CVD (Chemical Vapour Deposition) adalah metode yang umum digunakan untuk membuat pelapis silikon karbida.Lapisan silikon karbida CVDmemiliki banyak karakteristik kinerja yang unik. Artikel ini akan memperkenalkan metode persiapan lapisan silikon karbida CVD dan karakteristik kinerjanya.
1. Metode persiapanLapisan silikon karbida CVD
Metode CVD mengubah prekursor gas menjadi lapisan silikon karbida padat dalam kondisi suhu tinggi. Menurut prekursor gas yang berbeda, CVD dapat dibagi menjadi CVD fase gas dan CVD fase cair.
1. CVD fase uap
Fase uap CVD menggunakan prekursor gas, biasanya senyawa organosilikon, untuk mencapai pertumbuhan film silikon karbida. Senyawa organosilikon yang umum digunakan termasuk metilsilana, dimetilsilana, monosilan, dll., yang membentuk lapisan silikon karbida pada substrat logam dengan mengangkut prekursor gas ke dalam ruang reaksi suhu tinggi. Area bersuhu tinggi di ruang reaksi biasanya dihasilkan oleh pemanasan induksi atau pemanasan resistif.
2. CVD fase cair
CVD fase cair menggunakan prekursor cair, biasanya pelarut organik yang mengandung silikon dan senyawa silanol, yang dipanaskan dan diuapkan dalam ruang reaksi, kemudian film silikon karbida dibentuk pada substrat melalui reaksi kimia.
2. Karakteristik kinerjaLapisan silikon karbida CVD
1. Kinerja suhu tinggi yang sangat baik
Lapisan silikon karbida CVDmenawarkan stabilitas suhu tinggi dan ketahanan oksidasi yang sangat baik. Ia mampu bekerja di lingkungan bersuhu tinggi dan dapat menahan kondisi ekstrim pada suhu tinggi.
2. Sifat mekanik yang baik
Lapisan silikon karbida CVDmemiliki kekerasan tinggi dan ketahanan aus yang baik. Ini melindungi substrat logam dari keausan dan korosi, sehingga memperpanjang masa pakai material.
3. Stabilitas kimia yang sangat baik
Lapisan silikon karbida CVDsangat tahan terhadap bahan kimia umum seperti asam, basa dan garam. Ini tahan terhadap serangan kimia dan korosi pada substrat.
4. Koefisien gesekan rendah
Lapisan silikon karbida CVDmemiliki koefisien gesekan yang rendah dan sifat pelumasan sendiri yang baik. Ini mengurangi gesekan dan keausan serta meningkatkan efisiensi penggunaan material.
5. Konduktivitas termal yang baik
Lapisan silikon karbida CVD memiliki sifat konduktivitas termal yang baik. Ini dapat dengan cepat menghantarkan panas dan meningkatkan efisiensi pembuangan panas dari dasar logam.
6. Sifat isolasi listrik yang sangat baik
Lapisan silikon karbida CVD memiliki sifat isolasi listrik yang baik dan dapat mencegah kebocoran arus. Hal ini banyak digunakan dalam perlindungan isolasi perangkat elektronik.
7. Ketebalan dan komposisi dapat disesuaikan
Dengan mengontrol kondisi selama proses CVD dan konsentrasi prekursor, ketebalan dan komposisi film silikon karbida dapat disesuaikan. Ini memberikan banyak pilihan dan fleksibilitas untuk berbagai aplikasi.
Singkatnya, lapisan silikon karbida CVD memiliki kinerja suhu tinggi yang sangat baik, sifat mekanik yang sangat baik, stabilitas kimia yang baik, koefisien gesekan yang rendah, konduktivitas termal yang baik, dan sifat insulasi listrik. Sifat-sifat ini membuat pelapis silikon karbida CVD banyak digunakan di berbagai bidang, termasuk elektronik, optik, dirgantara, industri kimia, dll.
Waktu posting: 20 Maret 2024