari susceptor grafit berlapis SiC kami mencakup kemurnian yang sangat tinggi, lapisan homogen, dan masa pakai yang sangat baik. Mereka juga memiliki ketahanan kimia yang tinggi dan sifat stabilitas termal.

Lapisan SiC dariSubstrat grafit untuk Semikonduktoraplikasi menghasilkan bagian dengan kemurnian unggul dan ketahanan terhadap atmosfer pengoksidasi.
CVD SiC atau CVI SiC diterapkan pada Grafit bagian desain sederhana atau kompleks. Pelapisan dapat diterapkan dalam berbagai ketebalan dan pada bagian yang sangat besar.

Lapisan SiC/Susceptor MOCVD dilapisi

Fitur:
· Ketahanan Guncangan Termal yang Sangat Baik
· Ketahanan Guncangan Fisik Yang Sangat Baik
· Ketahanan Kimia Yang Sangat Baik
· Kemurnian Super Tinggi
· Ketersediaan dalam Bentuk Kompleks
· Dapat digunakan dalam Suasana Oksidasi

Sifat Khas Bahan Grafit Dasar:

Kepadatan Tampak:	1,85 gram/cm3
Resistivitas Listrik:	11 μΩm
Kekuatan Lentur:	49MPa (500kgf/cm2)
Kekerasan Pantai:	58
Abu:	<5ppm
Konduktivitas Termal:	116 W/mK (100 kkal/mhr-℃)

Karbon memasok suseptor dan komponen grafit untuk semua reaktor epitaksi saat ini. Portofolio kami mencakup susceptor barel untuk unit terapan dan LPE, susceptor pancake untuk unit LPE, CSD, dan Gemini, dan susceptor wafer tunggal untuk unit terapan dan ASM. Dengan menggabungkan kemitraan yang kuat dengan OEM terkemuka, keahlian material, dan pengetahuan manufaktur, SGL menawarkan desain optimal untuk aplikasi Anda.

Lapisan SiC/Susceptor MOCVD dilapisi