Naidheachdan

Feartan molltair grafait silicon carbide
le rianaire air 24-07-18
Mould Graphite Silicon Carbide Tha molltair grafait silicon carbide na molltair co-dhèanta le silicon carbide (SiC) mar bhunait agus grafait mar stuth ath-neartachaidh. Tha giùlan teirmeach sàr-mhath aig a’ mholltair seo, neart teothachd àrd, strì an aghaidh creimeadh agus caitheamh caitheamh ...
Leugh tuilleadh
Pròiseas semiconductor làn phròiseas photolithography
le rianaire air 24-07-16
Feumaidh saothrachadh gach toradh semiconductor ceudan de phròiseasan. Bidh sinn a’ roinn a’ phròiseas saothrachaidh gu h-iomlan ann an ochd ceumannan: giollachd wafer-oxidation-photolithography-etching-thin film deposit-epitaxial growth- disfusion-ion implantation. Gus do chuideachadh ...
Leugh tuilleadh
4 billean! Tha SK Hynix ag ainmeachadh tasgadh pacaidh adhartach semiconductor aig Pàirc Rannsachaidh Purdue
le rianaire air 24-07-09
West Lafayette, Indiana - dh’ainmich SK hynix Inc. planaichean gus faisg air $ 4 billean a thasgadh gus goireas saothrachaidh pacaidh agus R&D adhartach a thogail airson toraidhean fiosrachaidh fuadain aig Pàirc Rannsachaidh Purdue. A’ stèidheachadh prìomh cheangal ann an sèine solair semiconductor na SA ann an West Lafayett ...
Leugh tuilleadh
Bidh teicneòlas laser a ’stiùireadh cruth-atharrachadh teicneòlas giullachd substrate silicon carbide
le rianaire air 24-07-08
1. Sealladh farsaing air teicneòlas giullachd substrate carbide silicon Tha na ceumannan giollachd substrate carbide silicon gnàthach a’ toirt a-steach: a bhith a’ bleith a’ chearcall a-muigh, a’ slicing, a’ chamfering, a’ bleith, a’ snasadh, a’ glanadh, msaa. Tha slicing na cheum cudromach ann an...
Leugh tuilleadh
Stuthan achaidh teirmeach prìomh-shruthach: stuthan co-dhèanta C / C
le rianaire air 24-07-01
Is e seòrsa de choimeasgaidhean snàithleach gualain a th’ ann an carbon-carbon composites, le snàithleach gualain mar stuth ath-neartachaidh agus carbon air a thasgadh mar stuth matrix. Is e carbon am matrix de choimeasgaidhean C/C. Leis gu bheil e cha mhòr gu tur air a dhèanamh suas de ghualain eileamaideach, tha seasamh an-aghaidh teòthachd àrd sàr-mhath aige ...
Leugh tuilleadh
Trì prìomh dhòighean airson fàs criostail SiC
le rianaire air 24-07-01
Mar a chithear ann am Fig. 3, tha trì prìomh dhòighean ann a tha ag amas air criostal singilte SiC a thoirt seachad le càileachd àrd agus èifeachd: epitaxy ìre leaghaidh (LPE), còmhdhail bhalbhaichean corporra (PVT), agus tasgadh bhalbhaichean ceimigeach àrd-teòthachd (HTCVD). Tha PVT na phròiseas stèidhichte airson cinneasachadh SiC sin ...
Leugh tuilleadh
GaN semiconductor treas-ghinealach agus teicneòlas epitaxial co-cheangailte ris
le rianaire air 24-06-28
1. Semiconductors treas ginealach Chaidh an teicneòlas semiconductor ciad-ghinealach a leasachadh stèidhichte air stuthan semiconductor leithid Si agus Ge. Tha e na bhunait stuthan airson leasachadh transistors agus teicneòlas cuairteachaidh amalaichte. Chuir na stuthan semiconductor den chiad ghinealach am f ...
Leugh tuilleadh
23.5 billean, tha super unicorn Suzhou a’ dol gu IPO
le rianaire air 24-06-28
Às deidh 9 bliadhna de ghnìomhachas, tha Innoscience air còrr air 6 billean yuan a thogail ann am maoineachadh iomlan, agus tha a luachadh air ruighinn 23.5 billean yuan iongantach. Tha an liosta de luchd-tasgaidh cho fada ri dusanan de chompanaidhean: Fukun Venture Capital, Dongfang State Property Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian ...
Leugh tuilleadh
Ciamar a bhios toraidhean còmhdaichte le tantalum carbide ag àrdachadh an aghaidh creimeadh stuthan?
le rianaire air 24-06-25
Tha còmhdach Tantalum carbide na theicneòlas làimhseachaidh uachdar a thathas a ’cleachdadh gu cumanta a dh’ fhaodadh leasachadh mòr a thoirt air strì an aghaidh stuthan. Faodar còmhdach carbide tantalum a cheangal ri uachdar an t-substrate tro dhiofar dhòighean ullachaidh, leithid tasgadh vapor ceimigeach, ...
Leugh tuilleadh