Tha ar bathar air an aithneachadh san fharsaingeachd agus earbsach le luchd-cleachdaidh agus faodaidh iad coinneachadh gu cunbhalach atharrachadh iarrtasan ionmhasail is sòisealta Factory gu dìreach China GreenSicPùdar Silicon Carbide JIS Standard, Mar sin, is urrainn dhuinn coinneachadh ri diofar cheistean bho dhiofar luchd-ceannach. Dèan cinnteach gum faigh thu an duilleag-lìn againn gus sùil a thoirt air tòrr a bharrachd fiosrachaidh agus fìrinnean bho na toraidhean againn.
Tha ar bathar aithnichte san fharsaingeachd agus earbsach le luchd-cleachdaidh agus faodaidh iad coinneachadh gu cunbhalach ri iarrtasan ionmhais is sòisealta deSìona Silicon Carbide, Sic, Bidh a 'chompanaidh againn an-còmhnaidh a' gealltainn coinneachadh ris an iarrtas càileachd agad, puingean prìse agus targaid reic. Tha fàilte chridheil oirbh fosgladh crìochan conaltraidh. Tha e na thoileachas mòr dhuinn seirbheis a thoirt dhut ma tha feum agad air solaraiche earbsach agus fiosrachadh luach.
Carbon / carbon compounds(air ainmeachadh an seo mar “C/C no CFC”) na sheòrsa de stuth co-dhèanta a tha stèidhichte air gualain agus air a dhaingneachadh le fiber carbon agus na toraidhean aige (preform fiber carbon). Tha an dà chuid inertia de charbon agus neart àrd fiber carbon. Tha deagh fheartan meacanaigeach aige, strì an aghaidh teas, strì an aghaidh creimeadh, taiseadh brisidh agus feartan seoltachd teirmeach is dealain
CVD-SiCtha feartan structar èideadh aig còmhdach, stuth teann, strì an aghaidh teòthachd àrd, strì an aghaidh oxidation, purrachd àrd, strì an aghaidh searbhag is alcalan agus reagent organach, le feartan corporra is ceimigeach seasmhach.
An coimeas ri stuthan grafait àrd-ghlan, bidh grafait a 'tòiseachadh a' oxidachadh aig 400C, a dh 'adhbhraicheas call pùdar mar thoradh air oxidation, a' leantainn gu truailleadh àrainneachd gu innealan iomaill agus seòmraichean falamh, agus a 'meudachadh neo-ionnanachd àrainneachd fìor-ghlan.
Ach, faodaidh còmhdach SiC seasmhachd corporra is ceimigeach a chumail aig 1600 ceum, Tha e air a chleachdadh gu farsaing ann an gnìomhachas an latha an-diugh, gu sònraichte ann an gnìomhachas semiconductor.
Bidh a ’chompanaidh againn a’ toirt seachad seirbheisean pròiseas còmhdach SiC le modh CVD air uachdar grafait, ceirmeag agus stuthan eile, gus am bi gasaichean sònraichte anns a bheil gualain agus silicon ag ath-fhreagairt aig teòthachd àrd gus moileciuilean SiC fìor-ghlan fhaighinn, moileciuilean air an tasgadh air uachdar nan stuthan còmhdaichte, a’ cruthachadh còmhdach dìon SIC. Tha an SIC a chaidh a chruthachadh ceangailte gu daingeann ris a ’bhunait ghrafait, a’ toirt feartan sònraichte don bhunait grafait, mar sin a ’dèanamh uachdar a’ ghrafait compact, gun porosity, an aghaidh teòthachd àrd, an aghaidh creimeadh agus strì an aghaidh oxidation.
Prìomh fheartan:
1. Àrd teòthachd oxidation an aghaidh:
tha an aghaidh oxidation fhathast fìor mhath nuair a tha an teòthachd cho àrd ri 1600 C.
2. Glanachd àrd: air a dhèanamh le tasgadh vapor ceimigeach fo chumhachan clorination àrd teòthachd.
3. Frith-aghaidh bleith: cruas àrd, uachdar teann, mìrean mìn.
4. Frith-chreimeadh: searbhag, alkali, salann agus ath-bheachdan organach.
Prìomh shònrachaidhean còmhdach CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| Dùmhlachd | (g/cc)
| 3.21 |
| Neart sùbailteach | (Mpa)
| 470 |
| Leudachadh teirmeach | (10-6/K) | 4
|
| Giùlan teirmeach | (W/mK) | 300
|
