सिंटरडसिलिकॉन कार्बाइड (SiC)क्रिस्टल/वेफर नावसेमीकंडक्टर और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक उद्योगों की कठोर मांगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। यह उच्च तापमान प्रसंस्करण के दौरान सिलिकॉन क्रिस्टल और वेफर्स को संभालने के लिए एक सुरक्षित मंच प्रदान करता है, जिससे यह सुनिश्चित होता है कि उनकी अखंडता और शुद्धता बनी रहे।
प्रमुख विशेषताऐं
- उत्कृष्ट तापीय स्थिरता: 1600 डिग्री सेल्सियस तक तापमान सहन करने में सक्षम, उन प्रक्रियाओं के लिए आदर्श जिनके लिए सटीक थर्मल नियंत्रण की आवश्यकता होती है।
- बेहतर रासायनिक प्रतिरोध: अधिकांश संक्षारक रसायनों और गैसों के प्रति प्रतिरोधी, कठोर प्रसंस्करण वातावरण में स्थायित्व प्रदान करता है।
- मजबूत यांत्रिक शक्ति: उच्च तनाव के तहत संरचनात्मक अखंडता बनाए रखता है, विरूपण या टूटने की संभावना को कम करता है।
- न्यूनतम तापीय विस्तार: थर्मल शॉक और क्रैकिंग के जोखिम को कम करने के लिए डिज़ाइन किया गया, विस्तारित उपयोग पर विश्वसनीय प्रदर्शन प्रदान करता है।
- परिशुद्धता विनिर्माण: विशिष्ट प्रक्रिया आवश्यकताओं को पूरा करने और विभिन्न क्रिस्टल और वेफर आकारों को समायोजित करने के लिए उच्च परिशुद्धता के साथ तैयार किया गया।
अनुप्रयोग
• सेमीकंडक्टर वेफर प्रसंस्करण
• एलईडी विनिर्माण
• फोटोवोल्टिक सेल उत्पादन
• रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) प्रणाली
• सामग्री विज्ञान में अनुसंधान एवं विकास
| 烧结碳化硅物理特性 के भौतिक गुणSहस्तक्षेप कियाSiliconCarbide | |
| 性质 / संपत्ति | 典型数值 / विशिष्ट मूल्य |
| 化学成分 / रसायनसंघटन | SiC>95%, Si<5% |
| 体积密度 / थोक घनत्व | >3.07 ग्राम/सेमी³ |
| 显气孔率/ स्पष्ट सरंध्रता स्पष्ट सरंध्रता | <0.1% |
| 常温抗弯强度/ 20℃ पर टूटने का मापांक | 270 एमपीए |
| 高温抗弯强度/ 1200℃ पर टूटने का मापांक | 290एमपीए |
| 硬度/ कठोरता 20℃ पर | 2400 किलोग्राम/मिमी² |
| बहुत बढ़िया/ 20% पर फ्रैक्चर क्रूरता | 3.3एमपीए · एम1/2 |
| 导热系数/ 1200℃ पर तापीय चालकता | 45w/m .K |
| 热膨胀系数/ 20-1200℃ पर थर्मल विस्तार | 4.51×10-6/℃ |
| यह एक अच्छा विचार है/ अधिकतम कार्य तापमान | 1400℃ |
| 热震稳定性/ 1200℃ पर थर्मल शॉक प्रतिरोध | अच्छा |
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