MOCVD Susceptor Գնեք առցանց Չինաստանում, Sic Graphite epitaxy susceptors

Կարճ նկարագրություն.

Ծագման վայրը.Չժեցզյան, Չինաստան (Մայրցամաք)

Մոդելի համարը:Նավակ3004

Քիմիական բաղադրություն:SiC ծածկված գրաֆիտ

Ճկման ուժ:470 ՄՊա

Ջերմային հաղորդունակություն.300 W/mK

Որակը:Կատարյալ

Գործառույթ:CVD-SiC

Դիմում:Կիսահաղորդիչ /Ֆոտովոլտաիկ

Խտությունը:3,21 գ/ք

Ջերմային ընդլայնում.4 10-6/Կ

Մոխիր: <5 ppm

Նմուշ:Հասանելի է

HS կոդը:6903100000

Նամակ ուղարկեք մեզ Ներբեռնեք որպես PDF

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

MOCVD Susceptor Գնել առցանց Չինաստանում, Sic Graphiteepitaxy susceptors,
Ածխածինը մատակարարում է ընկալիչները, EPITAXY ԵՎ MOCVD, epitaxy susceptors, Գրաֆիտի ընկալիչներ, SiC Epitaxy,

CVD-SiC ծածկույթն ունի միատեսակ կառուցվածքի, կոմպակտ նյութի, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրության, օքսիդացման դիմադրության, բարձր մաքրության, թթու և ալկալային դիմադրության և օրգանական ռեագենտի բնութագրերը՝ կայուն ֆիզիկական և քիմիական հատկություններով:

Համեմատած բարձր մաքրության գրաֆիտի նյութերի հետ՝ գրաֆիտը սկսում է օքսիդանալ 400C ջերմաստիճանում, ինչը կհանգեցնի օքսիդացման պատճառով փոշու կորստի, ինչը կհանգեցնի շրջակա միջավայրի աղտոտմանը ծայրամասային սարքերին և վակուումային խցիկներին և կբարձրացնի բարձր մաքրության միջավայրի կեղտը:

Այնուամենայնիվ, SiC ծածկույթը կարող է պահպանել ֆիզիկական և քիմիական կայունությունը 1600 աստիճանով, Այն լայնորեն օգտագործվում է ժամանակակից արդյունաբերության մեջ, հատկապես կիսահաղորդչային արդյունաբերության մեջ:

Մեր ընկերությունը տրամադրում է SiC ծածկույթի գործընթացի ծառայություններ CVD մեթոդով գրաֆիտի, կերամիկայի և այլ նյութերի մակերևույթի վրա, որպեսզի ածխածին և սիլիցիում պարունակող հատուկ գազերը արձագանքեն բարձր ջերմաստիճանում՝ ստանալով բարձր մաքրության SiC մոլեկուլներ, ծածկված նյութերի մակերեսին նստած մոլեկուլներ, SIC պաշտպանիչ շերտի ձևավորում: Ձևավորված SIC-ը ամուր կապված է գրաֆիտի հիմքի հետ՝ տալով գրաֆիտի հիմքին հատուկ հատկություններ, այդպիսով գրաֆիտի մակերեսը դարձնելով կոմպակտ, ծակոտկենությունից զերծ, բարձր ջերմաստիճանի դիմադրություն, կոռոզիոն դիմադրություն և օքսիդացման դիմադրություն:

Դիմում:

Հիմնական հատկանիշները.

1. Բարձր ջերմաստիճանի օքսիդացման դիմադրություն.

օքսիդացման դիմադրությունը դեռ շատ լավ է, երբ ջերմաստիճանը հասնում է 1700 C-ի:

2. Բարձր մաքրություն. պատրաստված է քիմիական գոլորշիների նստեցմամբ բարձր ջերմաստիճանի քլորացման պայմաններում:

3. Էրոզիայի դիմադրություն՝ բարձր կարծրություն, կոմպակտ մակերես, մանր մասնիկներ:

4. Կոռոզիոն դիմադրություն՝ թթու, ալկալի, աղ և օրգանական ռեակտիվներ:

CVD-SIC ծածկույթների հիմնական բնութագրերը.

SiC-CVD
Խտություն	(գ/cc)	3.21
Ճկման ուժ	(Mpa)	470 թ
Ջերմային ընդլայնում	(10-6/K)	4
Ջերմային հաղորդունակություն	(W/mK)	300

Մատակարարման ունակություն.

10000 հատ/կտոր ամսական
Փաթեթավորում և առաքում.
Փաթեթավորում: Ստանդարտ և ամուր փաթեթավորում
Պոլի պայուսակ + տուփ + ստվարաթղթե + ծղոտե ներքնակ
Նավահանգիստ:
Նինգբո/Շենժեն/Շանհայ
Առաջատար ժամանակը: