Naidheachdan

Peadalan air an cleachdadh gu cumanta airson epitaxy ìre vapor
le rianaire air 24-07-30
Tron phròiseas epitaxy ìre vapor (VPE), is e àite a’ choise taic a thoirt don fho-strat agus dèanamh cinnteach à teasachadh èideadh tron phròiseas fàis. Tha diofar sheòrsaichean de pedestals freagarrach airson diofar shuidheachaidhean fàis agus siostaman stuthan. Seo cuid de na...
Leugh tuilleadh
Ciamar a leudaicheas tu beatha seirbheis thoraidhean còmhdaichte le tantalum carbide?
le rianaire air 24-07-26
Is e stuth àrd-teodhachd a thathas a’ cleachdadh gu cumanta a th’ ann am bathar còmhdaichte le tantalum carbide, air a chomharrachadh le neart teothachd àrd, strì an aghaidh creimeadh, caitheamh caitheamh, msaa. Mar sin, tha iad air an cleachdadh gu farsaing ann an gnìomhachasan leithid aerospace, ceimigeach agus lùth. Airson ex...
Leugh tuilleadh
Dè an diofar eadar PECVD agus LPCVD ann an uidheamachd CVD semiconductor?
le rianaire air 24-07-24
Tha tasgadh bhalbhaichean ceimigeach (CVD) a’ toirt iomradh air a’ phròiseas airson film cruaidh a thasgadh air uachdar wafer sileacain tro ath-bhualadh ceimigeach de mheasgachadh gas. A rèir nan diofar shuidheachaidhean ath-bhualadh (cuideam, ro-ruithear), faodar a roinn ann an diofar uidheamachd ...
Leugh tuilleadh
Feartan molltair grafait silicon carbide
le rianaire air 24-07-18
Mould Graphite Silicon Carbide Tha molltair grafait silicon carbide na molltair co-dhèanta le silicon carbide (SiC) mar bhunait agus grafait mar stuth ath-neartachaidh. Tha giùlan teirmeach sàr-mhath aig a’ mholltair seo, strì an aghaidh teòthachd àrd, strì an aghaidh creimeadh agus ...
Leugh tuilleadh
Pròiseas semiconductor làn phròiseas photolithography
le rianaire air 24-07-16
Feumaidh saothrachadh gach toradh semiconductor ceudan de phròiseasan. Bidh sinn a’ roinn a’ phròiseas saothrachaidh gu h-iomlan ann an ochd ceumannan: giollachd wafer-oxidation-photolithography-etching-thin film deposit-epitaxial growth- disfusion-ion implantation. Gus do chuideachadh ...
Leugh tuilleadh
4 billean! Tha SK Hynix ag ainmeachadh tasgadh pacaidh adhartach semiconductor aig Pàirc Rannsachaidh Purdue
le rianaire air 24-07-09
West Lafayette, Indiana - dh’ainmich SK hynix Inc. planaichean gus faisg air $ 4 billean a thasgadh gus goireas saothrachaidh pacaidh agus R&D adhartach a thogail airson toraidhean fiosrachaidh fuadain aig Pàirc Rannsachaidh Purdue. A’ stèidheachadh prìomh cheangal ann an sèine solair semiconductor na SA ann an West Lafayett ...
Leugh tuilleadh
Bidh teicneòlas laser a ’stiùireadh cruth-atharrachadh teicneòlas giullachd substrate silicon carbide
le rianaire air 24-07-08
1. Sealladh farsaing air teicneòlas giullachd substrate carbide silicon Tha na ceumannan giullachd substrate carbide silicon gnàthach a’ toirt a-steach: a ’bleith a’ chearcall a-muigh, slicing, chamfering, bleith, snasadh, glanadh, msaa.
Leugh tuilleadh
Stuthan achaidh teirmeach prìomh-shruthach: stuthan co-dhèanta C / C
le rianaire air 24-07-01
Is e seòrsa de choimeasgaidhean snàithleach gualain a th’ ann an carbon-carbon composites, le snàithleach gualain mar stuth ath-neartachaidh agus carbon air a thasgadh mar stuth matrix. Is e carbon am matrix de choimeasgaidhean C/C. Leis gu bheil e cha mhòr gu tur air a dhèanamh suas de ghualain eileamaideach, tha seasamh an-aghaidh teòthachd àrd sàr-mhath aige ...
Leugh tuilleadh
Trì prìomh dhòighean airson fàs criostail SiC
le rianaire air 24-07-01
Mar a chithear ann am Fig. 3, tha trì prìomh dhòighean ann a tha ag amas air criostal singilte SiC a thoirt seachad le càileachd àrd agus èifeachd: epitaxy ìre leaghaidh (LPE), còmhdhail bhalbhaichean corporra (PVT), agus tasgadh bhalbhaichean ceimigeach àrd-teòthachd (HTCVD). Tha PVT na phròiseas stèidhichte airson cinneasachadh SiC sin ...
Leugh tuilleadh