Solaraich OEM Sìona Sàr-mhath Sic Green Silicon Carbide airson Bonded Coated

Tuairisgeul goirid:

Bidh còmhdach SiC de substrate Graphite airson tagraidhean Semiconductor a ’toirt a-mach pàirt le purrachd nas fheàrr agus an aghaidh àile oxidizing. Tha CVD SiC no CVI SiC air a chuir an sàs ann an Graphite de phàirtean dealbhaidh sìmplidh no iom-fhillte. Faodar còmhdach a chuir an sàs ann an diofar thiugh agus gu pàirtean glè mhòr.


  • Àite Tùs:Zhejiang, Sìona (Tìr-mòr)
  • Àireamh Modail:Àireamh Modail:
  • Dèanamh ceimigeach:Graphite còmhdaichte le SiC
  • Neart sùbailteach:470 Mpa
  • Gluasad teirmeach:300 W/mK
  • Càileachd:foirfe
  • Gnìomh:CVD-SiC
  • Iarrtas:Semiconductor / Photovoltaic
  • Dùmhlachd:3.21 g/cc
  • Leudachadh teirmeach:4 10-6/K
  • Ash: <5ppm
  • Sampall:Ri fhaotainn
  • Còd HS:6903100000
  • Mion-fhiosrachadh toraidh

    Bathar Tags

    Gus coinneachadh ri toileachas an luchd-ceannach ris an robh dùil, tha an sgioba làidir againn gus an taic thar-iomlan as fheàrr a thabhann a tha a’ toirt a-steach margaidheachd, teachd a-steach, tighinn suas le, cinneasachadh, riaghladh sàr-mhath, pacadh, stòradh agus logistics airson Solarachadh OEM Sìona Sàr-mhath Sic Green Tha Silicon Carbide airson sgrìoban còmhdaichte le ceangal, seirbheis àrd-inbhe, ùineail agus ìre ionnsaigheach, uile a’ cosnadh cliù sàr-mhath dhuinn ann an raon stuthan adhartach a dh’ aindeoin an dian cho-fharpais eadar-nàiseanta.

    Tuairisgeul toraidh

    Tha buannachdan sònraichte bho ar luchd-gabhail grafait còmhdaichte le SiC a’ toirt a-steach purrachd fìor àrd, còmhdach aon-ghnèitheach agus beatha seirbheis sàr-mhath. Tha neart ceimigeach àrd aca cuideachd agus feartan seasmhachd teirmeach.

    Bidh còmhdach SiC de substrate Graphite airson tagraidhean Semiconductor a ’toirt a-mach pàirt le purrachd nas fheàrr agus an aghaidh àile oxidizing.
    Tha CVD SiC no CVI SiC air a chuir an sàs ann an Graphite de phàirtean dealbhaidh sìmplidh no iom-fhillte. Faodar còmhdach a chuir an sàs ann an diofar thiugh agus gu pàirtean glè mhòr.

    Còmhdach SiC / còmhdach MOCVD Susceptor

    Feartan:
    · Sàr-aghaidh clisgeadh teirmeach
    · Sàr-aghaidh corporra clisgeadh
    · Sàr-aghaidh ceimigeach
    · Super High Purity
    · Ri fhaighinn ann an cumadh iom-fhillte
    · Faodar a chleachdadh fo Atmosphere Oxidizing

    Iarrtas:

    2

     

    Feartan àbhaisteach stuth bunaiteach grafait:

    Dùmhlachd follaiseach: 1.85 g / cm3
    Frith-aghaidh dealain: 11 mh
    Neart sùbailte: 49 mpa (500kgf/cm2)
    cruas a' chladaich: 58
    Ash: <5ppm
    Giùlan teirmeach: 116 W / mK (100 kcal / mhr- ℃)

    Bidh carbon a’ solarachadh suaicheantais agus co-phàirtean grafait airson a h-uile reactor epitaxy gnàthach. Tha ar cùram-roinne a’ toirt a-steach suaicheantais baraille airson aonadan gnìomhaichte agus LPE, susceptors pancake airson aonadan LPE, CSD, agus Gemini, agus suaicheantais aon-wafer airson aonadan gnìomhaichte agus ASM. a’ tabhann an dealbhadh as fheàrr airson an tagradh agad.

     


  • Roimhe:
  • Air adhart:

  • Còmhradh WhatsApp air-loidhne!