Sgrùdadh Càileachd airson Sìona Industrial Polycrystalline Diamond Powder 3-6um airson Sapphire Wafer

Tuairisgeul goirid:


  • Àite Tùs:Sìona
  • Structar Crystal:Ìre FCCβ
  • Dùmhlachd:3.21 g / cm;
  • cruas:2500 Vickers;
  • Meud gràin:2 ~ 10 μm;
  • Purity ceimigeach:99.99995%;
  • Comas teas:640J·kg-1·K-1;
  • Teòthachd sublimation:2700 ℃;
  • Neart Felexural:415 Mpa (RT 4-Point);
  • Modulus Young:430 Gpa (4pt lùb, 1300 ℃);
  • Leudachadh teirmeach (CTE):4.5 10-6K-1;
  • Giùlan teirmeach:300 (W/MK);
  • Mion-fhiosrachadh toraidh

    Bathar Tags

    Is e “Dìomhaireachd, Ùr-ghnàthachadh, Rigorousness, agus Èifeachdas” bun-bheachd leantainneach a ’chompanaidh againn airson an fhad-ùine a bhith a’ leasachadh còmhla ri teachdaichean airson co-ionannachd agus buannachd dha chèile airson Sgrùdadh Càileachd airson Sìona Industrial PolycrystallinePùdar Daoimein3-6um airson Sapphire Wafer, Tha sinn misneachail gum b’ urrainn dhuinn na toraidhean agus na fuasglaidhean àrd-inbhe a thabhann aig prìs reusanta, taic iar-reic nas fheàrr a-steach don luchd-ceannach. Agus togaidh sinn ruith fhada beothail.
    Is e “Dìomhaireachd, Ùr-ghnàthachadh, Rigorousness, agus Èifeachdas” bun-bheachd leantainneach a ’chompanaidh againn airson an fhad-ùine a bhith a’ leasachadh còmhla ri teachdaichean airson co-ionannachd agus buannachd dha chèile airsonSìona Synthetic Diamond, Pùdar Daoimein, Bidh sinn an-còmhnaidh a’ cumail a-mach gur e “Càileachd an toiseach, tha Teicneòlas Bunait, Ionracas agus Ùr-ghnàthachadh” comasach dhuinn toraidhean ùra a leasachadh gu leantainneach gu ìre nas àirde gus feumalachdan eadar-dhealaichte luchd-ceannach a shàsachadh.
    Tuairisgeul toraidh

    Bidh a ’chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC.

    Prìomh fheartan:

    1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh:

    tha an aghaidh oxidation fhathast fìor mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.

    2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh bhalbhaichean ceimigeach fo chumhachan clorination àrd teòthachd.

    3. Frith-aghaidh bleith: cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.

    4. Frith-chreimeadh: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.

    Prìomh Shònrachaidhean de CVD-SIC Coating

    Feartan SiC-CVD

    Structar Crystal FCC β ìre
    Dùmhlachd g/cm³ 3.21
    cruas Vickers cruas 2500
    Meud gràin μm 2~10
    Purity ceimigeach % 99.99995
    Comas teas J·kg-1 ·K-1 640
    Teòthachd sublimation 2700
    Neart Felexural MPa (RT 4-puing) 415
    Modulus Young Gpa (lùb 4pt, 1300 ℃) 430
    Leudachadh teirmeach (CTE) 10-6K-1 4.5
    Giùlan teirmeach (W/mK) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • Roimhe:
  • Air adhart:

  • Còmhradh WhatsApp air-loidhne!