Bàta Wafer Silicon Carbide ath-chriostalaichte le còmhdach CVD

Tuairisgeul goirid:

Is e toradh àrd-choileanaidh a th’ ann an VET Energy Recrystallized Silicon Carbide Wafer Boat a chaidh a dhealbhadh gus coileanadh cunbhalach agus earbsach a thoirt seachad thar ùine leudaichte. Tha neart teas fìor mhath aige agus èideadh teirmeach, fìor-ghlanachd, strì an aghaidh bleith, ga fhàgail na fhuasgladh foirfe airson tagraidhean giollachd wafer.

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

Feartan ath-chriostalachadh silicon carbide

Is e stuth àrd-choileanadh a th’ ann an carbide silicon ath-chriostalaichte (R-SiC) le cruas san dàrna àite a-mhàin dha daoimean, a tha air a chruthachadh aig teòthachd àrd os cionn 2000 ℃. Bidh e a’ gleidheadh mòran fheartan sàr-mhath SiC, leithid neart teòthachd àrd, strì an aghaidh creimeadh làidir, strì an aghaidh oxidation sàr-mhath, deagh sheasamh clisgeadh teirmeach agus mar sin air adhart.

● Feartan meacanaigeach sàr-mhath. Tha neart agus stiffness nas àirde aig carbide silicon ath-chriostalaichte na snàithleach gualain, neart buaidh àrd, faodaidh e coileanadh math a chluich ann an àrainneachdan fìor theodhachd, is urrainn dha coileanadh frith-chothromachaidh nas fheàrr a chluich ann an grunn shuidheachaidhean. A bharrachd air an sin, tha sùbailteachd math aige cuideachd agus chan eil e furasta a mhilleadh le bhith a 'sìneadh agus a' lùbadh, a tha gu mòr a 'leasachadh a choileanadh.

● Àrd meirg aghaidh. Tha an aghaidh creimeadh àrd aig carbide silicon ath-chriostail ri grunn mheadhanan, faodaidh e casg a chuir air crìonadh de dhiofar mheadhanan creimneach, is urrainn dha na feartan meacanaigeach aige a chumail suas airson ùine mhòr, tha greim làidir aige, gus am bi beatha seirbheis nas fhaide aige. A bharrachd air an sin, tha deagh sheasmhachd teirmeach aige, is urrainn dha atharrachadh gu raon sònraichte de dh’ atharrachaidhean teothachd, agus buaidh tagraidh a leasachadh.

● Chan eil sintering a' crìonadh. Leis nach bi am pròiseas sintering a’ crìonadh, cha bhith cuideam air fhàgail ag adhbhrachadh deformachadh no sgàineadh an toraidh, agus faodar pàirtean le cumaidhean iom-fhillte agus mionaideachd àrd ullachadh.

理特性 Feartan fiosaigeach ath-chriostalachadh Silicon Carbide
性质 / Seilbh	典型数值 / Luach àbhaisteach
用温度/ Teòthachd obrach (°C)	1600 ° C (le ocsaidean), 1700 ° C (a 'lùghdachadh àrainneachd)
SiCAch/ Susbaint SiC	> 99.96%
àitSi 含量/ Susbaint Si an-asgaidh	< 0.1%
Leughadh 密度/Meud dùmhlachd	2.60-2.70 g / cm³
气孔率/ Porosity a rèir coltais	< 16%
抗压强度/ Neart teannachaidh	> 600MPa
常温抗弯强度/Neart cromadh fuar	80-90 mpa (20 ° C)
高温抗弯强度Neart cromadh teth	90-100 mpa (1400 ° C)
热膨胀系数/ Leudachadh teirmeach @ 1500 ° C	4.70 10^-6/°C
导热系数/Giùlan teirmeach @ 1200 ° C	23W/m•K
杨氏模量/ Modal elastic	240 GPa
抗热震性/ Cur an aghaidh clisgeadh teirmeach	Air leth math

Tha VET Energy anfìor neach-dèanamh de thoraidhean grafait agus silicon carbide gnàthaichte le còmhdach CVD,urrainn solarachadhcaochladhpàirtean gnàthaichte airson gnìomhachas semiconductor agus photovoltaic. Our sgioba teignigeach a’ tighinn bho phrìomh ionadan rannsachaidh dachaigheil, is urrainn dhaibh fuasglaidhean stuthan nas proifeiseanta a thoirt seachadDhutsa.

Tha sinn an-còmhnaidh a’ leasachadh phròiseasan adhartach gus stuthan nas adhartaiche a thoirt seachad,agusair teicneòlas sònraichte le peutant obrachadh a-mach, a dh’ fhaodas an ceangal eadar an còmhdach agus an t-substrate a dhèanamh nas teann agus nas buailtiche a bhith air a sgaradh.

CVD SiC薄膜基本物理性能 Feartan corporra bunaiteach CVD SiCcòmhdachadh
性质 / Seilbh	典型数值 / Luach àbhaisteach
晶体结构 / Structar Criostail	FCC β ìre多晶,主要为（111）
Seadh / Dùmhlachd	3.21 g / cm³
硬度 / Cruaidh	2500 维氏硬度（500g load）
晶粒大小 / Grain SiZe	2 ~ 10 m
纯度 / Purity ceimigeach	99.99995%
adh / Comas teas	640 J·kg^-1·K^-1
升华温度 / Sublimation Teòthachd	2700 ℃
抗弯强度 / Neart sùbailte	415 MPa RT 4-phuing
杨氏模量 / Modulus Young	430 Gpa 4pt lùb, 1300 ℃
导热系数 / TeirmlGiùlan	300W·m^-1·K^-1
热膨胀系数 / Leudachadh teirmeach (CTE)	4.5 × 10^-6K^-1