Paddle Cantilever SiC adhartach airson giollachd wafer

Paddle Cantilever SiC adhartach airson giullachd wafer Ìomhaigh sònraichte

Tuairisgeul goirid:

Bidh an SiC Cantilever Paddle for Wafer Processing air a chuir air bhog le vet-china a’ cleachdadh stuthan SiC àrd-theicneòlas gus èifeachdas agus mionaideachd giollachd wafer a leasachadh. Tha pleadhag cantilever Vet-china a’ nochdadh sàr-aghaidh teas agus strì an aghaidh corrach, a’ dèanamh cinnteach à coileanadh làimhseachadh wafer seasmhach ann an àrainneachdan saothrachaidh cruaidh, ga dhèanamh na dheagh roghainn airson toradh cinneasachaidh a leasachadh.

Cuir post-d thugainn Luchdaich sìos mar PDF

Mion-fhiosrachadh toraidh

Bathar Tags

An AdhartachSiC Cantilever Paddleairson Wafer Processing a chaidh a chruthachadh le vet-china a’ toirt seachad fuasgladh sàr-mhath airson saothrachadh semiconductor. Tha am pleadhag cantilever seo air a dhèanamh de stuth SiC (silicon carbide), agus tha a chruas àrd agus an aghaidh teas a’ toirt cothrom dha coileanadh sàr-mhath a chumail suas ann an teòthachd àrd agus àrainneachdan creimneach. Tha dealbhadh an Cantilever Paddle a 'leigeil leis an wafer a bhith air a chumail suas gu h-earbsach aig àm giullachd, a' lùghdachadh cunnart briseadh agus milleadh.

SiC Cantilever Paddlena phàirt speisealta a thathas a’ cleachdadh ann an uidheamachd saothrachadh semiconductor leithid fùirneis oxidation, fùirneis sgaoilidh, agus fùirneis annealing, is e am prìomh chleachdadh airson luchdachadh is luchdachadh wafer, taic agus giùlan wafers tro phròiseasan àrd-teòthachd.

Structaran cumantaàSiCcfrith-dhubhpcuir a-steach: structar cantilever, stèidhichte aig aon cheann agus saor aig a 'cheann eile, mar as trice tha dealbhadh còmhnard agus coltach ri pleadhag.

Bidh VET Energy a’ cleachdadh stuthan carbide silicon ath-chriostalaichte àrd-ghlan gus càileachd a ghealltainn.

Feartan fiosaigeach ath-chriostalachadh Silicon Carbide
Seilbh	Luach àbhaisteach
Teòthachd obrach (°C)	1600 ° C (le ocsaidean), 1700 ° C (a 'lùghdachadh àrainneachd)
Susbaint SiC	> 99.96%
Susbaint Si saor an asgaidh	< 0.1%
Meud dùmhlachd	2.60-2.70 g / cm³
Porosity follaiseach	< 16%
Neart teannachaidh	> 600MPa
Neart cromadh fuar	80-90 mpa (20 ° C)
Neart cromadh teth	90-100 mpa (1400 ° C)
Leudachadh teirmeach @ 1500 ° C	4.70 10^-6/°C
Giùlan teirmeach @ 1200 ° C	23W/m•K
Modal elastic	240 GPa
Frith-aghaidh clisgeadh teirmeach	Air leth math