સેમિકન્ડક્ટર માટે ગ્રેફાઇટ સબસ્ટ્રેટનું SiC કોટિંગ/કોટેડ,ગ્રેફાઇટ ટ્રે, Sic ગ્રેફાઇટએપિટાક્સી સસેપ્ટર્સ,
કાર્બન સપ્લાય સસેપ્ટર્સ, EPITAXY અને MOCVD, એપિટાક્સી સસેપ્ટર્સ, ગ્રેફાઇટ ટ્રે, વેફર સસેપ્ટર્સ,

CVD-SiC કોટિંગમાં સ્થિર ભૌતિક અને રાસાયણિક ગુણધર્મો સાથે સમાન માળખું, કોમ્પેક્ટ સામગ્રી, ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર, ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર, ઉચ્ચ શુદ્ધતા, એસિડ અને આલ્કલી પ્રતિકાર અને કાર્બનિક રીએજન્ટની લાક્ષણિકતાઓ છે.

ઉચ્ચ-શુદ્ધતાવાળા ગ્રેફાઇટ સામગ્રીની તુલનામાં, ગ્રેફાઇટ 400C પર ઓક્સિડાઇઝ કરવાનું શરૂ કરે છે, જે ઓક્સિડેશનને કારણે પાવડરની ખોટનું કારણ બને છે, પરિણામે પેરિફેરલ ઉપકરણો અને શૂન્યાવકાશ ચેમ્બરમાં પર્યાવરણીય પ્રદૂષણ થાય છે અને ઉચ્ચ-શુદ્ધતાવાળા વાતાવરણની અશુદ્ધિઓમાં વધારો થાય છે.

જો કે, SiC કોટિંગ 1600 ડિગ્રી પર ભૌતિક અને રાસાયણિક સ્થિરતા જાળવી શકે છે, તે આધુનિક ઉદ્યોગમાં, ખાસ કરીને સેમિકન્ડક્ટર ઉદ્યોગમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે.

અમારી કંપની ગ્રેફાઇટ, સિરામિક્સ અને અન્ય સામગ્રીની સપાટી પર CVD પદ્ધતિ દ્વારા SiC કોટિંગ પ્રક્રિયા સેવાઓ પૂરી પાડે છે, જેથી કાર્બન અને સિલિકોન ધરાવતા વિશિષ્ટ વાયુઓ ઉચ્ચ તાપમાને પ્રતિક્રિયા આપે જેથી ઉચ્ચ શુદ્ધતા SiC પરમાણુઓ, કોટેડ સામગ્રીની સપાટી પર જમા થયેલ અણુઓ, SIC રક્ષણાત્મક સ્તરની રચના. રચાયેલ SIC ગ્રેફાઇટ આધાર સાથે નિશ્ચિતપણે જોડાયેલું છે, જે ગ્રેફાઇટ આધારને વિશેષ ગુણધર્મો આપે છે, આમ ગ્રેફાઇટની સપાટી કોમ્પેક્ટ, પોરોસિટી-મુક્ત, ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર, કાટ પ્રતિકાર અને ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર બનાવે છે.

મુખ્ય લક્ષણો:

1. ઉચ્ચ તાપમાન ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર:

જ્યારે તાપમાન 1700 C જેટલું ઊંચું હોય ત્યારે ઓક્સિડેશન પ્રતિકાર હજુ પણ ખૂબ જ સારો હોય છે.

2. ઉચ્ચ શુદ્ધતા: ઉચ્ચ તાપમાન ક્લોરીનેશનની સ્થિતિ હેઠળ રાસાયણિક વરાળના જથ્થા દ્વારા બનાવવામાં આવે છે.

3. ધોવાણ પ્રતિકાર: ઉચ્ચ કઠિનતા, કોમ્પેક્ટ સપાટી, દંડ કણો.

4. કાટ પ્રતિકાર: એસિડ, આલ્કલી, મીઠું અને કાર્બનિક રીએજન્ટ્સ.

CVD-SIC કોટિંગ્સની મુખ્ય વિશિષ્ટતાઓ:

સપ્લાય ક્ષમતા:

10000 પીસ/પીસ પ્રતિ માસ
પેકેજિંગ અને ડિલિવરી:
પેકિંગ: પ્રમાણભૂત અને મજબૂત પેકિંગ
પોલી બેગ + બોક્સ + કાર્ટન + પેલેટ
પોર્ટ:
નિંગબો/શેનઝેન/શાંઘાઈ
લીડ સમય: