Վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդի հատկությունները
Վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդը (R-SiC) բարձր արդյունավետությամբ նյութ է, որի կարծրությունը զիջում է միայն ադամանդին, որը ձևավորվում է 2000℃-ից բարձր ջերմաստիճանում: Այն պահպանում է SiC-ի շատ հիանալի հատկություններ, ինչպիսիք են բարձր ջերմաստիճանի ուժը, ուժեղ կոռոզիոն դիմադրությունը, գերազանց օքսիդացման դիմադրությունը, լավ ջերմային ցնցումների դիմադրությունը և այլն:
● Գերազանց մեխանիկական հատկություններ: Վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդն ունի ավելի բարձր ուժ և կոշտություն, քան ածխածնային մանրաթելերը, բարձր ազդեցության դիմադրություն, կարող է լավ արդյունք խաղալ ծայրահեղ ջերմաստիճանային միջավայրերում, կարող է ավելի լավ հակակշիռ խաղալ տարբեր իրավիճակներում: Բացի այդ, այն ունի նաև լավ ճկունություն և հեշտությամբ չի վնասվում ձգվելով և ծալվելուց, ինչը մեծապես բարելավում է դրա կատարումը:
● Բարձր կոռոզիոն դիմադրություն: Վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդն ունի բարձր կոռոզիոն դիմադրություն տարբեր միջավայրերի նկատմամբ, կարող է կանխել տարբեր քայքայիչ միջավայրի էրոզիան, կարող է երկար ժամանակ պահպանել իր մեխանիկական հատկությունները, ունի ուժեղ կպչունություն, որպեսզի այն ունենա ավելի երկար ծառայության ժամկետ: Բացի այդ, այն ունի նաև լավ ջերմային կայունություն, կարող է հարմարվել ջերմաստիճանի փոփոխությունների որոշակի տիրույթին, բարելավել դրա կիրառման ազդեցությունը:
● Պղտորումը չի նեղանում: Քանի որ սինթրման գործընթացը չի նեղանում, մնացորդային սթրեսը չի առաջացնի արտադրանքի դեֆորմացիա կամ ճեղքվածք, և կարող են պատրաստվել բարդ ձևերով և բարձր ճշգրտությամբ մասեր:
| 重结晶碳化硅物理特性 Վերաբյուրեղացված սիլիցիումի կարբիդի ֆիզիկական հատկությունները | |
| 性质 / Գույք | 典型数值 / Տիպիկ արժեք |
| 使用温度/ Աշխատանքային ջերմաստիճան (°C) | 1600°C (թթվածնով), 1700°C (նվազեցնող միջավայր) |
| SiC含量/ SiC բովանդակություն | > 99.96% |
| 自由Si含量/ Անվճար Si բովանդակություն | < 0,1% |
| 体积密度/Զանգվածային խտություն | 2,60-2,70 գ/սմ3 |
| 气孔率/ Ակնհայտ ծակոտկենություն | < 16% |
| 抗压强度/ Սեղմման ուժ | > 600ՄՊա |
| 常温抗弯强度/Սառը ճկման ուժ | 80-90 ՄՊա (20°C) |
| 高温抗弯强度Տաք ճկման ուժ | 90-100 ՄՊա (1400°C) |
| 热膨胀系数/ Ջերմային ընդլայնում @1500°C | 4.70 10-6/°C |
| 导热系数/Ջերմահաղորդականություն @1200°C | 23W/m•K |
| 杨氏模量/ Էլաստիկ մոդուլ | 240 ԳՊա |
| 抗热震性/ Ջերմային ցնցումների դիմադրություն | Չափազանց լավ |
ՄԿՈՒ էներգիան է որհարմարեցված գրաֆիտի և սիլիցիումի կարբիդի արտադրանքի իրական արտադրող CVD ծածկույթով,կարող է մատակարարելբազմազանհարմարեցված մասեր կիսահաղորդչային և ֆոտոգալվանային արդյունաբերության համար: Our տեխնիկական թիմը գալիս է տեղական առաջատար հետազոտական հաստատություններից, կարող է ավելի պրոֆեսիոնալ նյութական լուծումներ տալքեզ համար։
Մենք շարունակաբար զարգացնում ենք առաջադեմ գործընթացներ՝ ավելի առաջադեմ նյութեր տրամադրելու համար,ևմշակել են բացառիկ արտոնագրված տեխնոլոգիա, որը կարող է դարձնել կապը ծածկույթի և ենթաշերտի միջև ավելի ամուր և ավելի քիչ հակված ճեղքման:
| CVD SiC薄膜基本物理性能 CVD SiC-ի հիմնական ֆիզիկական հատկություններըծածկույթ | |
| 性质 / Գույք | 典型数值 / Տիպիկ արժեք |
| 晶体结构 / Բյուրեղյա կառուցվածք | FCC β փուլ多晶，主要为（111): |
| 密度 / Խտություն | 3,21 գ/սմ³ |
| 硬度 / Կարծրություն | 2500 գրամ (500 գ բեռ) |
| 晶粒大小 / Grain SiZe | 2-10 մկմ |
| 纯度 / Քիմիական մաքրություն | 99,99995% |
| 热容 / Ջերմային հզորություն | 640 J·kg-1· Կ-1 |
| 升华温度 / Sublimation Temperature | 2700℃ |
| 抗弯强度 / Flexural Strength | 415 ՄՊա RT 4-բալ |
| 杨氏模量 / Young's Modulus | 430 Gpa 4pt թեքում, 1300℃ |
| 导热系数 / ԹերմալՀաղորդունակություն | 300W·m-1· Կ-1 |
| 热膨胀系数 / Ջերմային ընդլայնում (CTE) | 4,5×10-6K-1 |
Ջերմորեն ողջունում ենք ձեզ այցելել մեր գործարան, եկեք հետագա քննարկենք:
-
TaC ծածկված գրաֆիտի ուղեցույց օղակ
-
Չինաստանի մատակարարներ՝ հարմարեցված TaC ծածկված ուղեցույցի համար...
-
Երկար ծառայության ժամկետ՝ տանտալով կարբիդով պատված օղակ
-
Բարձրորակ Tantalum Carbide Tube SiC Crys-ի համար...
-
Epitaxy սարքավորման համար TaC ծածկված ընկալիչ
-
TaC Coated Graphite Upper Halfmoon Արտադրող