SiC kouch grafit MOCVD Wafer transpòtè, grafit Susceptors pou SiC epitaksi

Deskripsyon kout:

 


  • Kote orijin:Zhejiang, Lachin (tè pwensipal)
  • Nimewo Modèl:Bato3004
  • Konpozisyon chimik:SiC kouvwi grafit
  • Fòs flexural:470Mpa
  • Konduktivite tèmik:300 W/mK
  • Kalite:Pafè
  • Fonksyon:CVD-SiC
  • Aplikasyon:Semiconductor / fotovoltaik
  • Dansite:3.21 g/cc
  • Ekspansyon tèmik:4 10-6/K
  • Ash: <5ppm
  • Egzanp:Disponib
  • Kòd HS:6903100000
  • Pwodwi detay

    Tags pwodwi

    SiC kouch grafit MOCVD Wafer transpòtè, grafit Susceptors pou SiC epitaksi,
    -SiCGraphiteWafer, Kabòn bay sisèptè yo, sisèptè epitaksi, Graphite founi susceptors, Graphite Wafer Susceptors, https://www.vet-china.com/sic-coating-graphite-mocvd-wafer-carriers-2.html#:~:text=SicGraphiteSusceptors-, SicGraphiteTrays,

    Deskripsyon Product

    Kouch CVD-SiC gen karakteristik estrikti inifòm, materyèl kontra enfòmèl ant, rezistans tanperati ki wo, rezistans oksidasyon, segondè pite, rezistans asid & alkali ak reyaktif òganik, ak pwopriyete ki estab fizik ak chimik.

    Konpare ak materyèl grafit-wo pite, grafit kòmanse oksidasyon nan 400C, ki pral lakòz yon pèt nan poud akòz oksidasyon, sa ki lakòz polisyon nan anviwònman an nan aparèy periferik ak chanm vakyòm, ak ogmante enpurte nan anviwònman pite segondè.

    Sepandan, SiC kouch ka kenbe estabilite fizik ak chimik nan 1600 degre, Li se lajman ki itilize nan endistri modèn, espesyalman nan endistri semi-conducteurs.

    Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas la nan grafit, seramik ak lòt materyèl, se konsa ke gaz espesyal ki gen kabòn ak Silisyòm reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn pite segondè molekil SiC, molekil depoze sou sifas la nan materyèl yo kouvwi, fòme kouch pwoteksyon SIC. SIC ki te fòme se byen fèm estokaj nan baz grafit la, bay baz la grafit pwopriyete espesyal, konsa fè sifas la nan kontra enfòmèl ant grafit la, porosite-gratis, rezistans tanperati ki wo, rezistans korozyon ak rezistans oksidasyon.

    Karakteristik prensipal yo:

    1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:

    rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a wo tankou 1700 C.

    2. Segondè pite: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.

    3. Rezistans ewozyon: segondè dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.

    4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.

    Espesifikasyon prensipal nan kouch CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Dansite

    (g/cc)

    3.21

    Fòs flexural

    (Mpa)

    470

    Ekspansyon tèmik

    (10-6/K)

    4

    Konduktivite tèmik

    (W/mK)

    300

    Kapasite Pwovizyon pou:

    10000 moso/moso pa mwa
    Anbalaj ak livrezon:
    Anbalaj: Estanda & fò anbalaj
    Poly sak + Bwat + Carton + Palette
    Pò:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Tan plon:

    Kantite (moso) 1-1000 > 1000
    Est. Tan (jou) 15 Pou negosye


  • Previous:
  • Pwochen:

  • Chat sou entènèt WhatsApp!