2022 kalite siperyè MOCVD Susceptor Achte sou entènèt nan Lachin, Sic Graphite epitaksi susceptors

Deskripsyon kout:

Kouch SiC nan substra Graphite pou aplikasyon pou Semiconductor pwodui yon pati ki gen pite siperyè ak rezistans nan atmosfè oksidan. CVD SiC oswa CVI SiC aplike nan Graphite nan pati konsepsyon senp oswa konplèks. Kouch ka aplike nan diferan epesè ak nan pati gwo anpil.

Kote orijin:Zhejiang, Lachin (tè pwensipal)

Nimewo Modèl:Nimewo Modèl:

Konpozisyon chimik:SiC kouvwi grafit

Fòs flexural:470Mpa

Konduktivite tèmik:300 W/mK

Kalite:Pafè

Fonksyon:CVD-SiC

Aplikasyon:Semiconductor / fotovoltaik

Dansite:3.21 g/cc

Ekspansyon tèmik:4 10-6/K

Ash: <5ppm

Egzanp:Disponib

Kòd HS:6903100000

Voye imèl ba nou Telechaje kòm PDF

Pwodwi detay

Tags pwodwi

2022 kalite siperyè MOCVD Susceptor Achte sou entènèt nan Lachin, Sic Graphite epitaksi susceptors,
Graphite sipò substrats, Graphite Susceptors, Graphite Susceptors pou SiC epitaksi, Graphite Susceptors pou Silisyòm, Susceptor grafit ak kouch carbure Silisyòm, ZOUTI GRAPHITE NAN SEMICONDUCTOR Plato Graphite Wafer Susceptors Graphite Wafer TOOLS GRAPHITE TOOLS Opto-elektwonik, platfòm satelit pou MOCVD la, SiC kouvwi grafit satelit platfòm pou MOCVD,

Avantaj espesyal nan susceptors grafit SiC-kouvwi nou yo gen ladan pite ekstrèmman wo, kouch omojèn ak yon lavi sèvis ekselan. Yo menm tou yo gen gwo rezistans chimik ak pwopriyete estabilite tèmik.

Kouch SiC nan substra Graphite pou aplikasyon pou Semiconductor pwodui yon pati ki gen pite siperyè ak rezistans nan atmosfè oksidan.
CVD SiC oswa CVI SiC aplike nan Graphite nan pati konsepsyon senp oswa konplèks. Kouch ka aplike nan diferan epesè ak nan pati gwo anpil.

SiC kouch / kouvwi MOCVD Susceptor

Karakteristik:
· Ekselan rezistans chòk tèmik
· Ekselan rezistans chòk fizik
· Ekselan rezistans chimik
· Super pite segondè
· Disponibilite nan fòm konplèks
· Itilize anba atmosfè oksidant

Pwopriyete tipik nan materyèl grafit baz:

Dansite aparan:	1.85 g/cm3
Rezistans elektrik:	11 μΩm
Fòs flexural:	49 MPa (500kgf/cm2)
Shore dite:	58
Ash:	<5ppm
Kondiktivite tèmik:	116 W/mK (100 kcal/mhr-℃)

Kabòn bay susceptor ak konpozan grafit pou tout réacteurs epitaksi aktyèl yo. Pòtfolyo nou an gen ladan susceptor barik pou inite aplike ak LPE, susceptor galèt pou inite LPE, CSD, ak Gemini, ak susceptor sèl-wafer pou inite aplike ak ASM. Lè w konbine patenarya solid ak dirijan OEM, ekspètiz materyèl ak konesans fabrikasyon, SGL. ofri konsepsyon pi bon pou aplikasyon w lan.