Pri rabè GaN-Basedepitaxial sou Sic Substrates 4′′

Deskripsyon kout:

Pòtè wafer yo itilize nan pwosesis kwasans epitaksi dwe kenbe tanperati ki wo ak netwayaj chimik piman bouk. Susceptor CoorsTek Clear Carbon™ yo fèt espesyalman pou aplikasyon ekipman epitaksi ki mande sa yo. Konstriksyon grafit ki gen anpil pite carbure Silisyòm (SiC) kouvwi yo bay rezistans chalè siperyè, menm inifòmite tèmik pou epesè kouch epi ki konsistan ak rezistans, ak rezistans chimik dirab. Fini kouch kristal SiC bay yon sifas ki pwòp, lis, kritik pou manyen paske gato primitif kontakte susceptor la nan plizyè pwen atravè tout zòn yo.

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

Kounye a nou gen yon mendèv trè efikas pou fè fas ak demann konsomatè yo. Objektif nou se "100% kliyan akonplisman pa pwodwi nou an oswa sèvis ekselan, pri vann & sèvis ekipaj nou an" epi jwenn plezi nan yon gwo popilarite nan mitan kliyantèl. Avèk anpil faktori, nou ka ofri yon gwo varye nan pri Discountable GaN-Basedepitaxial sou Sic Substrates 4 ", Nou cho akeyi konpayon ti biznis ki soti nan tout mache nan fòm, espere etabli zanmitay ak koperativ biznis fè kontak avèk ou ak atenn yon objektif genyen-genyen.
Kounye a nou gen yon mendèv trè efikas pou fè fas ak demann konsomatè yo. Objektif nou se "100% kliyan akonplisman pa pwodwi nou an oswa sèvis ekselan, pri vann & sèvis ekipaj nou an" epi jwenn plezi nan yon gwo popilarite nan mitan kliyantèl. Avèk anpil faktori, nou ka ofri yon gran varyeteLachin GaN substrats ak fim GaN, Nou sensèman kap pou pi devan pou kolabore ak kliyan nan tout mond lan. Nou kwè ke nou ka satisfè ou ak bon jan kalite pwodwi nou yo ak sèvis pafè. Nou menm tou nou akeyi kliyan yo vizite konpayi nou an ak achte pwodwi nou yo.

SiC kouch grafit MOCVD Wafer transpòtè

Tout susceptor nou yo fèt ak grafit izostatik ki gen gwo fòs. Benefisye de pite segondè nan grafit nou yo - devlope espesyalman pou pwosesis difisil tankou epitaksi, grandi kristal, enplantasyon iyon ak grave plasma, osi byen ke pou pwodiksyon an nan chips ki ap dirije.

Deskripsyon Product
Kouch SiC nan substra Graphite pou aplikasyon pou Semiconductor pwodui yon pati ki gen pite siperyè ak rezistans nan atmosfè oksidan.
CVD SiC oswa CVI SiC aplike nan Graphite nan pati konsepsyon senp oswa konplèks. Kouch ka aplike nan diferan epesè ak nan pati gwo anpil.

Compon

SiC kouch grafit MOCVD Wafer transpòtè

Avantaj espesyal nan susceptors grafit SiC-kouvwi nou yo gen ladan pite ekstrèmman wo, kouch omojèn ak yon lavi sèvis ekselan. Yo menm tou yo gen gwo rezistans chimik ak pwopriyete estabilite tèmik.

Nou kenbe tolerans trè sere lè w ap aplike kouch SiC a, lè l sèvi avèk wo-presizyon D pou asire yon pwofil inifòm susceptor. Nou menm tou nou pwodwi materyèl ki gen pwopriyete ideyal rezistans elektrik pou itilize nan sistèm endiktif chofe. Tout konpozan fini vini ak yon sètifika konfòmite pite ak dimansyon.

Aplikasyon:

Karakteristik:
· Ekselan rezistans chòk tèmik
· Ekselan rezistans chòk fizik
· Ekselan rezistans chimik
· Super pite segondè
· Disponibilite nan fòm konplèks
· Itilize anba atmosfè oksidantPwopriyete tipik nan materyèl grafit baz:

Dansite aparan:	1.85 g/cm3
Rezistans elektrik:	11 μΩm
Fòs flexural:	49 MPa (500kgf/cm2)
Shore dite:	58
Ash:	<5ppm
Kondiktivite tèmik:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Kounye a nou gen yon mendèv trè efikas pou fè fas ak demann konsomatè yo. Objektif nou se "100% kliyan akonplisman pa pwodwi nou an oswa sèvis ekselan, pri vann & sèvis ekipaj nou an" epi jwenn plezi nan yon gwo popilarite nan mitan kliyantèl. Avèk anpil faktori, nou ka ofri yon gwo varye nan pri Discountable GaN-Basedepitaxial sou Sic Substrates 4 ", Nou cho akeyi konpayon ti biznis ki soti nan tout mache nan fòm, espere etabli zanmitay ak koperativ biznis fè kontak avèk ou ak atenn yon objektif genyen-genyen.
Pri rabèLachin GaN substrats ak fim GaN, Nou sensèman kap pou pi devan pou kolabore ak kliyan nan tout mond lan. Nou kwè ke nou ka satisfè ou ak bon jan kalite pwodwi nou yo ak sèvis pafè. Nou menm tou nou akeyi kliyan yo vizite konpayi nou an ak achte pwodwi nou yo.