Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor

Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptorse yon aparèy sipò ak chofaj ki fèt espesyalman pou kenbe ak chofe substrats semi-conducteurs pandan pwosesis fabrikasyon tankou pwosesis depo oswa epitaksi.

Estrikti li yo gen ladan tipikman silendrik oswa yon ti kras barik ki gen fòm, sifas karakteristik plizyè pòch oswa platfòm pou mete gaufre yo, yo ka solid oswa kre konsepsyon, tou depann de metòd la chofaj.

Fonksyon prensipal yo nan epitaxial barik susceptor:

-Sipò substrate: byen kenbe plizyè plak semi-conducteurs;
-Sous chalè: bay tanperati ki wo ki nesesè pou kwasans nan chofaj;
-Tanperati inifòmite: asire chofaj inifòm nan substrats;
-Wotasyon: anjeneral wotasyon pandan kwasans amelyore tanperati ak inifòmite distribisyon gaz.

Prensip k ap travay nan Epi grafit barik susceptor:
- Nan raktor epitaksi a, susceptor barik la chofe nan tanperati ki nesesè yo (tipikman 1000 ℃-1200 ℃ pou epitaksi Silisyòm);
-Susceptor barik la wotasyon pou asire distribisyon tanperati inifòm ak koule gaz;
-Gaz reyaksyon dekonpoze nan tanperati ki wo, fòme kouch epitaxial sou sifas substra a.

Aplikasyon:
-Premyèman itilize pou Silisyòm epitaxial kwasans
- Epitou aplikab pou epitaksi nan lòt materyèl semi-conducteurs tankou GaAs, InP, elatriye.

Enèji VET itilize grafit pite segondè ak kouch CVD-SiC pou amelyore estabilite chimik la:

Avantaj ki genyen nan VET Enèji Epitaxial Epi Graphite Barrel Susceptor:

-Segondè estabilite tanperati;
-Bon inifòmite tèmik;
-Ka trete plizyè substrats ansanm, amelyore efikasite pwodiksyon an;
-Chimik inaktif, kenbe yon anviwònman kwasans-wo pite.