સમાચાર

વરાળ તબક્કાના એપિટાક્સી માટે સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતા પેડેસ્ટલ્સ
24-07-30 ના રોજ એડમિન દ્વારા
વેપર ફેઝ એપિટેક્સી (VPE) પ્રક્રિયા દરમિયાન, પેડેસ્ટલની ભૂમિકા સબસ્ટ્રેટને ટેકો આપવા અને વૃદ્ધિ પ્રક્રિયા દરમિયાન સમાન ગરમીની ખાતરી કરવાની છે. વિવિધ પ્રકારનાં પેડેસ્ટલ્સ વિવિધ વૃદ્ધિની પરિસ્થિતિઓ અને સામગ્રી પ્રણાલીઓ માટે યોગ્ય છે. નીચે આપેલા કેટલાક...
વધુ વાંચો
ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટેડ ઉત્પાદનોની સર્વિસ લાઇફ કેવી રીતે વધારવી?
24-07-26 ના રોજ એડમિન દ્વારા
ટેન્ટેલમ કાર્બાઇડ કોટેડ ઉત્પાદનો સામાન્ય રીતે ઉપયોગમાં લેવાતી ઉચ્ચ-તાપમાન સામગ્રી છે, જે ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર, કાટ પ્રતિકાર, વસ્ત્રો પ્રતિકાર વગેરે દ્વારા વર્ગીકૃત થયેલ છે. તેથી, તેઓ એરોસ્પેસ, રાસાયણિક અને ઊર્જા જેવા ઉદ્યોગોમાં વ્યાપકપણે ઉપયોગમાં લેવાય છે. ભૂતપૂર્વ કરવા માટે...
વધુ વાંચો
સેમિકન્ડક્ટર સીવીડી સાધનોમાં PECVD અને LPCVD વચ્ચે શું તફાવત છે?
24-07-24 ના રોજ એડમિન દ્વારા
રાસાયણિક વરાળ ડિપોઝિશન (CVD) એ ગેસ મિશ્રણની રાસાયણિક પ્રતિક્રિયા દ્વારા સિલિકોન વેફરની સપાટી પર નક્કર ફિલ્મ જમા કરવાની પ્રક્રિયાનો ઉલ્લેખ કરે છે. વિવિધ પ્રતિક્રિયા પરિસ્થિતિઓ (દબાણ, પૂર્વવર્તી) અનુસાર, તેને વિવિધ સાધનોમાં વિભાજિત કરી શકાય છે...
વધુ વાંચો
સિલિકોન કાર્બાઇડ ગ્રેફાઇટ મોલ્ડની લાક્ષણિકતાઓ
24-07-18 ના રોજ એડમિન દ્વારા
સિલિકોન કાર્બાઇડ ગ્રેફાઇટ મોલ્ડ સિલિકોન કાર્બાઇડ ગ્રેફાઇટ મોલ્ડ એ આધાર તરીકે સિલિકોન કાર્બાઇડ (SiC) અને મજબૂતીકરણ સામગ્રી તરીકે ગ્રેફાઇટ સાથેનો સંયુક્ત ઘાટ છે. આ મોલ્ડમાં ઉત્તમ થર્મલ વાહકતા, ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર, કાટ પ્રતિકાર અને...
વધુ વાંચો
ફોટોલિથોગ્રાફીની સંપૂર્ણ પ્રક્રિયા સેમિકન્ડક્ટર પ્રક્રિયા કરે છે
24-07-16 ના રોજ એડમિન દ્વારા
દરેક સેમિકન્ડક્ટર પ્રોડક્ટના ઉત્પાદન માટે સેંકડો પ્રક્રિયાઓની જરૂર પડે છે. અમે સમગ્ર ઉત્પાદન પ્રક્રિયાને આઠ તબક્કામાં વિભાજીત કરીએ છીએ: વેફર પ્રોસેસિંગ-ઓક્સિડેશન-ફોટોલિથોગ્રાફી-એચિંગ-પાતળી ફિલ્મ ડિપોઝિશન-એપિટેક્સિયલ ગ્રોથ-ડિફ્યુઝન-આયન ઇમ્પ્લાન્ટેશન. તમને મદદ કરવા માટે...
વધુ વાંચો
4 અબજ! SK Hynix પરડ્યુ રિસર્ચ પાર્ક ખાતે સેમિકન્ડક્ટર એડવાન્સ્ડ પેકેજિંગ રોકાણની જાહેરાત કરે છે
24-07-09 ના રોજ એડમિન દ્વારા
વેસ્ટ લાફાયેટ, ઇન્ડિયાના - SK hynix Inc. એ પરડ્યુ રિસર્ચ પાર્ક ખાતે આર્ટિફિશિયલ ઇન્ટેલિજન્સ પ્રોડક્ટ્સ માટે અદ્યતન પેકેજિંગ મેન્યુફેક્ચરિંગ અને R&D સુવિધા બનાવવા માટે લગભગ $4 બિલિયનનું રોકાણ કરવાની યોજનાની જાહેરાત કરી છે. વેસ્ટ લાફાયેટમાં યુએસ સેમિકન્ડક્ટર સપ્લાય ચેઇનમાં મુખ્ય લિંકની સ્થાપના...
વધુ વાંચો
લેસર ટેક્નોલોજી સિલિકોન કાર્બાઈડ સબસ્ટ્રેટ પ્રોસેસિંગ ટેકનોલોજીના પરિવર્તન તરફ દોરી જાય છે
24-07-08 ના રોજ એડમિન દ્વારા
1. સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ પ્રોસેસિંગ ટેક્નોલૉજીનું વિહંગાવલોકન વર્તમાન સિલિકોન કાર્બાઇડ સબસ્ટ્રેટ પ્રોસેસિંગ સ્ટેપ્સમાં નીચેનાનો સમાવેશ થાય છે: બાહ્ય વર્તુળને ગ્રાઇન્ડ કરવું, સ્લાઇસિંગ, ચેમ્ફરિંગ, ગ્રાઇન્ડિંગ, પોલિશિંગ, ક્લિનિંગ, વગેરે. સેમિકન્ડક્ટર સબસ્ટ્રેટ પ્રકરણમાં સ્લાઇસિંગ એ એક મહત્વપૂર્ણ પગલું છે...
વધુ વાંચો
મુખ્ય પ્રવાહની થર્મલ ફિલ્ડ સામગ્રી: C/C સંયુક્ત સામગ્રી
24-07-01 ના રોજ એડમિન દ્વારા
કાર્બન-કાર્બન કમ્પોઝીટ એ કાર્બન ફાઇબર સંયોજનોનો એક પ્રકાર છે, જેમાં કાર્બન ફાઇબર મજબૂતીકરણ સામગ્રી તરીકે અને જમા થયેલ કાર્બન મેટ્રિક્સ સામગ્રી તરીકે છે. C/C સંયોજનોનું મેટ્રિક્સ કાર્બન છે. કારણ કે તે લગભગ સંપૂર્ણપણે મૂળ કાર્બનથી બનેલું છે, તે ઉત્તમ ઉચ્ચ તાપમાન પ્રતિકાર ધરાવે છે...
વધુ વાંચો
SiC ક્રિસ્ટલ વૃદ્ધિ માટે ત્રણ મુખ્ય તકનીકો
24-07-01 ના રોજ એડમિન દ્વારા
ફિગ. 3 માં બતાવ્યા પ્રમાણે, ઉચ્ચ ગુણવત્તા અને કાર્યક્ષમતા સાથે SiC સિંગલ ક્રિસ્ટલ પ્રદાન કરવા માટે ત્રણ પ્રબળ તકનીકો છે: લિક્વિડ ફેઝ એપિટાક્સી (LPE), ભૌતિક વરાળ પરિવહન (PVT), અને ઉચ્ચ-તાપમાન રાસાયણિક વરાળ ડિપોઝિશન (HTCVD). PVT એ SiC sin ઉત્પન્ન કરવા માટે એક સુસ્થાપિત પ્રક્રિયા છે...
વધુ વાંચો