CVD-SiCծածկույթն ունի միասնական կառուցվածքի, կոմպակտ նյութի, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության, օքսիդացման դիմադրության, բարձր մաքրության, թթվային և ալկալային դիմադրության և օրգանական ռեագենտի բնութագրերը՝ կայուն ֆիզիկական և քիմիական հատկություններով:

Համեմատած բարձր մաքրության գրաֆիտի նյութերի հետ՝ գրաֆիտը սկսում է օքսիդանալ 400C ջերմաստիճանում, ինչը կհանգեցնի օքսիդացման պատճառով փոշու կորստի, ինչը կհանգեցնի շրջակա միջավայրի աղտոտմանը ծայրամասային սարքերին և վակուումային խցիկներին և կբարձրացնի բարձր մաքրության միջավայրի կեղտը:

Այնուամենայնիվ, SiC ծածկույթը կարող է պահպանել ֆիզիկական և քիմիական կայունությունը 1600 աստիճանով, Այն լայնորեն օգտագործվում է ժամանակակից արդյունաբերության մեջ, հատկապես կիսահաղորդչային արդյունաբերության մեջ:

Մեր ընկերությունը տրամադրում է SiC ծածկույթի գործընթացի ծառայություններ CVD մեթոդով գրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերևույթի վրա, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը արձագանքեն բարձր ջերմաստիճանում՝ ստանալով բարձր մաքրության SiC մոլեկուլներ, ծածկված նյութերի մակերեսին նստած մոլեկուլներ, SIC պաշտպանիչ շերտի ձևավորում: Ձևավորված SIC-ը ամուր կապված է գրաֆիտի հիմքի հետ՝ տալով գրաֆիտի հիմքին հատուկ հատկություններ, այդպիսով գրաֆիտի մակերեսը դարձնելով կոմպակտ, ծակոտկենությունից զերծ, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրություն, կոռոզիոն դիմադրություն և օքսիդացման դիմադրություն:

Հիմնական հատկանիշները:

1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.

օքսիդացման դիմադրությունը դեռ շատ լավ է, երբ ջերմաստիճանը հասնում է 1600 C-ի:

2. Բարձր մաքրություն. պատրաստված է քիմիական գոլորշիների նստեցմամբ բարձր ջերմաստիճանի քլորացման պայմաններում:

3. Էրոզիայի դիմադրություն՝ բարձր կարծրություն, կոմպակտ մակերես, մանր մասնիկներ:

4. Կոռոզիոն դիմադրություն՝ թթու, ալկալի, աղ և օրգանական ռեակտիվներ:

CVD-SIC ծածկույթների հիմնական բնութագրերը.