Սիլիկոնային կարբիդի վաֆլի սկավառակը հիմնական բաղադրիչն է, որն օգտագործվում է կիսահաղորդիչների արտադրության տարբեր գործընթացներում: մենք օգտագործում ենք մեր արտոնագրված տեխնոլոգիան՝ սիլիցիումի կարբիդն ավելի անվտանգ դարձնելու համար՝ չափազանց բարձր մաքրությամբ, ծածկույթի լավ միատեսակությամբ և գերազանց ծառայության ժամկետով, ինչպես նաև բարձր քիմիական դիմադրությամբ և ջերմային կայունությամբ:
VET Energy-ը հարմարեցված գրաֆիտի և սիլիցիումի կարբիդի արտադրանքի իրական արտադրողն է տարբեր ծածկույթներով, ինչպիսիք են SiC, TaC, պիրոլիտիկ ածխածնի, ապակե-ածխածնի և այլն, կարող է մատակարարել տարբեր հարմարեցված մասեր կիսահաղորդչային և ֆոտոգալվանային արդյունաբերության համար: Մեր տեխնիկական թիմը գալիս է տեղական առաջատար հետազոտական հաստատություններից, կարող է ձեզ համար ավելի պրոֆեսիոնալ նյութական լուծումներ տրամադրել:
Մենք շարունակաբար զարգացնում ենք առաջադեմ գործընթացներ՝ ավելի առաջադեմ նյութեր տրամադրելու համար և մշակել ենք բացառիկ արտոնագրված տեխնոլոգիա, որը կարող է ծածկույթի և ենթաշերտի միջև կապը դարձնել ավելի ամուր և ավելի քիչ հակված տարանջատման:
Fմեր արտադրանքի առանձնահատկությունները.
1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն մինչև 1700℃.
2. Բարձր մաքրություն եւջերմային միատեսակություն
3. Գերազանց կոռոզիոն դիմադրություն՝ թթու, ալկալի, աղ և օրգանական ռեակտիվներ:
4. Բարձր կարծրություն, կոմպակտ մակերես, նուրբ մասնիկներ:
5. Ավելի երկար ծառայության ժամկետ և ավելի դիմացկուն
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ի հիմնական ֆիզիկական հատկություններըծածկույթ | |
| 性质 / Գույք | 典型数值 / Տիպիկ արժեք |
| 晶体结构 / Բյուրեղյա կառուցվածք | FCC β փուլ多晶，主要为（111): |
| 密度 / Խտություն | 3,21 գ/սմ³ |
| 硬度 / Կարծրություն | 2500 գրամ (500 գ բեռ) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2-10 մկմ |
| 纯度 / Քիմիական մաքրություն | 99,99995% |
| 热容 / Ջերմային հզորություն | 640 J·kg-1· Կ-1 |
| 升华温度 / Sublimation Temperature | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 ՄՊա RT 4-բալ |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt թեքում, 1300℃ |
| 导热系数 / ԹերմալՀաղորդունակություն | 300W·m-1· Կ-1 |
| 热膨胀系数 / Ջերմային ընդլայնում (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Ջերմորեն ողջունում ենք ձեզ այցելել մեր գործարան, եկեք հետագա քննարկենք:
