epitaxial de arseniuro de galio-fosfuro

Breve descrición:

Estruturas epitaxiais de arseniuro de galio-fosfuro, semellantes ás estruturas producidas do tipo substrato ASP (ET0.032.512TU), para o. fabricación de cristais LED planos vermellos.

Envíanos un correo electrónico Descarga como PDF

Detalle do produto

Etiquetas de produtos

Estruturas epitaxiais de arseniuro de galio-fosfuro, semellantes ás estruturas producidas do tipo substrato ASP (ET0.032.512TU), para o. fabricación de cristais LED planos vermellos.

Parámetro técnico básico
ás estruturas de arseniuro de galio-fosfuro

1, SubstrateGaAs
a. Tipo de condutividade	electrónico
b. Resistividad, ohm-cm	0,008
c. Orientación cristalina	(100)
d. Desorientación superficial	(1−3)°

2. Capa epitaxial GaAs1-х Pх
a. Tipo de condutividade	electrónico
b. Contido de fósforo na capa de transición	de х = 0 ata х ≈ 0,4
c. Contido de fósforo nunha capa de composición constante	х ≈ 0,4
d. Concentración de portadores, сm3	(0,2−3,0)·1017
e. Lonxitude de onda ao máximo do espectro de fotoluminiscencia, nm	645−673 nm
f. Lonxitude de onda no máximo do espectro de electroluminiscencia	650-675 nm
g. Espesor de capa constante, micras	Polo menos 8 nm
h. Espesor de capa (total), micras	Polo menos 30 nm

3 Placa con capa epitaxial
a. Deflexión, micras	Como máximo 100 um
b. Espesor, micras	360-600 um
c. Centímetro cadrado	Polo menos 6 cm2
d. Intensidade luminosa específica (despois da difusión Zn), cd/amp	Polo menos 0,05 cd/amp