SiC Sintered Silisyòm Carbide Ceramic Bushing

Deskripsyon kout:

Konpozisyon chimik: Silisyòm Carbide

Dite: ≥110 HS

Dansite: 3.10-3.15 g/cm3

Fòs koube:> 350MPa

Tèmik konduktiviti:> 120

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Sintered Silisyòm Carbide Ceramic Bushing

Karbid Silisyòm sintered san presyon (SSIC)se pwodwi lè l sèvi avèk poud SiC trè byen ki gen aditif SINTERING. Li trete lè l sèvi avèk metòd fòme tipik pou lòt seramik ak sintered nan 2,000 a 2,200 ° C nan yon atmosfè gaz inaktif. Ansanm ak vèsyon amann grenn, ak gwosè grenn < 5 um, vèsyon koryas-grenn ak gwosè grenn jiska 1.5. mm ki disponib.

SSIC distenge pa gwo fòs ki rete prèske konstan jiska tanperati trè wo (apeprè 1,600 ° C), kenbe fòs sa a pandan peryòd tan!

Avantaj pwodwi:

Rezistans oksidasyon tanperati ki wo

Ekselan rezistans korozyon

Bon rezistans abrasion

Segondè koyefisyan konduktiviti chalè
Oto-lubricity, dansite ki ba
Segondè dite
Konsepsyon Customized.

Pwopriyete teknik:

Atik	Inite	Done
Dite	HS	≥110
Pousantaj Porosite	%	<0.3
Dansite	g/cm3	3.10-3.15
Konpresif	MPa	> 2200
Fòs Fraktur	MPa	> 350
Koyefisyan ekspansyon	10/°C	4.0
Kontni Sic	%	≥99
Konduktivite tèmik	W/mk	> 120
Modil elastik	GPa	≥400
Tanperati	°C	1380