Fábrica directamente China Green Sic carburo de silicio en po estándar JIS

Breve descrición:


Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Os nosos produtos son amplamente recoñecidos e fiables polos usuarios e poden satisfacer constantemente as demandas financeiras e sociais cambiantes de Factory directamente China GreenSicEstándar JIS de carburo de silicio en po, polo tanto, podemos atoparnos con diferentes consultas de diferentes clientes. Asegúrese de obter a nosa páxina web para consultar moita máis información e datos dos nosos produtos.
Os nosos produtos son amplamente recoñecidos e fiables polos usuarios e poden satisfacer as demandas financeiras e sociais en constante cambioCarburo de silicio de China, Sic, A nosa empresa sempre comprometida a satisfacer a súa demanda de calidade, prezos e obxectivos de vendas. Benvido a abrir os límites da comunicación. É un gran pracer atenderlle se precisa un provedor de confianza e información de valor.

Descrición do produto

Compostos de carbono/carbono(en diante denominado “C/C ou CFC”) é un tipo de material composto que está baseado en carbono e reforzado por fibra de carbono e os seus produtos (preforma de fibra de carbono). Ten tanto a inercia do carbono como a alta resistencia da fibra de carbono. Ten boas propiedades mecánicas, resistencia á calor, resistencia á corrosión, amortecemento da fricción e características de condutividade térmica e eléctrica.

CVD-SiCO revestimento ten as características de estrutura uniforme, material compacto, resistencia a altas temperaturas, resistencia á oxidación, alta pureza, resistencia a ácidos e álcalis e reactivo orgánico, con propiedades físicas e químicas estables.

En comparación cos materiais de grafito de alta pureza, o grafito comeza a oxidarse a 400 °C, o que provocará unha perda de po debido á oxidación, o que provocará contaminación ambiental para dispositivos periféricos e cámaras de baleiro e aumentará as impurezas do ambiente de alta pureza.

Non obstante, o revestimento de SiC pode manter a estabilidade física e química a 1600 graos, é amplamente utilizado na industria moderna, especialmente na industria de semicondutores.

A nosa empresa ofrece servizos de proceso de revestimento de SiC mediante o método CVD na superficie de grafito, cerámica e outros materiais, de xeito que os gases especiais que conteñen carbono e silicio reaccionen a alta temperatura para obter moléculas de SiC de alta pureza, moléculas depositadas na superficie dos materiais revestidos, formando capa protectora SIC. O SIC formado está firmemente unido á base de grafito, dándolle propiedades especiais á base de grafito, facendo que a superficie do grafito sexa compacta, libre de porosidade, resistencia a altas temperaturas, resistencia á corrosión e á oxidación.

 Procesamento de recubrimento de SiC en susceptores MOCVD de superficie de grafito

Principais características:

1. Resistencia á oxidación a alta temperatura:

a resistencia á oxidación aínda é moi boa cando a temperatura é tan alta como 1600 C.

2. Alta pureza: feita por deposición química de vapor en condicións de cloración a alta temperatura.

3. Resistencia á erosión: alta dureza, superficie compacta, partículas finas.

4. Resistencia á corrosión: ácido, álcali, sal e reactivos orgánicos.

 

Especificacións principais dos revestimentos CVD-SIC:

SiC-CVD

Densidade

(g/cc)

3.21

Resistencia á flexión

(Mpa)

470

Expansión térmica

(10-6/K)

4

Condutividade térmica

(W/mK)

300

Imaxes detalladas

Procesamento de recubrimento de SiC en susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamento de recubrimento de SiC en susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamento de recubrimento de SiC en susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamento de recubrimento de SiC en susceptores MOCVD de superficie de grafitoProcesamento de recubrimento de SiC en susceptores MOCVD de superficie de grafito

Información da empresa

111

Equipos de fábrica

222

Almacén

333

Certificacións

Certificacións 22

 


  • Anterior:
  • Seguinte:

  • Chat en liña de WhatsApp!