Dè a th’ ann am pròiseas BCD?
Tha pròiseas BCD na theicneòlas pròiseas aonaichte aon-chip a chaidh a thoirt a-steach an toiseach le ST ann an 1986. Faodaidh an teicneòlas seo innealan bipolar, CMOS agus DMOS a dhèanamh air an aon chip. Tha a choltas a 'lùghdachadh gu mòr farsaingeachd a' chip.
Faodar a ràdh gu bheil pròiseas BCD a’ dèanamh làn fheum de na buannachdan bho chomas dràibhidh Bipolar, amalachadh àrd CMOS agus caitheamh cumhachd ìosal, agus bholtadh àrd DMOS agus comas sruth àrd. Nam measg, is e DMOS an iuchair airson cumhachd agus amalachadh a leasachadh. Le tuilleadh leasachaidh air teicneòlas cuairteachaidh amalaichte, tha pròiseas BCD air a thighinn gu bhith na phrìomh theicneòlas saothrachaidh aig PMIC.
Diagram tar-roinneil pròiseas BCD, lìonra stòr, tapadh leat
Buannachdan pròiseas BCD
Bidh pròiseas BCD a’ dèanamh innealan Bipolar, innealan CMOS, agus innealan cumhachd DMOS air an aon chip aig an aon àm, a’ fighe a-steach comas tar-ghiùlain àrd agus luchdan làidir innealan bipolar agus amalachadh àrd agus caitheamh cumhachd ìosal CMOS, gus an urrainn dhaibh cur ris. a chèile agus làn chluich a thoirt do na buannachdan fa leth aca; aig an aon àm, faodaidh DMOS obrachadh ann am modh suidse le caitheamh cumhachd gu math ìosal. Ann an ùine ghoirid, is e caitheamh cumhachd ìosal, èifeachdas lùtha àrd agus amalachadh àrd aon de na prìomh bhuannachdan aig BCD. Faodaidh pròiseas BCD caitheamh cumhachd a lughdachadh gu mòr, coileanadh siostam adhartachadh agus earbsachd nas fheàrr a bhith aige. Tha gnìomhan stuthan dealanach a 'dol am meud bho latha gu latha, agus tha na riatanasan airson atharrachaidhean bholtachd, dìon capacitor agus leudachadh beatha bataraidh a' sìor fhàs cudromach. Tha feartan àrd-astar agus sàbhalaidh lùth BCD a’ coinneachadh ri riatanasan pròiseas airson sgoltagan riaghlaidh cumhachd / analog àrd-choileanaidh.
Prìomh theicneòlasan pròiseas BCD
Tha innealan àbhaisteach pròiseas BCD a’ toirt a-steach CMOS le bholtachd ìosal, tiùban MOS bholtachd àrd, LDMOS le diofar bholtaids briseadh, NPN dìreach / PNP agus diodes Schottky, msaa. innealan ann am pròiseas BCD. Mar sin, a bharrachd air a bhith a’ beachdachadh air co-chòrdalachd innealan bholtachd àrd agus innealan bholtachd ìosal, pròiseasan cliog dùbailte agus pròiseasan CMOS, msaa anns an dealbhadh, feumar beachdachadh cuideachd air teicneòlas aonaranachd iomchaidh.
Ann an teicneòlas iomallachd BCD, tha mòran theicneòlasan leithid aonaranachd snaim, fèin-aonaranachd agus aonaranachd dielectric air nochdadh aon às deidh a chèile. Is e teicneòlas aonaranachd snaim an inneal a dhèanamh air an t-sreath epitaxial seòrsa N den t-substrate seòrsa P agus a bhith a’ cleachdadh feartan claon-cùil an t-snaim PN gus aonaranachd a choileanadh, leis gu bheil neart àrd aig ceann-rathaid PN fo chlaonadh cùil.
Tha teicneòlas fèin-aonaranachd gu ìre mhòr na aonaranachd snaim PN, a tha an urra ri feartan snaim PN nàdarra eadar stòran agus roinnean drèanaidh an inneil agus an t-substrate gus aonaranachd a choileanadh. Nuair a thèid an tiùb MOS a thionndadh air, tha an roinn stòr, an roinn drèanaidh agus an t-sianal air an cuairteachadh leis an roinn dòrtadh, a’ cruthachadh aonaranachd bhon fho-strat. Nuair a thèid a chuir dheth, tha an snaim PN eadar an roinn drèanaidh agus an t-substrate air a chlaonadh air ais, agus tha bholtadh àrd na roinne stòr air a sgaradh leis an roinn dòrtadh.
Bidh iomallachd dielectric a’ cleachdadh meadhanan inslithe leithid silicon oxide gus aonaranachd a choileanadh. Stèidhichte air iomallachd dielectric agus aonaranachd snaim, chaidh aonaranachd leth-dielectric a leasachadh le bhith a’ cothlamadh buannachdan an dà chuid. Le bhith a’ gabhail ris an teicneòlas aonaranachd gu h-àrd gu roghnach, faodar co-chòrdalachd àrd-bholtaid agus bholtachd ìosal a choileanadh.
Stiùir leasachaidh pròiseas BCD
Chan eil leasachadh teicneòlas pròiseas BCD coltach ris a 'phròiseas CMOS àbhaisteach, a bha a-riamh a' leantainn lagh Moore gus leasachadh a dhèanamh air stiùireadh leud loidhne nas lugha agus astar nas luaithe. Tha pròiseas BCD air a eadar-dhealachadh gu ìre mhòr agus air a leasachadh ann an trì stiùiridhean: bholtadh àrd, cumhachd àrd, agus dùmhlachd àrd.
1. Àrd-bholtaids BCD stiùireadh
Faodaidh BCD àrd-bholtaid cuairtean smachd bholtachd ìosal àrd-earbsach agus cuairtean ìre DMOS ultra-bholtaids a dhèanamh air an aon chip aig an aon àm, agus is urrainn dhaibh cinneasachadh innealan bholtachd àrd 500-700V a thoirt gu buil. Ach, san fharsaingeachd, tha BCD fhathast freagarrach airson toraidhean le riatanasan coimeasach àrd airson innealan cumhachd, gu sònraichte BJT no innealan DMOS àrd-làthaireach, agus faodar a chleachdadh airson smachd cumhachd ann an solais dealanach agus tagraidhean gnìomhachais.
Is e an teicneòlas gnàthach airson saothrachadh BCD àrd-bholtaid an teicneòlas RESUF a mhol Appel et al. ann an 1979. Tha an inneal air a dhèanamh le bhith a’ cleachdadh còmhdach epitaxial le dopadh aotrom gus cuairteachadh an raon dealain uachdar a dhèanamh nas còmhnairde, agus mar sin a’ leasachadh feartan briseadh an uachdair, gus am bi am briseadh sìos a’ tachairt anns a’ bhodhaig an àite an uachdair, agus mar sin a’ meudachadh bholtaids brisidh an inneil. Tha dopadh aotrom na dhòigh eile air bholtachd briseadh sìos BCD àrdachadh. Bidh e sa mhòr-chuid a’ cleachdadh drèana dùbailte sgaoilte DDD (Drain Doping dùbailte) agus drèanadh aotrom le doped LDD (Drain Doping aotrom). Ann an roinn drèanaidh DMOS, thèid roinn drifidh seòrsa N a chur ris gus an ceangal tùsail eadar an drèana N + agus an t-substrate seòrsa P atharrachadh chun cheangal eadar an N- drain agus an substrate seòrsa P, agus mar sin ag àrdachadh an bholtadh briseadh sìos.
2. Àrd-chumhachd BCD stiùireadh
Is e an raon bholtachd de BCD àrd-chumhachd 40-90V, agus tha e air a chleachdadh sa mhòr-chuid ann an electronics chàraichean a dh ’fheumas comas dràibhidh gnàthach àrd, bholtadh meadhanach agus cuairtean smachd sìmplidh. Is e na feartan iarrtas aige comas dràibhidh gnàthach àrd, bholtadh meadhanach, agus gu tric tha an cuairteachadh smachd gu math sìmplidh.
3. Àrd-dùmhlachd BCD stiùireadh
BCD àrd-dùmhlachd, is e an raon bholtachd 5-50V, agus ruigidh cuid de electronics chàraichean 70V. Faodar gnìomhan nas iom-fhillte agus nas eadar-mheasgte a bhith air an amalachadh air an aon chip. Bidh BCD àrd-dùmhlachd a’ gabhail ri cuid de bheachdan dealbhaidh modular gus iomadachadh toraidh a choileanadh, air a chleachdadh sa mhòr-chuid ann an tagraidhean electronics chàraichean.
Prìomh thagraidhean pròiseas BCD
Tha pròiseas BCD air a chleachdadh gu farsaing ann an riaghladh cumhachd (cumhachd agus smachd bataraidh), draibheadh taisbeanaidh, electronics fèin-ghluasadach, smachd gnìomhachais, msaa. Is e chip riaghlaidh cumhachd (PMIC) aon de na seòrsaichean cudromach de chips analog. Tha an cothlamadh de phròiseas BCD agus teicneòlas SOI cuideachd na phrìomh fheart de leasachadh pròiseas BCD.
Faodaidh VET-China pàirtean grafait a thoirt seachad, faireachdainn bog, pàirtean carbide sileacain, pàirtean cvD silicon carbide, agus pàirtean còmhdaichte le sic / Tac ann an 30 latha.
Ma tha ùidh agad anns na toraidhean semiconductor gu h-àrd, na bi leisg fios a chuir thugainn aig a’ chiad uair.
Fòn:+86-1891 1596 392
WhatsAPP: 86-18069021720
Post-d:yeah@china-vet.com
Ùine puist: Sultain 18-2024