समाचार

TaC कोटिंग के साथ ग्रेफाइट
24-11-21 को व्यवस्थापक द्वारा
I. प्रक्रिया पैरामीटर अन्वेषण 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar प्रणाली 2. जमाव तापमान: थर्मोडायनामिक सूत्र के अनुसार, यह गणना की जाती है कि जब तापमान 1273K से अधिक होता है, तो प्रतिक्रिया की गिब्स मुक्त ऊर्जा बहुत कम होती है और प्रतिक्रिया अपेक्षाकृत पूर्ण है. असलियत...
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सिलिकॉन कार्बाइड क्रिस्टल विकास प्रक्रिया और उपकरण प्रौद्योगिकी
24-11-21 को व्यवस्थापक द्वारा
1. SiC क्रिस्टल विकास प्रौद्योगिकी मार्ग PVT (उच्च बनाने की क्रिया विधि), HTCVD (उच्च तापमान CVD), LPE (तरल चरण विधि) तीन सामान्य SiC क्रिस्टल विकास विधियाँ हैं; उद्योग में सबसे अधिक मान्यता प्राप्त विधि PVT विधि है, और 95% से अधिक SiC एकल क्रिस्टल PVT द्वारा उगाए जाते हैं...
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झरझरा सिलिकॉन कार्बन मिश्रित सामग्री की तैयारी और प्रदर्शन में सुधार
24-11-13 को व्यवस्थापक द्वारा
लिथियम-आयन बैटरियां मुख्य रूप से उच्च ऊर्जा घनत्व की दिशा में विकसित हो रही हैं। कमरे के तापमान पर, सिलिकॉन-आधारित नकारात्मक इलेक्ट्रोड सामग्री लिथियम के साथ मिश्रित होकर लिथियम-समृद्ध उत्पाद Li3.75Si चरण का उत्पादन करती है, जिसकी विशिष्ट क्षमता 3572 mAh/g तक होती है, जो सिद्धांत से बहुत अधिक है...
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एकल क्रिस्टल सिलिकॉन का थर्मल ऑक्सीकरण
24-11-13 को व्यवस्थापक द्वारा
सिलिकॉन की सतह पर सिलिकॉन डाइऑक्साइड के गठन को ऑक्सीकरण कहा जाता है, और स्थिर और दृढ़ता से चिपकने वाले सिलिकॉन डाइऑक्साइड के निर्माण से सिलिकॉन एकीकृत सर्किट प्लानर तकनीक का जन्म हुआ। हालाँकि सिलिकॉन डाइऑक्साइड को सीधे सिलिकॉन की सतह पर उगाने के कई तरीके हैं...
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फैन-आउट वेफर-स्तरीय पैकेजिंग के लिए यूवी प्रसंस्करण
24-11-05 को व्यवस्थापक द्वारा
सेमीकंडक्टर उद्योग में फैन आउट वेफर लेवल पैकेजिंग (एफओडब्ल्यूएलपी) एक लागत प्रभावी तरीका है। लेकिन इस प्रक्रिया के विशिष्ट दुष्प्रभाव विकृति और चिप ऑफसेट हैं। वेफर लेवल और पैनल लेवल फैन आउट तकनीक में निरंतर सुधार के बावजूद, मोल्डिंग से संबंधित ये मुद्दे अभी भी मौजूद हैं...
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सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक: फोटोवोल्टिक क्वार्ट्ज घटकों का टर्मिनेटर
24-11-05 को व्यवस्थापक द्वारा
आज की दुनिया के निरंतर विकास के साथ, गैर-नवीकरणीय ऊर्जा तेजी से समाप्त होती जा रही है, और मानव समाज "हवा, प्रकाश, पानी और परमाणु" द्वारा प्रतिनिधित्व की जाने वाली नवीकरणीय ऊर्जा का उपयोग करने के लिए तेजी से जरूरी हो गया है। अन्य नवीकरणीय ऊर्जा स्रोतों की तुलना में, मनुष्य...
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रिएक्शन सिंटरिंग और दबाव रहित सिंटरिंग सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक तैयारी प्रक्रिया
24-10-29 को व्यवस्थापक द्वारा
रिएक्शन सिंटरिंग रिएक्शन सिंटरिंग सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक उत्पादन प्रक्रिया में सिरेमिक कॉम्पैक्टिंग, सिंटरिंग फ्लक्स घुसपैठ एजेंट कॉम्पैक्टिंग, रिएक्शन सिंटरिंग सिरेमिक उत्पाद की तैयारी, सिलिकॉन कार्बाइड लकड़ी सिरेमिक तैयारी और अन्य चरण शामिल हैं। रिएक्शन सिंटरिंग सिलिकॉन...
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सिलिकॉन कार्बाइड सिरेमिक: अर्धचालक प्रक्रियाओं के लिए आवश्यक सटीक घटक
24-10-29 को व्यवस्थापक द्वारा
फोटोलिथोग्राफी तकनीक मुख्य रूप से सिलिकॉन वेफर्स पर सर्किट पैटर्न को उजागर करने के लिए ऑप्टिकल सिस्टम का उपयोग करने पर केंद्रित है। इस प्रक्रिया की सटीकता सीधे एकीकृत सर्किट के प्रदर्शन और उपज को प्रभावित करती है। चिप निर्माण के लिए शीर्ष उपकरणों में से एक के रूप में, लिथोग्राफी मशीन में...
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सेमीकंडक्टर वेफर संदूषण और सफाई प्रक्रिया को समझना
24-10-29 को व्यवस्थापक द्वारा
जब यह व्यावसायिक समाचारों की बात आती है, तो अर्धचालक निर्माण की विस्तृतता को समझना आवश्यक है। सेमीकंडक्टर वेफर इस उद्योग में महत्वपूर्ण घटक हैं, लेकिन उन्हें अक्सर मिश्रित अशुद्धियों से संदूषण का सामना करना पड़ता है। इन संदूषकों में परमाणु, कार्बनिक पदार्थ, धात्विक तत्व आयन, एक... शामिल हैं।
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