સેમિકન્ડક્ટર પ્રક્રિયા પ્રવાહ-Ⅱ

ઉત્પાદન માહિતી અને પરામર્શ માટે અમારી વેબસાઇટ પર આપનું સ્વાગત છે.

અમારી વેબસાઇટ:https://www.vet-china.com/

પોલી અને SiO2 ની કોતરણી:
આ પછી, વધારાની પોલી અને SiO2 દૂર કરવામાં આવે છે, એટલે કે, દૂર કરવામાં આવે છે. આ સમયે, દિશાસૂચકકોતરણીવપરાય છે. એચીંગના વર્ગીકરણમાં, ડાયરેક્શનલ ઈચીંગ અને નોન ડાયરેક્શનલ ઈચીંગનું વર્ગીકરણ છે. ડાયરેક્શનલ એચિંગનો સંદર્ભ આપે છેકોતરણીચોક્કસ દિશામાં, જ્યારે નોન-ડાયરેક્શનલ એચીંગ એ દિશાહીન હોય છે (મેં આકસ્મિક રીતે ઘણું કહ્યું હતું. ટૂંકમાં, તે ચોક્કસ એસિડ અને પાયા દ્વારા ચોક્કસ દિશામાં SiO2 ને દૂર કરવા માટે છે). આ ઉદાહરણમાં, અમે SiO2 ને દૂર કરવા માટે ડાઉનવર્ડ ડાયરેક્શનલ એચિંગનો ઉપયોગ કરીએ છીએ, અને તે આના જેવું બને છે.

છેલ્લે, ફોટોરેસિસ્ટ દૂર કરો. આ સમયે, ફોટોરેસિસ્ટને દૂર કરવાની પદ્ધતિ એ ઉપર જણાવેલ પ્રકાશ ઇરેડિયેશન દ્વારા સક્રિયકરણ નથી, પરંતુ અન્ય પદ્ધતિઓ દ્વારા, કારણ કે આપણે આ સમયે ચોક્કસ કદને વ્યાખ્યાયિત કરવાની જરૂર નથી, પરંતુ તમામ ફોટોરેસિસ્ટને દૂર કરવા માટે. છેલ્લે, તે નીચેની આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે બને છે.

આ રીતે, અમે Poly SiO2 નું ચોક્કસ સ્થાન જાળવી રાખવાનો હેતુ સિદ્ધ કર્યો છે.

સ્ત્રોત અને ગટરની રચના:
છેલ્લે, ચાલો વિચાર કરીએ કે સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન કેવી રીતે રચાય છે. બધાને હજુ પણ યાદ છે કે આપણે ગયા અંકમાં તેના વિશે વાત કરી હતી. સ્ત્રોત અને ડ્રેઇન સમાન પ્રકારના તત્વો સાથે આયન-રોપવામાં આવે છે. આ સમયે, અમે સ્ત્રોત/ડ્રેન વિસ્તારને ખોલવા માટે ફોટોરેસિસ્ટનો ઉપયોગ કરી શકીએ છીએ જ્યાં N પ્રકારને રોપવાની જરૂર છે. કારણ કે આપણે માત્ર એક ઉદાહરણ તરીકે NMOS લઈએ છીએ, નીચેની આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે, ઉપરની આકૃતિના તમામ ભાગો ખોલવામાં આવશે.

ફોટોરેસિસ્ટ દ્વારા આવરી લેવાયેલા ભાગને રોપવામાં આવી શકાતો નથી (પ્રકાશ અવરોધિત છે), N-પ્રકારના તત્વો ફક્ત જરૂરી NMOS પર જ રોપવામાં આવશે. પોલી હેઠળ સબસ્ટ્રેટ પોલી અને SiO2 દ્વારા અવરોધિત હોવાથી, તે રોપવામાં આવશે નહીં, તેથી તે આના જેવું બને છે.

આ બિંદુએ, એક સરળ એમઓએસ મોડેલ બનાવવામાં આવ્યું છે. સૈદ્ધાંતિક રીતે, જો સ્ત્રોત, ડ્રેઇન, પોલી અને સબસ્ટ્રેટમાં વોલ્ટેજ ઉમેરવામાં આવે, તો આ એમઓએસ કામ કરી શકે છે, પરંતુ અમે માત્ર એક ચકાસણી લઈ શકતા નથી અને સ્રોત અને ડ્રેઇનમાં સીધા જ વોલ્ટેજ ઉમેરી શકતા નથી. આ સમયે, MOS વાયરિંગની જરૂર છે, એટલે કે, આ MOS પર, ઘણા MOS ને એકસાથે જોડવા માટે વાયરને કનેક્ટ કરો. ચાલો વાયરિંગ પ્રક્રિયા પર એક નજર કરીએ.

VIA બનાવવું:
પ્રથમ પગલું એ નીચેની આકૃતિમાં બતાવ્યા પ્રમાણે, SiO2 ના સ્તર સાથે સમગ્ર MOS ને આવરી લેવાનું છે:

અલબત્ત, આ SiO2 CVD દ્વારા બનાવવામાં આવે છે, કારણ કે તે ખૂબ જ ઝડપી છે અને સમય બચાવે છે. નીચેના હજુ પણ photoresist બિછાવે અને ખુલ્લા પ્રક્રિયા છે. અંત પછી, તે આના જેવું લાગે છે.

પછી નીચેની આકૃતિમાં રાખોડી ભાગમાં બતાવ્યા પ્રમાણે, SiO2 પર કાણું પાડવા માટે એચીંગ પદ્ધતિનો ઉપયોગ કરો. આ છિદ્રની ઊંડાઈ સીધા જ Si સપાટીનો સંપર્ક કરે છે.

છેલ્લે, ફોટોરેસિસ્ટને દૂર કરો અને નીચેનો દેખાવ મેળવો.

આ સમયે, આ છિદ્રમાં કંડક્ટર ભરવા માટે શું કરવાની જરૂર છે. આ કંડક્ટર શું છે? દરેક કંપની અલગ છે, તેમાંના મોટા ભાગના ટંગસ્ટન એલોય છે, તો આ છિદ્ર કેવી રીતે ભરી શકાય? PVD (ફિઝિકલ વેપર ડિપોઝિશન) પદ્ધતિનો ઉપયોગ થાય છે, અને સિદ્ધાંત નીચેની આકૃતિ જેવો જ છે.

લક્ષ્ય સામગ્રી પર બોમ્બમારો કરવા માટે ઉચ્ચ-ઊર્જા ઇલેક્ટ્રોન અથવા આયનોનો ઉપયોગ કરો, અને તૂટેલી લક્ષ્ય સામગ્રી અણુના રૂપમાં તળિયે પડી જશે, આમ નીચે કોટિંગ બનાવશે. અમે સામાન્ય રીતે સમાચારમાં જે લક્ષ્ય સામગ્રી જોઈએ છીએ તે અહીં લક્ષ્ય સામગ્રીનો સંદર્ભ આપે છે.
છિદ્ર ભર્યા પછી, તે આના જેવો દેખાય છે.

અલબત્ત, જ્યારે આપણે તેને ભરીએ છીએ, ત્યારે કોટિંગની જાડાઈને છિદ્રની ઊંડાઈ જેટલી બરાબર હોય તેને નિયંત્રિત કરવી અશક્ય છે, તેથી તેમાં થોડું વધારે હશે, તેથી અમે CMP (કેમિકલ મિકેનિકલ પોલિશિંગ) તકનીકનો ઉપયોગ કરીએ છીએ, જે ખૂબ જ લાગે છે. હાઇ-એન્ડ, પરંતુ તે વાસ્તવમાં ગ્રાઇન્ડીંગ છે, વધારાના ભાગોને ગ્રાઇન્ડીંગ કરે છે. પરિણામ આ પ્રમાણે છે.

આ બિંદુએ, અમે વાયાના સ્તરનું ઉત્પાદન પૂર્ણ કર્યું છે. અલબત્ત, વાયાનું ઉત્પાદન મુખ્યત્વે પાછળના મેટલ સ્તરના વાયરિંગ માટે છે.

ધાતુના સ્તરનું ઉત્પાદન:
ઉપરોક્ત શરતો હેઠળ, અમે ધાતુના બીજા સ્તરને ડીપ કરવા માટે PVD નો ઉપયોગ કરીએ છીએ. આ ધાતુ મુખ્યત્વે કોપર આધારિત એલોય છે.

પછી એક્સપોઝર અને ઇચિંગ પછી, આપણને જે જોઈએ છે તે મળે છે. પછી અમે અમારી જરૂરિયાતો પૂરી કરીએ ત્યાં સુધી સ્ટેક અપ કરવાનું ચાલુ રાખો.

જ્યારે આપણે લેઆઉટ દોરીશું, ત્યારે અમે તમને કહીશું કે ધાતુના કેટલા સ્તરો અને વપરાયેલી પ્રક્રિયા દ્વારા વધુમાં વધુ સ્ટેક કરી શકાય છે, જેનો અર્થ છે કે તેને કેટલા સ્તરો સ્ટેક કરી શકાય છે.
અંતે, આપણને આ માળખું મળે છે. ટોચનું પેડ આ ચિપની પિન છે, અને પેકેજિંગ પછી, તે પિન બની જાય છે જે આપણે જોઈ શકીએ છીએ (અલબત્ત, મેં તેને અવ્યવસ્થિત રીતે દોર્યું છે, ત્યાં કોઈ વ્યવહારિક મહત્વ નથી, ઉદાહરણ તરીકે).

આ ચિપ બનાવવાની સામાન્ય પ્રક્રિયા છે. આ અંકમાં, અમે સેમિકન્ડક્ટર ફાઉન્ડ્રીમાં સૌથી મહત્વપૂર્ણ એક્સપોઝર, એચિંગ, આયન ઇમ્પ્લાન્ટેશન, ફર્નેસ ટ્યુબ, સીવીડી, પીવીડી, સીએમપી વગેરે વિશે શીખ્યા.